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基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器及制備方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會(huì)
http://www.gxf2npi.xyz
關(guān)鍵詞：
半導(dǎo)體輻射探測(cè)器
所屬領(lǐng)域:
項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè)
器及其制備方法，涉及半導(dǎo)體材料制備的射線成像探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。
所述的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸
光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述
吸光層的兩面，兩個(gè)電極分別與兩個(gè)選擇性電荷接觸層接觸，作為器
件的正極和負(fù)極。本發(fā)明的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器具備高靈敏度，環(huán)境友
好，穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。
項(xiàng)目階段:
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