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一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.gxf2npi.xyz
關鍵詞：
氮化碳薄膜
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在
保護氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化
碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅體；然后
500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅體的耐熱載體 1min～6h，使得氮
化碳前驅體氣化并在導電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨
相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法
在導電基底表面修飾
項目階段:
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