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根據強化手段的不同，高強化銅合金可分為兩類: 沉淀強化銅合金和彌散強化銅合金。沉淀強化銅合金是利用過飽和固溶體的脫溶沉淀，通過時效熱處理，達到強化效果。但沉淀析出相在高溫下會聚集長大或重新固溶于基體中，隨著強化相的消失，沉淀強化作用也隨之消失，從而限制了這類銅合金的使用溫度和應用范圍。目前被大量使用的鉻鋯銅合金就屬于這一類，其表現為導電、導熱性損失較大，軟化溫度低(僅為500℃) 等。因此，鉻鋯銅合金在做點焊電極材料使用時經常出現變形、粘附、使用壽命不長及熔敷現象，頻繁的整修和更換電極嚴重影響了工作效率的提高。彌散強化銅合金則是通過在金屬基體中引入高度分散的熱穩定性強的第二相質點，阻礙位錯運動，以達到提高強度的目的。而Al2O3粒子硬度高，熱力學和化學穩定性高，熔點高，在接近銅基體熔點的溫度下也不會明顯粗化，可以有效提高合金的高溫強度和硬度。因此，Al2O3彌散強化銅合金可以用在電阻焊電極、集成電路引線框架、微波管結構導電材料、高速列車架空導線、熱核實驗反應堆、連鑄結晶器等方面。本研究開發的Al2O3彌散強化銅合金在保證傳統工藝內氧化、還原徹底性和燒結致密性的前提下簡化了工藝過程降低了生產成本。

本發明公開了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導體輻射探測 器及其制備方法，涉及半導體材料制備的射線成像探測器技術領域。 所述的半導體輻射探測器結構包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸 光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述 吸光層的兩面，兩個電極分別與兩個選擇性電荷接觸層接觸，作為器 件的正極和負極。本發明的半導體輻射探測器具備高靈敏度，環境友 好，穩定等優點。

（專利號：ZL 201410317209.0） 簡介：本發明公開了一種以含鐵冶金塵泥為主要原料制備Fe2O3/Al2O3載氧體的方法，屬于固體廢棄物利用技術領域。該方法通過酸解和pH調節的溶膠凝膠方法在含鐵冶金塵泥中得到含有Fe-Al粒子的溶液，將該溶液氧化得到復合粒子溶液，以此為Fe-Al源進行pH調節，產生兩種元素的氫氧化物沉淀，最后在氧氣或者空氣氣氛下焙燒生成Fe2O3/Al2O3載氧體。與傳統方法相比，該方法制備Fe2O3/Al2

本發明公開了一種海綿狀γ-Bi2MoO6多孔超級納米結構材料的制備方法。稱取3mmoLBi(NO3)3·5H2O，加入1mL?HNO3和9mL?H2O,溶解得溶液A；稱取1mmoL?MoO3，溶解于20mL含有2.5mmol?NaOH的溶液中，得溶液B；將溶液B加入到溶液A中，然后向該反應液加入一定量的十二烷基磺酸鈉；將反應混合液轉移至40毫升帶有聚四氟乙烯內襯的不銹鋼反應釜中，密封后置于烘箱，設置一定的溫度，反應10-15小時；反應結束后，抽濾干燥，即得本發明的海綿狀γ-Bi2MoO6多孔超級納米

課題組與加州大學洛杉磯分校的倪霓課題組聯合研究了Mn-Bi-Te家族的另一成員，MnBi 4

采用高性能200W像素1/2.8英寸CMOS圖像傳感器，低照度效果好，圖像清晰度高 可輸出200萬(1920X1080)@25fps 支持H.265編碼，壓縮比高，超低碼流 支持CVBS/SDI輸出 最大紅外監控距離30米 支持防閃爍，寬動態，3D降噪，強光抑制，背光補償，數字水印，電子防抖，適用不同監控環境 支持H.264H,H.264,H264B,H.265，靈活編碼，適用不同帶寬和存儲環境 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網絡異常，非法訪問，動態檢測，區域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢測，客流量統計，區域人數統計,熱度圖 支持報警2進2出，音頻1進1出，RS485，BNC，128G SD卡，內置MIC 支持DC12V/POE供電方式，支持電源返送，最大電流1A,方便工程安裝 支持IP67防護等級 類別 參數 參數值 外觀 紅外槍 傳感器類型 1/2.8英寸CMOS 最大分辨率 200萬 掃描方式 逐行掃描 電子快門 1/3s~1/100000s;可手動或自動調節 最低照度 0.002Lux(彩色模式);0.0002Lux(黑白模式);0Lux(紅外燈開啟) 信噪比 ＞56dB 最大補光距離 30米 補光燈數量 雙燈 強光抑制 支持 外調焦 支持 鏡頭類型 定焦 鏡頭接口 M12 鏡頭焦距 3.6mm 鏡頭光圈 3.6mm:F1.8 視場角 3.6mm:水平:76°;垂直:46° 對角:80.5° 光圈控制 固定 近攝距 3.6mm：0.9mm 智能 支持 智能功能 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網絡異常，非法訪問，動態檢測，區域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢 測，客流量統計，區域人數統計，熱度圖,并且可以與報警聯動;支持多種觸發規則聯動動作;支持目標過濾

一種納米Ti4O7粉末的制備方法，各原料的重量百分數如下：納米二氧化鈦粉末96％～97％，納米炭黑粉末2.9％～3.9％，芳香醛0.1～1％；工藝步驟如下：(1)將按上述重量百分數計量的納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛放入球磨機中，加入研磨球體和研磨介質在常壓、室溫下進行濕磨分散，當納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛混合均勻后，分離出研磨球體，得混合漿料，繼后將混合漿料在60～80℃進行干燥，干燥時間1～3h；(2)將步驟(1)制備的混合料裝入加熱爐中，在真空條件或通流動惰性氣體的條件下加熱到800℃～1150℃并在該溫度進行還原反應，還原反應的時間為1～4小時，反應時間屆滿后隨爐冷卻至室溫。

“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.

該技術是用鐵泥制備納米尺度 α-Fe 2 O 3 ， 首先，對鐵泥進行改性，使之全部轉化為Fe 2 O 3 ，經酸浸后制得到FeCl 3 ·6H 2 O，然后再進入合成與晶化過程，控制參數得到納米 α-Fe 2 O 3 產品。工藝路線如下：該技術采用水熱法制備 α-Fe 2 O 3 ，可有效控制反應過程，保證成核的均勻性，產品均為納米粒子，輔加表面活性劑會合成不同形貌的納米 α-Fe 2 O 3 。用于多種高端材料的制作原料。