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鋁合金結(jié)晶組織的微細(xì)化會顯著提高鋁材的強(qiáng)韌性、組織均勻性、致密性、 耐蝕性、加工工藝性和表面質(zhì)量等，并減少偏析和裂紋等諸多鑄造缺陷。目前， 國內(nèi)外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中間合金來細(xì)化晶粒，但 Al-Ti-B 中間合金 126 的形核襯底質(zhì)點(diǎn) TiB2 本身的直徑大小在 0.5-3.0μm，而且往往以較大的聚集團(tuán) 形式存在，如此大的顆粒團(tuán)在加入到鋁合金中后會帶來一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中間合金細(xì)化效果不穩(wěn)定，易衰退，難以滿足鋁制品產(chǎn)品質(zhì)量的要 求。 Al-Ti-C 中間合金之所以細(xì)化效果不穩(wěn)定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶體存在較多碳空位，從而使之失穩(wěn)，且隨 TiCx中碳空位數(shù)量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原來的完全共格逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌耆?格。因此，減少 TiCx中的碳空位是提高其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和生核效率的關(guān)鍵。 研究表明，無空位的 TiC 是鋁的有效生核襯底，在接近凝固點(diǎn)的鋁熔體中， Al 原子能夠依附于其周圍形成一個完全共格的有序區(qū)，最終促進(jìn) α-Al 生核和鋁 晶粒細(xì)化。經(jīng)過長期的研究和探索發(fā)現(xiàn)，TiCx 中的碳空位可以被原子半徑較小 的 B、N 等原子填充，最終形成摻雜型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，從而降低 空位濃度并提高異質(zhì)生核能力。 B 摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金中含有大量直徑在 1μm 以下（亞微米）的 TiCxB1-x 晶核襯底粒子，且彌散分布，當(dāng)將該中間合金以微量（0.15%左右）加 入到待細(xì)化的鋁及其合金熔體中后，立即釋放出大量的亞微米級的摻雜型 TiC 晶核，從而使待細(xì)化鋁合金的晶粒組織得到顯著細(xì)化甚至超細(xì)化（指晶粒直徑 在微米級）。因此，采用摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金對鋁熔體進(jìn)行晶粒細(xì)化處理 將是鋁加工行業(yè)又一次重要的技術(shù)進(jìn)步。

XM-655C錐體外系 ? XM-655C錐體外系左側(cè)半表示皮質(zhì)—紋狀體—蒼白球系，由蒼白球發(fā)出纖維組成豆袢和豆核束，它們分別與紅核、黑質(zhì)、底丘腦核、丘腦核發(fā)生聯(lián)系，右側(cè)半以示皮質(zhì)（額葉、枕葉、顳葉）橋腦—小腦—紅核—脊髓系，部分纖維至丘腦核，由此發(fā)出纖維至運(yùn)動皮質(zhì)，形成環(huán)路。 尺寸：放大，42×45×75cm 材質(zhì)：優(yōu)質(zhì)鐵絲

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保溫材料在高溫爐內(nèi)的作用是在有效使用發(fā)熱元件給予爐內(nèi)熱量的基礎(chǔ)上，以進(jìn)一步節(jié)能降耗，保護(hù)爐體等為目的，所以工業(yè)生產(chǎn)對具有高性能的保溫材料有著迫切的需求。高溫爐目前仍采用傳統(tǒng)的軟炭氈作為爐體內(nèi)部的保溫材料，對于軟炭氈來說，具有隨意拼接以及容易裁剪，柔韌性好，操作方便等優(yōu)點(diǎn)，但是，該材料彈性較大，在爐內(nèi)占有的空間也較大，所以就減小爐內(nèi)的有效體積，降低了生產(chǎn)效率。另一方面，軟炭氈在使用過程中容易產(chǎn)生粉塵，在使用一段時間后短纖維出現(xiàn)脫落、掉塊以及粉化等缺陷，產(chǎn)生的導(dǎo)電炭微粒會造成發(fā)熱體短路，還

TI C5509 C55X DSP教學(xué)實(shí)驗(yàn)箱以TI公司TMS320VC5509A DSP為主處理器，配以儲存器、ADC/DAC、RS232/RS422/I C/SPI/PS2等串口通信總線、LCD/LED/點(diǎn)陣管等顯示設(shè)備以及音頻/蜂鳴器/日歷/溫度/紅外等電路。同時設(shè)備配有EMOD擴(kuò)展接口，增加了實(shí)驗(yàn)的多樣性與創(chuàng)新性。

TI C5515 C55X DSP教學(xué)實(shí)驗(yàn)箱以TI公司TMS320C5515 DSP為主處理器，配以儲存器、ADC/DAC、RS232/RS422/I C/SPI/PS2等串口通信總線、LCD/LED/點(diǎn)陣管等顯示設(shè)備以及音頻/蜂鳴器/日歷/溫度/紅外等電路。同時設(shè)備配有EMOD擴(kuò)展接口，增加了實(shí)驗(yàn)的多樣性與創(chuàng)新性。

本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，旨在提供InVO4/g-C3N4復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進(jìn)行水熱反應(yīng)；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復(fù)合材料。本發(fā)明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。

高倍聚光光伏技術(shù)（HCPV）也稱為第三代光伏技術(shù)，是通過光學(xué)聚光器（聚光倍數(shù)   500-2000）將大面積的太陽光匯聚在很小面積的高效太陽能電池上，而進(jìn)行發(fā)電的一種技術(shù)。 與傳統(tǒng)的晶硅太陽能和薄膜太陽能相比，具有光電效率高、平衡時間短、度電成本低、無污染、壽   命長、土地綜合利用率高等優(yōu)點(diǎn)。 預(yù)計(jì)到 2020 年，HCPV 發(fā)電技術(shù)會成為人類最主要的太陽能發(fā)電方式之一。

根據(jù)我國交通現(xiàn)狀，鐵路運(yùn)輸己遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過航空業(yè)及其它運(yùn)輸行業(yè)成為我國國民經(jīng)濟(jì)的大動脈，是我國基礎(chǔ)建設(shè)的重中之重。 2009 年全世界爆發(fā)經(jīng)濟(jì)危機(jī)，我國領(lǐng)導(dǎo)人果斷利用大量資金投入國民基礎(chǔ)建設(shè)之中，拉動經(jīng)濟(jì)發(fā)展，其中對鐵路及其相關(guān)運(yùn)輸業(yè)的投入尤為明顯。受電弓滑板作為一種在電力機(jī)車與動車組中消耗量大且更換頻繁的零部件，直接影響鐵路交通運(yùn)輸?shù)某杀炯敖?jīng)濟(jì)效益,，所以對受電弓滑板材料的研究與開發(fā)有重大的現(xiàn)實(shí)意義及廣闊的市場前景。但是，作為電力機(jī)車從接觸網(wǎng)上輸入電能的關(guān)鍵部件即受電弓滑板在制備技術(shù)的改進(jìn)和性能的改善等