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本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測(cè)方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對(duì)不同波長入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對(duì)在硅基液晶波長工作范圍內(nèi)的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測(cè)，并能 在入射光波長未知的條件下，對(duì)該波長進(jìn)行測(cè)量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊 湊，對(duì)光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨

該項(xiàng)目針對(duì)多晶硅太陽能光伏電池成套設(shè)備中太陽能光伏電池絲網(wǎng)印刷、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)、燒結(jié)系統(tǒng)、自動(dòng)分揀系統(tǒng)等高端設(shè)備進(jìn)行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，形成了晶硅太陽能光伏電池生產(chǎn)線和成套設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)能力，打破了國外相關(guān)高端設(shè)備的壟斷局面，為我省相關(guān)產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展提供技術(shù)支撐。該成套設(shè)備具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),聯(lián)合體已擁有發(fā)明專利8件,實(shí)用新型專利21件。 該項(xiàng)目的特色與創(chuàng)新之處主要體現(xiàn)在如下幾個(gè)方面：1）基于視覺的高速精密定位理論與技術(shù)；2）有效降低破損率的高速、高精度印刷技術(shù)；3）均勻熱場(chǎng)形成技術(shù)

本發(fā)明公開了一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)的制備方法，步驟為①將鍵合硅器件晶圓鍵合于硅晶圓基板上；②減薄硅器件晶圓，再刻蝕硅器件晶圓，形成盲孔；③在硅器件晶圓上涂敷一層圖案化介電材料(如聚對(duì)二甲苯)；④刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁；在基板上形成介電質(zhì)孔，使介電質(zhì)孔和盲孔同軸；⑤在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，作為導(dǎo)電層，形成導(dǎo)電孔；⑥在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層；⑦移除基板，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點(diǎn)。本發(fā)明簡(jiǎn)化了工藝步驟，減少工藝時(shí)間并降低了費(fèi)用；降低了寄生電容，提升了互連電性

一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對(duì)需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長選擇開關(guān)輸出端

一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對(duì)需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長選擇開關(guān)輸出端

本發(fā)明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結(jié)構(gòu)和制備技術(shù)，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術(shù)。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結(jié)構(gòu)的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關(guān)鍵工藝——子電池內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結(jié)合濕法腐蝕ZnO的方法，實(shí)現(xiàn)具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡(jiǎn)單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太

本發(fā)明公開了一種用于硅材料表面的復(fù)合結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用，其中該復(fù)合結(jié)構(gòu)包括光柵結(jié)構(gòu)和納米線陣列，光柵結(jié)構(gòu)包括多個(gè)周期性并列排列的長方體，相鄰的兩個(gè)長方體之間的間距保持固定；納米線陣列為多個(gè)周期性排列的圓柱體，這些圓柱體均位于光柵結(jié)構(gòu)的長方體的頂面上；位于同一長方體頂面上的相鄰兩個(gè)圓柱體的中心軸線之間距離保持固定。本發(fā)明通過對(duì)復(fù)合結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵形狀參數(shù)等進(jìn)行改進(jìn)，能夠提高硅太陽能電池的光吸收率，并且降低制備成本，提高復(fù)合結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性；此外，通過調(diào)節(jié)該復(fù)合結(jié)構(gòu)內(nèi)部光柵結(jié)構(gòu)和納米線陣列的排列組成方式，能夠調(diào)控硅太陽能電池表面的光吸收率，減小由于光波段不同造成的光吸收率的波動(dòng)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

產(chǎn)品詳細(xì)介紹南京金牛高速分析儀器有限公司專業(yè)制造各類鋼鐵成分分析儀器,鑄造生鐵化驗(yàn)儀,球鐵分析儀器,有色金屬分析儀器，多元素分析儀器，高頻紅外碳硫分析儀器，電腦碳硫分析儀，三元素分析儀，五大元素分析儀等高速分析儀器，產(chǎn)品高、中、低檔齊全。可測(cè)定工業(yè)材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、稀土總量、鎂等元素。儀器測(cè)量范圍廣、精度高， ISO9001：2000質(zhì)量管理體系認(rèn)證企業(yè)，是南京市計(jì)量監(jiān)督檢測(cè)院“抽檢合格企業(yè)”，被評(píng)為“南京市重合同守信用企業(yè)”， “金牛”商標(biāo)被評(píng)為“南京市著名商標(biāo)”，產(chǎn)品榮獲“南京市名牌產(chǎn)品”稱號(hào)。  JN-D鐵水碳硅分析儀(熱分析儀)，是一種用于爐前鐵水成份快速分析的實(shí)用型產(chǎn)品，能自動(dòng)控制重要的冶金參數(shù)，彌補(bǔ)“光譜”難以測(cè)準(zhǔn)非金屬元素（C、Si）之不足，以及常規(guī)分析儀器不能滿足爐前快速分析的時(shí)間要求，滿足鑄造生產(chǎn)的質(zhì)量控制要求。一、主要技術(shù)指標(biāo)：1、測(cè)量功能:對(duì)灰白凝固鑄鐵進(jìn)行C%、Si%、CEL、△T、△Tm等測(cè)量；2、測(cè)量范圍：C 2.1～4.2 、Si 0～20 、CEL 2.5～5.0、 型號(hào)K 200℃～1370℃；3、測(cè)量精度: C±0.039、 Si±0.1%、 CEL±0.047%；4、測(cè)量時(shí)間：最大240秒；5、四位LED數(shù)字顯示，直觀、清晰，可自動(dòng)打印測(cè)量結(jié)果；6、電源電壓：220V/AC、50/60Hz、功率15～35VA、環(huán)境溫度0～50℃。二、金牛儀器服務(wù)承諾：1、所售化驗(yàn)儀器三包一年，終身服務(wù)，產(chǎn)品售后服務(wù)熱線電話24小時(shí)開通，定期回訪客戶； 2、免費(fèi)培訓(xùn)化驗(yàn)人員，現(xiàn)場(chǎng)培訓(xùn)或來公司培訓(xùn)均可；3、常年供應(yīng)化驗(yàn)儀器所需各種配件:特制硅鉬粉、錫粒、各種標(biāo)樣、玻璃器皿、分析天平、添加劑等。

大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價(jià)格低廉等方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機(jī)、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測(cè)試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段