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目前傳統(tǒng)消毒技術(shù)有諸多缺點(diǎn)：紫外消毒由于紫外光光譜會殺死健康細(xì)胞，對人眼和其他器官也是危險的，所以其滅菌場所不能有人進(jìn)入，大大限制了其應(yīng)用范圍。傳統(tǒng)的二氧化鈦催化劑由于禁帶寬度3.2ev，也只能受紫外光激發(fā)有效，大大限制了其應(yīng)用；臭氧消毒易分解，其滅菌場所不能有人進(jìn)入，對人眼和其他器 官具有危害；酒精、84消毒劑由于揮發(fā)不具有持續(xù)消毒能力，需要經(jīng)常噴灑，另外存在著使用不當(dāng)引起的火災(zāi)、中毒等風(fēng)險。 課題組研發(fā)的氮化碳g-C3N4功能復(fù)合膜制備可解決述痛點(diǎn)，該項(xiàng)技術(shù)具有可提高膜的親水性、提高膜的水通量、賦予膜光催化性能、賦予膜自清潔性能和抗菌性等特點(diǎn)。

Ag納米顆粒具有優(yōu)異的抗菌及殺菌性能，且具有廣譜性及無抗藥性。石墨烯是近年來最熱門的材料之一，可以作為載體制備納米復(fù)合材料，廣泛應(yīng)用在光電，電池，生物，醫(yī)學(xué)等眾多領(lǐng)域。對比目前Ag抗菌材料的載體如沸石，二氧化硅等來說，石墨烯具有獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)，其高的比表面積，穩(wěn)定的物理及化學(xué)性質(zhì)，可以優(yōu)化Ag基納米顆粒的生長，控制其形貌尺寸，從而獲得性能優(yōu)異的復(fù)合材料。其獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)以及界面性能使其可以組裝成不同應(yīng)用環(huán)境的器件，因此具有廣泛的適用范圍和廣闊的應(yīng)用前景。重要的是，石墨烯還具有良好的生物相容性，是抗

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在 保護(hù)氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅(qū)體；然后 500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅(qū)體的耐熱載體 1min～6h，使得氮 化碳前驅(qū)體氣化并在導(dǎo)電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法 在導(dǎo)電基底表面修飾

一、項(xiàng)目分類 顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡介 本項(xiàng)目開創(chuàng)性地將石墨烯用于包覆鈦酸鋰，通過獨(dú)特的加工工藝制得業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的石墨烯包覆鈦酸鋰材料，有效地解決了鈦酸鋰負(fù)極材料的產(chǎn)氣問題，并以此為基礎(chǔ)制得了高性能的鈦酸鋰超級電池。該電池單體可8C持續(xù)放電，20C脈沖放電，充放電循環(huán)大于30000次，10分鐘可充電90%以上，低溫性能優(yōu)異（可在-40度環(huán)境下放電）。 石墨烯具有高導(dǎo)電性和優(yōu)良的電化學(xué)穩(wěn)定性，通過石墨烯的均勻包覆改善了鈦酸鋰的電子電導(dǎo)性，進(jìn)而提升了電池的大倍率充放電能力和高低溫性能。同時，石墨烯包覆降低了材料充放電過程中的極化，提高了材料的容量發(fā)揮，通過鈍化鈦酸鋰材料表面的活性位點(diǎn)，解決了其產(chǎn)氣問題。利用該負(fù)極材料做成鈦酸鋰超級電池，具有優(yōu)異的倍率充放電性能、長壽命、高安全性能和優(yōu)異的低溫充放電性能。 本項(xiàng)目首先開發(fā)了石墨烯包覆的鈦酸鋰材料，采用高溫固相法合成，X射線衍射圖譜證明其為標(biāo)準(zhǔn)的鈦酸鋰尖晶石結(jié)構(gòu)，微觀上由100-200nm的一次顆粒組成的微米和亞微米級二次球形顆粒，D50為15±5μm，1C可逆容量大于155mAh/g。 獲得了基于石墨烯包覆鈦酸鋰負(fù)極材料的鈦酸鋰超級電池，通過串并聯(lián)成組后可以用于低溫啟動電源，軌道交通，儲能等領(lǐng)域，在長壽命、高安全、快充和低溫充放電領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

項(xiàng)目簡介：  石墨烯屬于碳納米材料家族中的一員，具  有高硬度、高

制備在宏觀尺度上具備二維單片石墨烯的獨(dú)特本征性質(zhì)的石墨烯三維體相材料是材料學(xué)研究中兼具學(xué)術(shù)價值和實(shí)用意義的重大挑戰(zhàn)。本項(xiàng)目制備得到了一種三維石墨烯宏觀體相材料，其由大量獨(dú)立且懸空的二維石墨烯單元通過片層邊緣的化學(xué)鍵構(gòu)筑而成。該材料具有良好的機(jī)械性能，在常溫可見光下作用下具有電子發(fā)射能力，在瓦特功率級別的可見波段激光或聚焦的太陽光照射下，厘米尺寸的此石墨烯材料樣品可以在真空條件下實(shí)現(xiàn)有效的直接光驅(qū)動，此現(xiàn)象為國內(nèi)外所首次觀察及報道，為石墨烯帶來了一種激動人心的潛在應(yīng)用價值。上述材料的制備及相關(guān)性能研究還可為石墨烯在催化，能源轉(zhuǎn)換與存儲等領(lǐng)域的應(yīng)用提供材料支持與相關(guān)理論支撐。 項(xiàng)目特色： 1.制備了基于二維石墨烯單元通過片層邊緣的化學(xué)鍵構(gòu)筑而成三維石墨烯體相材料，該材料不僅保留了二維石墨烯材料的本征性質(zhì)， 而且具備優(yōu)良的機(jī)械及光電性能。 2. 在國內(nèi)外首次觀察到厘米級尺寸的裸眼可見的宏觀石墨烯樣品，只依靠瓦特級別的光作為單一驅(qū)動源，即可實(shí)現(xiàn)較大距離(數(shù)十厘米)的有效的運(yùn)動，并提出了光致電子發(fā)射驅(qū)動的機(jī)理解釋上述三維石墨烯體相材料獨(dú)特的光驅(qū)動， 3. 上述材料的制備與性能研究揭示通過有效合理的結(jié)構(gòu)構(gòu)筑手段，能夠得到以二維石墨烯作為構(gòu)成單元，并有效保留其獨(dú)特二維性質(zhì)和兼具三維宏觀形態(tài)的石墨烯體相材料，此項(xiàng)研究為其它二維材料的開展類似工作并拓展其應(yīng)用提供了范例和思路。 已取得的成果： 項(xiàng)目的標(biāo)志性研究結(jié)果于 2015 年 6 月在線發(fā)表于 NaturePhotonics，并于 2015 年 7 月正式發(fā)表（Nature Photonics, 2015, 9, 471-476）。雜志同期以“Two-dimensional materials: Lift off for graphene”發(fā)表了專題評論。英國著名科普雜志 New Scientist 以“Spacecraft builtfrom graphene could run on nothing but sunlight”為題報道了此研究，指出該成果“再為石墨烯這種優(yōu)良材料增添了一種驚人的性能”。國內(nèi)主要媒體包括人民日報、光明日報、新華網(wǎng)以及多家門戶網(wǎng)站等均對此研究進(jìn)行了報道，中央電視臺《新聞聯(lián)播》欄目于 2015 年 6 月21 日也對此進(jìn)行了報道。 市場應(yīng)用前景： 空間飛行器是人類探索宇宙的重要工具，而動力源問題一直羈絆著人類無法走得更遠(yuǎn)。目前幾乎所有的航空、航天飛行均采用化學(xué)驅(qū)動，即通過噴射燃燒的化學(xué)物質(zhì)來獲得驅(qū)動力，光直接驅(qū)動飛行是科學(xué)界和航空界多年的夢想。

本發(fā)明公開了一種表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料及其制備和應(yīng)用。所述表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料的制備方法包括以下步驟：1)將金屬鹽溶解于有機(jī)溶劑中，形成透明溶液、2)將步驟1)中的透明溶液與軟膜板劑混合，得到二者充分均勻分散的分散液，充分混合形成金屬鹽凝膠、3)將步驟2)中得到的金屬鹽凝膠制備成干凝膠、4)將步驟3)中得到的干凝膠高溫煅燒，所得灰分即為表面氧缺陷多孔金屬氧化物、本方法能夠同步合成出表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料。制備方法相對簡單，在形成多孔結(jié)構(gòu)的同時增加了材料表面的氧空穴濃度，改變了材料的電子結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于吸附、光電催化及電池領(lǐng)域。

通過溶劑熱方法，成功制備出一種層間距寬化并富有缺陷的1T-VS 2 納米片，展現(xiàn)出優(yōu)異的電催化析氫性能。由于有機(jī)溶劑分子以及在反應(yīng)過程中產(chǎn)生的銨離子等的插層作用，該溶劑熱法制備出的VS 2 納米片層間距寬化至1.0 nm，比塊體VS 2 材料的層間距（0.575 nm）增加了74%。層間距的寬化引起晶格的畸變而引入眾多的缺陷，豐富的缺陷賦予VS 2 納米片更多的活性位點(diǎn)，層間距的寬化還進(jìn)一步改變了VS 2 材料的電子結(jié)構(gòu)，從而使得該VS 2 納米片具有更加優(yōu)化的氫吸附自由能（? G H ）。HER測試結(jié)果表明，該VS 2 納米片呈現(xiàn)出優(yōu)異的電催化性能，具有較小的塔菲爾斜率（36 mV dec ?1 ）、具有較低的過電位（-43 mV@10 mA cm ?2 ）和良好的穩(wěn)定性（60 h）。此外，通過第一性原理計算的結(jié)果表明，層間距寬化的VS 2 具有更優(yōu)化的? G H （-0.044 eV），媲美貴金屬Pt(如圖3 ). 。并且，層間距的寬化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。這里，理論計算結(jié)果和實(shí)驗(yàn)相一致，較好地證明了通過層間距和缺陷的精細(xì)調(diào)控，可以有效提升二維材料的電催化析氫反應(yīng)活性, 揭示了層間距和缺陷結(jié)構(gòu)調(diào)控對提升電催化析氫的基本原理。此項(xiàng)研究工作為層狀二維材料的晶體和缺陷結(jié)構(gòu)精準(zhǔn)調(diào)控研究提供了新思路，為開發(fā)高性能電催化析氫材料研究打開了一扇新窗戶。

本發(fā)明屬于稀疏超分辨檢測領(lǐng)域，并公開了一種基于稀疏的微 小缺陷高頻超聲顯微成像超分辨的方法。該方法包括如下步驟:執(zhí)行 過采樣高頻超聲顯微 C-掃成像;根據(jù)過采樣時的采樣步長與超聲探頭 分辨率，計算出探頭點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) k;由點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)根據(jù)進(jìn)行稀疏超分 辨計算，獲得最終高分辨圖像。本發(fā)明方法實(shí)現(xiàn)了高頻顯微成像對現(xiàn) 微小缺陷進(jìn)行超分辨顯微成像，增強(qiáng)圖像信噪比和分辨率，提高微小缺陷檢測的準(zhǔn)確性，同時對于微觀缺陷的檢測有著重要的意義，有效 地推動微器件可靠性的發(fā)展。

本發(fā)明公開了一種適用于線型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝 置，該裝置包括磁敏感元件部分，磁感應(yīng)部分及磁軛式局部微磁化部 分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引線端、磁引導(dǎo)芯和引導(dǎo)芯套 筒，磁引導(dǎo)芯由長短不一的長方體形引導(dǎo)芯構(gòu)成；磁感應(yīng)部分由繞制 在引導(dǎo)芯套筒外側(cè)的磁感應(yīng)線圈和引線端組成；由引導(dǎo)芯套筒支撐固 定的磁軛式局部微磁化部分，包括方形導(dǎo)磁構(gòu)件、磁軛式雙磁鐵以及 斜向雙導(dǎo)磁構(gòu)件，該部分將磁場量導(dǎo)入待檢測金屬體內(nèi)，達(dá)到局部微 磁化的效果，通過與磁引導(dǎo)芯連接的磁敏感元件和引導(dǎo)芯套筒外的磁 感應(yīng)線圈，傳遞