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氮化鎵界面態(tài)起源
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在70K低溫下探測到近導(dǎo)帶能級ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國際上第一次通過高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導(dǎo)帶界面態(tài)主要來源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強(qiáng)相互作用。由于晶化的Si2N2O
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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懸空氮化物薄膜LED
南京郵電大學(xué)
2021-04-14
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自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷
北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強(qiáng)度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項(xiàng)目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時(shí)，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴(kuò)展的能量使裂紋擴(kuò)展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時(shí)，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴(kuò)展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴(kuò)展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項(xiàng)目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進(jìn)行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長時(shí)間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項(xiàng)目工藝簡單，燒結(jié)速度快，效率高。可制作復(fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強(qiáng)度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
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石墨烯口罩
2020年2月7日，在東南大學(xué)孫立濤教授的建議下，其研發(fā)的“石墨烯基KN95口罩”聯(lián)合合作單位近日將40萬只以最快的速度直接發(fā)往武漢。這款石墨烯基KN95口罩由孫立濤教授研發(fā)。2016年，經(jīng)第三方測試，這種口罩對PM2.5的去除率高達(dá)97.1%。
這款口罩將石墨烯復(fù)合物溶液噴涂于過濾網(wǎng)上，能夠有效去除（干、濕）空氣中的粉塵及PM2.5。目前市場上多數(shù)口罩是通過靜電吸附微小顆粒物，但呼吸的水汽會讓靜電消失，配戴一個(gè)小時(shí)吸附效果就會顯著下降而致吸附失效。石墨烯基口罩借助石墨烯超大的比表面積優(yōu)勢可實(shí)現(xiàn)對微小顆粒物的直接吸附，不存在遇水汽失效問題，可以長時(shí)間保持高效吸附率，其防護(hù)效果級別達(dá)到了2016年新標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的最高級別：A級。
東南大學(xué)
2021-04-10
石墨烯口罩
這款口罩將石墨烯復(fù)合物溶液噴涂于過濾網(wǎng)上，能夠有效去除（干、濕）空氣中的粉塵及PM2.5。目前市場上多數(shù)口罩是通過靜電吸附微小顆粒物，但呼吸的水汽會讓靜電消失，佩戴一個(gè)小時(shí)吸附效果就會顯著下降而致吸附失效。石墨烯基口罩借助石墨烯超大的比表面積優(yōu)勢可實(shí)現(xiàn)對微小顆粒物的直接吸附，不存在遇水汽失效問題，可以長時(shí)間保持高效吸附率，其防護(hù)效果級別達(dá)到了2016年新標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的最高級別：A級。2016年，經(jīng)第三方測試，這種口罩對PM2.5的去除率高達(dá)97.1[%]。因?yàn)榇舜畏窝滓咔橹械牟《灸壳爸饕ㄟ^飛沫或在空氣中形成氣凝膠傳播，與通常的霧霾顆粒類似，所以石墨烯基口罩的防病毒功能很好。
東南大學(xué)
2021-04-11
合金石墨-高壓水熱反應(yīng)釜
主要技術(shù)指標(biāo)
（1）．工作溫度：≤500℃
（2）．工作壓力：≤20MPa（表壓）
（3）、規(guī)格；25、50、100、200、500、800ml。另可根據(jù)用戶需求定做。
（4）.操作方法
1、高壓水熱合成反應(yīng)釜用全不銹鋼材料，外殼材質(zhì)為304材質(zhì)。
2、高壓水熱合成反應(yīng)釜使用溫度在500度以下，500度以下；工作壓力≤20MPa
3、高壓水熱合成反應(yīng)釜采用硬密封的原理，不會泄漏。
4、高壓水熱合成反應(yīng)釜使用時(shí)將法蘭上的螺栓松開，溶液杯取出溶液裝入杯中，然后放在釜體內(nèi)，將上蓋密封槽與杯體上密封球面裝在一起，注意：把緊螺栓時(shí)要對立面把緊，用力要均勻。不要一次性將任何一個(gè)螺栓把緊，當(dāng)對立面螺栓均勻用力把緊時(shí)，再用力將所有螺栓對面把緊，方可進(jìn)行操作升溫。
5、高壓水熱合成反應(yīng)釜當(dāng)溫度達(dá)到要求時(shí)，準(zhǔn)備取出溶液杯將螺栓對立面均勻松開，不允許一次性將任何一個(gè)螺栓全松開，那樣會損傷上蓋密封槽和杯體上端密封面。
6、高壓水熱合成反應(yīng)釜注意保護(hù)杯體上端密封球面，不能有磕、碰傷，或其它污物。
7、高壓水熱合成反應(yīng)釜使用時(shí)注意清理上蓋密封槽內(nèi)的雜物，不能有污物和雜質(zhì)，如不清理干凈使用時(shí)會泄漏。
8、高壓水熱合成反應(yīng)釜上蓋外端中心帶有密封絲堵，它是用來檢驗(yàn)溶液杯密封進(jìn)氣試壓接口。日常或使用過程中，不要將它打開，防止泄漏。
9、高壓水熱合成反應(yīng)釜在使用過程中，如有泄漏現(xiàn)象返廠修復(fù)。
有下列情形的，不在保修范圍。
（1）釜體磕、碰變形或嚴(yán)重?fù)p傷。
（2）溶液杯體上端密封球面有磕、碰傷痕
（3）釜體上蓋密封槽有磕、碰劃傷等。
鞏義市城區(qū)眾合儀器供應(yīng)站
2025-04-27
高性能氮化鎵基電子材料
已有樣品/n中科院半導(dǎo)體所是國內(nèi)最早開展 GaN 基電子材料研發(fā)的單位，并一直在該領(lǐng)域起著引領(lǐng)、 示范和帶動作用。經(jīng)過盡二十年的自主創(chuàng)新，攻克了 2 英寸和3英寸藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)材料等方面形成了系統(tǒng)的自主知識產(chǎn)權(quán)，設(shè)計(jì)并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子材料，并實(shí)現(xiàn)了批量供片。市場預(yù)期：該技術(shù)是采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體的制備方法
小試階段/n本發(fā)明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統(tǒng)制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產(chǎn)提供了一個(gè)新的思路。
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
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納米氮化釩粉體的制備方法
一種納米氮化釩粉體的制備方法，工藝步驟依次為：(1)前驅(qū)體的制備，以V2O5和草酸為原料，V2O5與草酸的重量比為1∶1～1∶3，將所述配比的V2O5和草酸放入反應(yīng)容器并加水，然后在常壓、40℃～70℃進(jìn)行攪拌，直到V2O5和草酸的還原反應(yīng)完成為止，還原反應(yīng)完成后，將所獲溶液蒸干即得到前驅(qū)體草酸氧釩；(2)前驅(qū)體的氨解，將所獲前驅(qū)體草酸氧釩放入加熱爐，在流動氨氣氛圍中加熱至600℃～750℃進(jìn)行氨解，保溫10分鐘～3小時(shí)后關(guān)閉加熱爐電源，保持爐內(nèi)氨氛圍，待分解產(chǎn)物冷卻至100℃以下取出，即獲得納米氮化釩粉體。
四川大學(xué)
2021-04-11
技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
氮化鋁薄膜和高頻濾波器
高效率制備高品質(zhì)氮化鋁薄膜，并研究應(yīng)用于 4G、5G 通信(智能手機(jī)和基站)的高頻濾波器。制備薄膜質(zhì)量高于現(xiàn)有工藝，制備效率提高十倍以上。作為制備濾波器的關(guān)鍵薄膜性能指標(biāo)，薄膜的取向性良好（XRD搖擺曲線半高寬2度左右）， 薄膜表面起伏小于 1 納米；薄膜制備效率比傳統(tǒng)工藝提高 10 倍以上
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14