本發(fā)明公開(kāi)了一種用于硅材料表面的復(fù)合結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用，其中

該復(fù)合結(jié)構(gòu)包括光柵結(jié)構(gòu)和納米線陣列，光柵結(jié)構(gòu)包括多個(gè)周期性并

列排列的長(zhǎng)方體，相鄰的兩個(gè)長(zhǎng)方體之間的間距保持固定；納米線陣

列為多個(gè)周期性排列的圓柱體，這些圓柱體均位于光柵結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)方體

的頂面上；位于同一長(zhǎng)方體頂面上的相鄰兩個(gè)圓柱體的中心軸線之間

距離保持固定。本發(fā)明通過(guò)對(duì)復(fù)合結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵形狀參數(shù)等進(jìn)行改進(jìn)，

能夠提高硅太陽(yáng)能電池的光吸收率，并且降低制備成本，提高復(fù)合結(jié)

構(gòu)的整體穩(wěn)定性；此外，通過(guò)調(diào)節(jié)該復(fù)合結(jié)構(gòu)內(nèi)部光柵結(jié)構(gòu)和納米線

陣列的排列組成方式，能夠調(diào)控硅太陽(yáng)能電池表面的光吸收率，減小

由于光波段不同造成的光吸收率的波動(dòng)。