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一種金－還原氧化石墨烯－泡沫鎳復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明提供了一種金?還原氧化石墨烯?泡沫鎳復(fù)合材料的制備方法，主要包括以下幾個(gè)工藝步驟：
１．制備氧化石墨烯，并配置成一定濃度的氧化石墨烯水溶液；
２．將泡沫鎳浸漬于配置好的氧化石墨烯水溶液中，待充分浸漬后，將泡沫鎳取出烘干，重復(fù)多次得到氧化石墨烯?泡沫鎳
３．將氧化石墨烯?泡沫鎳浸入新配置的抗壞血酸水溶液中，置于水浴鍋中６０-９０℃，保溫２０-４０ｍｉｎ，取出漂洗并烘干，得到還原氧化石墨烯?泡沫鎳；
４．將還原氧化石墨烯泡沫鎳放入氯金酸溶液中，超聲條件下，反應(yīng)１-５ｍｉｎ，烘干后即可獲得金納米粒子分布均勻的金?還原氧化石墨烯泡沫鎳材料。
東南大學(xué)
2021-04-11
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氧化石墨烯敏化半導(dǎo)體氣敏材料及其特異性檢測(cè)
氧化石墨烯具有獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)、豐富的表面官能團(tuán)及P型半導(dǎo)體性質(zhì)。通過氧化石墨烯與ZnO納米片及SnO2納米纖維進(jìn)行復(fù)合，大幅度提升了其對(duì)丙酮、甲醛等特異性氣體檢測(cè)。其敏感性能的提升歸因于氧化石墨烯和半導(dǎo)體材料二者的協(xié)同效應(yīng)。相關(guān)研究解決了現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體氣體傳感器檢測(cè)限和選擇性較低的問題。
上海理工大學(xué)
2021-01-12
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在鈉金屬薄膜和等離激元光子器件研究方面上的重要突破
研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了獨(dú)特的液態(tài)金屬旋涂工藝，制成了金屬鈉薄膜，首次揭示了金屬鈉膜的優(yōu)異光波段等離激元特性。
北京大學(xué)
2021-04-11
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一種超高速率充放電超級(jí)電容器薄膜電極的制備
高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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高模量低收縮聚酰亞胺薄膜的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵制備技術(shù)研究
本項(xiàng)目針對(duì)目前國內(nèi)撓性印制線路板及材料在生產(chǎn)及應(yīng)用中存在的問題，在研究團(tuán)隊(duì)前期開發(fā)的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎(chǔ)上，從市場需求及產(chǎn)業(yè)化的角度，優(yōu)選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開展聚合物前驅(qū)體聚酰胺酸膠液的實(shí)驗(yàn)室小試、中試及產(chǎn)業(yè)化規(guī)模制備、膠液流延和薄膜制備過程中 的關(guān)鍵技術(shù)研究，獲得一套穩(wěn)定可靠的產(chǎn)業(yè)化工藝參數(shù)，制備具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產(chǎn)品，打破該產(chǎn)品國外壟斷的局面。
中山大學(xué)
2021-04-10
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一種硒化銻薄膜太陽能電池的背表面處理方法
本發(fā)明屬于薄膜太陽能電池制備領(lǐng)域，具體公開了一種硒化銻 薄膜太陽能電池的背表面處理方法，該方法是使用含有二硫化碳的液 體接觸處理硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的表面，并以經(jīng)處 理后的硒化銻薄膜層的表面作為硒化銻薄膜太陽能電池的背表面。本 發(fā)明通過對(duì)硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的背表面進(jìn)行處理 改進(jìn)，有效降低了硒化銻薄膜太陽能電池的背接觸勢(shì)壘，達(dá)到了提高 器件的填充因子的效果，進(jìn)而提高了硒化銻薄膜太陽能電池的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質(zhì)結(jié)電池的制備方法
本發(fā)明公開了一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質(zhì)結(jié)電池的制備方法。該方法在傳統(tǒng)的 PbI2 前驅(qū)體 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶劑中的溶解性，以免在旋涂時(shí)形成不均勻的晶核，影響鈣鈦礦 生長的均勻性。在空氣中 100℃燒結(jié) 5 分鐘后，往鈣鈦礦層上刮涂上一種含有 CH3NH3I 的碳漿，在空氣 中 100℃烘干，再次刮涂上一層不含 CH3NH3I 的碳漿以降低器件電阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均勻滴在碳電極上
武漢大學(xué)
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜及其制備方法
本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜，該薄膜為三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構(gòu)成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上的透明導(dǎo)電層，該柔性透明 導(dǎo)電復(fù)合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內(nèi)保持高于 80％的透光率，該透明導(dǎo)電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開了該
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體材料 與器件制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實(shí)現(xiàn)禁帶寬度和能帶位置的連續(xù)可調(diào)，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機(jī)半導(dǎo)體材料。本發(fā)明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發(fā)源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發(fā)源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14