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已有樣品/n在微電子所的技術支持和協助下，株洲中車時代電氣股份有限公司國內首條6英寸碳化硅（SiC）芯片生產線順利完成技術調試，廠務、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發與制造。與其他半導體材料相比，SiC 具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿場強，以及高熱導率等優異物理特點，是新一代半導體電力電子器件領域的重要發展趨勢。

項目成果/簡介:創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。應用范圍:本項目采用的方法和技術不是用于納米顆粒的制備，而是將已有的不同粒徑納米顆粒的混料進行分離和分級。效益分析:可用于具有納米顆粒分離、分級需求的廣泛場合，如電子器件、集成電路制膜的原料準備和光學、電子、醫療等精密部件的磨料準備，應用潛力巨大。知識產權類型:發明專利知識產權編號:ZL201610401673.7技術先進程度:達到國內先進水平成果獲得方式:與企業合作獲得政府支持情況:無

創新了一種納米顆粒的分離方法并實現了一種分離裝置，其原理類似于麥克斯韋速率分布律的驗證方法及其實現裝置的原理，可將不同粒徑的納米顆粒收集到不同的位置，達到分離和分級的目的。技術方面涉及不同粒徑（質量）納米顆粒的荷電狀態、在電場中的運動速度（及其分布）、給料時間間隔、顆粒落點以及收集周期等多種因素的復雜作用及其之間的優化匹配與控制。納米顆粒是指直徑小于 100nm 的顆粒。與傳統分離方法相比，本方法和技術不受被分離的納米顆粒尺寸的限制，分離量可自行調節，分離效果好，可使分離效率大幅提高。

碳化硅工程陶瓷材料具有優異的高溫性能，能夠滿足高溫和嚴酷環境使用環境。碳化硅工程陶瓷在工業領域具有最廣泛的應用前景、并可能在較短時間內形成產業化規模，有巨大的市場潛力。國家科委在“九五”科技攻關項目“結構陶瓷產品開發”中安排了“高性能碳化硅熱電偶保護管開發”的專題。通過產品開發牽引形成若干具有特色的高性能碳化硅陶瓷材料制備技術。

本發明公開了一種采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數字建模，并將三維數字模 型信息輸入到激光選區燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將

（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發明公開一種新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法，屬于寬禁帶半導體技術領域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構成，在所述襯底的硅面上有一層導電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導電類型的摻雜層，從內到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側設置有開關的陽極

本發明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領域，具體為碳化硅/二氧化硅（內芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領域。本發明中碳化硅/二氧化硅（內芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時后自然降到室溫。利用本發明所說的方法生成產物均為碳化硅/二氧化硅（內芯/ 外層）同軸納米電纜，且長度比現有的方法制備的提高了 2 個量級，是迄今為止報道的 最長的納米電纜，且制備方法簡單，原料便宜易得，設備要求簡化，成本低，產率高。

產品詳細介紹 　　《教育局信息化綜合管理平臺》包括日常辦公、學籍管理、人事管理、校產管理、學業評價、綜合素質評價管理、資源平臺等模塊，能夠全面解決各級教育局的信息化應用問題，使教育管理的質量和效率得到質的提高。平臺與《中小學數字化校園綜合管理與評價系統》，可以無縫對接，實現互通互聯，數字資源共享，形成教育局和學校兩級一體的教育信息化管理平臺。在此基礎上，還可以與市級教育局實現無縫對接，形成市教育局、縣（區）教育局、學校三級一體信息化管理平臺。 　　●平臺特點和優勢： 　　1．基于Lucene綜合搜索引擎等先進技術、對海量信息自動獲取和分析，提供面向教育局多業務海量數據監測、分析、挖掘、溯源以及報表展示等功能，滿足教育局及學校多用戶復雜業務追蹤工作過程中各個環節的用戶需求。 　　2．富媒體文件綜合處理，將Office文檔，圖像，視頻，音頻，動畫等媒體表現方式，集中在一個組件中處理，使這些富文本內容使用起來更方便快捷。 　　3．基于Drools規則引擎、JAAS(Java驗證和授權API)安全認證的權限管理組件，實現了權限管理和代碼分離，只需改變相應的規則，就可以調整用戶權限，使用戶管理更安全。 　　4．基于jBPM4引擎的工作流組件。 　　5．平臺應用系統采用B/S結構，系統采用Java開發語言并基于Seam2.0大型企業級應用框架開發，三級一體信息化可以采取共用服務器的方式，不需在客戶端安裝任何軟件，只需統一部署機房，也就是在市、縣（區）教育局裝配共用的服務器集群即可。這樣能夠節省項目硬件設備投入資金，便于系統維護，便于網絡、硬件及軟件的維護和更新，確保數據安全性，避免因為管理不善而導致數據流失、損壞現象的發生。 　　●模塊功能： 　　1．日常辦公 　　本模塊針對教育局的日常辦公特點和需要，設置了公文流轉、信息發布、留言管理等功能。公文流轉打通了教育局與下級各學校的網絡溝通渠道，實現公文上級下發、下級上報、平級互發，不僅可以像郵箱起到發送郵件交流的作用，而且還有公文流程、文件緊急度、電子簽章、實名簽讀、公文監控、公文歸檔等個性化的設計。信息發布、留言管理可實現教育局內部、對下屬學校通知等信息的發布和局內個人留言。 　　2．人事管理 　　本模塊針對教育局人事管理工作的需要，設置了人事檔案、人事報表等功能，實現公務員及教職員工的人事信息電子化管理，確保人事檔案信息真實、管理規范和安全，并為各級單位提供了所需的、自由靈活的人事報表功能，可按任意字段和內容進行匯總、統計、分析。 　　3.學籍管理 本模塊針對教育局學籍管理工作的需要，設置了招生管理、學籍注冊、學籍查詢、學籍異動、學籍報表以及相關統計報表打印等功能，極大地方便了教育局學籍的管理工作。 　　4．學業評價 　　本模塊針對教育局學業管理工作的需要，設置了成績分析、成績報表功能。教育局可以對期中、期末等重要考試進行分析，對單個學校進行跟蹤分析，校與校之間進行橫向比對，為安排部署下一步教學工作提供科學、準確的參考。 　　5.綜合素質評價管理 　　針對教育局對所屬學校學生綜合素質評價和教師素質評價工作管理的需要，本模塊設置了學生綜合素質評價和教師素質評價管理功能，實現學生評價和教師評價結果報表的自動上報上傳，便于教育主管部門了解和掌握學期學生評價、教師評價和教師績效考核情況，畢業生的綜合素質評價結果及畢業生推薦結果，檢查和指導所屬學校學生評價和教師評價工作。 　　6．教學資源管理 　　為了整合優質教育資源，減少教育成本，提高教學質量，本系統設置了教學資源管理平臺。不同類型的用戶可以根據不同權限，按照資源類別上傳下載和查找教學資源，實現教育局所轄區域內學校的資源共建共享。 　　7．資產管理 　　本模塊針對教育局資產管理工作的特點和需要，設置了辦學條件管理﹑設備管理和校產報表匯總三大功能，辦學條件管理包括設備管理、建筑物管理、房屋管理、用地管理、設施管理和實驗室管理；設備管理包括設備類別維護、儀器設備管理和設備使用管理；資產報表匯總包括達標狀態報表、辦學條件統計報表和設備報表。教育局可以維護和查看所屬學校的資產信息，實現局級單位資產和校級單位資產信息化管理。    

本發明涉及一種硼化鋯-碳化硅超細復合粉體及其制備方法。其技術方案是：先將64——85wt%的鹵化物粉、4——15wt%的氧化鋯粉、2——5wt%的氧化硅粉、2——6wt%的氧化硼粉、0.3——1.1wt%的炭粉和6——10wt%的鎂粉混合均勻，機壓成型；再將成型后的坯體置于電爐中，在氬氣氣氛和升溫速率為2——8℃/min的條件下升溫至1000——1250℃，保溫2——6小時，將燒成后的坯體用蒸餾水洗滌，然后放入濃度為1.0——4.0mol/L的鹽酸中浸泡3——8小時，過濾，用去離子水清洗，在80℃條件下干燥11——24小時，粉碎，即得硼化鋯-碳化硅超細復合粉體。本發明具有反應溫度低、反應時間短、過程易于控制、工藝簡單、產率高的特點；其制品分散性好、顆粒團聚小、成分均勻、純度高和產業化前景大。 （注：本項目發布于2014年）

寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線