网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

|
電子科技大學
電子科技大學 教育部
  • 34 高校采購信息
  • 524 科技成果項目
  • 74 創新創業項目
  • 0 高校項目需求

超結MOSFET設計及制造技術

2021-04-10 00:00:00
云上高博會 http://www.gxf2npi.xyz
關鍵詞： 超結工藝
點擊收藏
所屬領域:
電子信息
項目成果/簡介:
本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。
項目階段:
產業化應用
會員登錄可查看 合作方式、專利情況及聯系方式

掃碼關注，查看更多科技成果

取消
百家乐神仙道礼包| 延津县| 百家乐扑克投注赢钱法| 大发888游戏客户端下载| 百家乐官网现金网信誉排名| 黄金城百家乐下载| 百家乐官网视频赌博| 威尼斯人娱乐城线上赌场| 下载百家乐官网棋牌大厅| 威尼斯人娱乐网网上百家乐的玩法技巧和规则 | 百家乐官网开户送10彩金| 百家乐网络真人斗地主| 百家乐官网视频游戏平台| 莫斯科百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐玩法| 网上玩百家乐游戏有人挣到钱了吗| 城口县| 永利百家乐赌场娱乐网规则| 网络百家乐官网投注| 大发888官网注册送58| 百家乐官网那里信誉好| 体育投注| 百家乐赌机厂家| 网上百家乐官网是假| qq德州扑克怎么玩| 网上玩百家乐技巧| 赌百家乐官网到底能赌博赢| 晓游棋牌官方下载| 澳门百家乐娱乐开户| 百家乐官网赌场赌场网站| 娱乐城注册送18体验金| 百家乐娱乐礼金| 2024地运朝向房子| 百家乐官网视频下载地址| 太阳城真人娱乐城| 御匾会百家乐官网娱乐城| 百家乐官网玩法既规则| 大发888谨慎心态| 索雷尔百家乐的玩法技巧和规则| 澳门百家乐自杀| 安塞县|