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在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)和日益激烈的市場(chǎng)化競(jìng)爭(zhēng)，使得企業(yè)越來(lái)越需要對(duì)整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程進(jìn)行總體優(yōu)化操作，以得到最優(yōu)生產(chǎn)過(guò)程。因此，為了最大限度發(fā)揮過(guò)程系統(tǒng)的生產(chǎn)潛力，取得最大的經(jīng)濟(jì)效益，必須隨著實(shí)際操作環(huán)境和市場(chǎng)要求的變化及時(shí)地進(jìn)行操作條件的優(yōu)化，采用實(shí)時(shí)在線優(yōu)化技術(shù)將穩(wěn)態(tài)操作點(diǎn)逐漸移到相應(yīng)工況的最佳操作點(diǎn)區(qū)域。 對(duì)二甲苯（PX）氧化反應(yīng)單元在精對(duì)苯二甲酸（PTA）生產(chǎn)過(guò)程中處于核心地位，它直接關(guān)系到PTA產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)量、醋酸燃燒損失以及PX單耗等。本項(xiàng)目基于PX氧化反應(yīng)動(dòng)力學(xué)，結(jié)合人工智能方法建立了PX氧化反應(yīng)過(guò)程工藝機(jī)理數(shù)學(xué)模型，并依據(jù)工業(yè)裝置數(shù)據(jù)采用隨機(jī)搜索算法對(duì)該模型進(jìn)行了優(yōu)化校正，形成了能準(zhǔn)確描述生產(chǎn)裝置特性的機(jī)理模型；同時(shí)建立了PX與HAC的燃燒損失智能預(yù)測(cè)模型；建立了PX氧化過(guò)程的在線實(shí)時(shí)流程模擬系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵性能指標(biāo)4-CBA濃度以及PX和HAC燃燒損失的在線實(shí)時(shí)預(yù)測(cè)；對(duì)PX氧化過(guò)程的工藝操作條件進(jìn)行了在線實(shí)時(shí)優(yōu)化，降低了PX和HAC的燃燒損失，確保生產(chǎn)裝置運(yùn)行在最佳狀態(tài)，產(chǎn)生了顯著經(jīng)濟(jì)效益。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的多值存儲(chǔ)單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲(chǔ)單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個(gè)憶阻器以特殊的連接方式構(gòu)成。這種連接方式組成的多值存儲(chǔ)單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。相較于傳統(tǒng)憶阻器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述多值存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)提供了更大的存儲(chǔ)空間，為存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)提供了一種新的思路。所述多值存儲(chǔ)單元的讀寫電路包括存儲(chǔ)單元、控制開(kāi)關(guān)以及電壓比較電路。所述讀寫

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法， 可編程模塊包括阻變?cè)?、電?R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏極和第一 P 型 MOS 管的漏極均連接至阻變?cè)囊欢?，第?N 型 MOS 管的源極和第一 P 型 MOS 管的源極連接后與電阻 R1 的一端 連接，第一 N 型 MOS 管的柵極與第一 P 型 MOS

XM-PS-1手臂靜脈穿刺及皮內(nèi)注射操作模型（帶手） ? XM-PS-1手臂靜脈穿刺及皮內(nèi)注射操作模型（帶手）皮膚采用高分子材料、血管采用乳膠材料、手臂骨采用發(fā)泡材料制成，膚質(zhì)仿真度高，皮膚紋理清晰，設(shè)有手背部的靜脈血管網(wǎng)，可進(jìn)行靜脈穿刺及皮內(nèi)注射操作訓(xùn)練。 ? 一、功能特點(diǎn)： ■ 模型為成人前臂，可進(jìn)行靜脈注射、輸液（血）操作練習(xí)。 ■ 可選擇不同類型的穿刺針進(jìn)行訓(xùn)練，進(jìn)針有明顯的落空感，正確穿刺有回血產(chǎn)生。 ■ 提供幾十個(gè)皮內(nèi)注射練習(xí)點(diǎn)，可進(jìn)行皮內(nèi)注射訓(xùn)練，正確操作時(shí)會(huì)出現(xiàn)真實(shí)的皮丘，皮丘與皮試陰性結(jié)果相近，抽出液體后皮丘消失。 ■ 可反復(fù)進(jìn)行練習(xí)。 ? 二、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ 手臂靜脈穿刺及皮內(nèi)注射操作模型：1套 ■ 輸液套裝：1套 ■ 注射器：1支 ■ 說(shuō)明書(shū)：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

在國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目資助下，本課題組在2003年成功研制出基于立體視覺(jué)的顯微操作裝配工作站，主要用于對(duì)微小物體進(jìn)行操作和微小系統(tǒng)的裝配，已推廣到臺(tái)灣大學(xué)等地區(qū)使用，近年來(lái)結(jié)合不同領(lǐng)域用戶實(shí)際需求，不斷改進(jìn)，顯著改善了系統(tǒng)的可靠性、模塊化、靈活性、控制軟件智能化程度，拓寬了本技術(shù)的應(yīng)用范圍，在多種微納器件和系統(tǒng)的集成制造中發(fā)揮了重要作用。系統(tǒng)具有圖像采集、圖像獲取，三維成像、三維測(cè)量、微小系統(tǒng)裝配、微小零件在線修磨等，還可以根據(jù)用戶具體要求定制特殊功能。系統(tǒng)配置可根據(jù)用戶要求選配，一種典型的配置如下：高倍立體顯微成像系統(tǒng)、微操作器、數(shù)控微位移工作臺(tái)、彩色CCD攝像機(jī)、高速圖像采集及立體顯示卡、高分辨率顯示器、微型計(jì)算機(jī)以及可選操縱單元（夾持器、真空吸盤、噴涂裝置等）等。具有動(dòng)靜態(tài)彩色立體成像及顯示。 系統(tǒng)典型技術(shù)參數(shù)如下：光學(xué)分辨率水平方向最高可達(dá)到500nm，深度方向分辨率最高可達(dá)到80nm，立體視覺(jué)的深度分辨率為10um，X/Y每軸運(yùn)動(dòng)范圍：50mm，Z軸運(yùn)動(dòng)范圍：25mm，運(yùn)動(dòng)分辨率：1μm(per step)，自動(dòng)引導(dǎo)重復(fù)定位精度：±3μm；具有操作自動(dòng)尋位、自動(dòng)避障功能；有真空吸附與夾鉗式拾取器（操作手）；具有空間位置測(cè)量及相對(duì)距離測(cè)量功能，圖像處理與分析功能、可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)、打印等操作。

本發(fā)明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器及其讀、寫、擦除操作方法以及測(cè)試電路；基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器電路包括憶阻存儲(chǔ)單元、選址開(kāi)關(guān)、控制開(kāi)關(guān)以及分壓電路。本電路的設(shè)計(jì)通過(guò)行列地址信號(hào)對(duì)憶阻存儲(chǔ)單元進(jìn)行選址，通過(guò)外加脈沖信號(hào)對(duì)讀、寫、擦除操作進(jìn)行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器的功能測(cè)試電路驗(yàn)證此電路結(jié)構(gòu)的有效性。同時(shí)，在此電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對(duì)此基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器電路的

本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性布爾邏輯運(yùn)算電路及其操作方法， 布爾邏輯運(yùn)算電路具有兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，包括第一阻變?cè)?M1 和第二阻變?cè)?M2；第一阻變?cè)?M1 的負(fù)極作為邏輯運(yùn)算電路 的第一輸入端，第二阻變?cè)?M2 的負(fù)極作為邏輯運(yùn)算電路的第二輸 入端，第二阻變?cè)?M2 的正極與第一阻變?cè)?M1 的正極連接后作 為邏輯運(yùn)算電路的輸出端。本發(fā)明通過(guò)對(duì)非易失性布爾邏輯運(yùn)算電路 進(jìn)行操作可實(shí)現(xiàn)至少 16 種基本