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超吸熱玻璃的光學性能： 近白玻和天空蘭色、綠色的玻璃配方工藝技術，既可以用現有的傳統浮法玻璃生產工藝生產，也可以用現有的平板壓延法(平拉法或垂直引上法)生產工藝生產，其各項基本技術質量指標都優于現有的浮法平板玻璃和壓延平板玻璃，其光學性能如下：能強烈吸收200-380nm 的紫外線，其吸收率≥99.9%；能吸收800—2500nm的近紅外線，其吸收率≥99.9%；對400—750nm可見光透過率在75%-85%之間，輻射值E≤0.05，(注:LOW-E玻璃E=0.2,鍍金屬反射膜玻璃E=0.6,普通浮法白玻璃E=0.84),成本在原浮法玻璃或壓延平板玻璃的基礎上增加10%-15%；在原浮法玻璃和壓延平板玻璃的配方基礎上稍加調整，添加一定量的UV-IR吸收劑采用本體著色法,不需改動原浮法玻璃或壓延平板玻璃生產工藝即可生產，其光學性能大大優于在線或離線鍍膜LOW-E玻璃，以及目前市面上任何超吸熱玻璃的技術質量指標，具體見國防科技大學物質與材料科學實驗中心和湘潭大學測試中心的檢測報告。幾乎可全部吸收陽光中的VU及IR，阻止它們透過玻璃進入室內，因此大大減低室內制冷的能源需要，達到減排節能的目的。本產品可廣泛用于建筑玻璃和汽車玻璃。 

專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。

本發明提供了一種用于三層結構薄膜的接料裝置，包括接料底板，設置在接料底板的一相對兩側，用于提供粘結膠帶的粘結膠帶組件；設置在接料底板的另一相對兩側，用于對接薄膜整齊對位的膠帶糾偏組件；設置在接料底板上用于接料時固定對接薄膜的壓合組件；以及設置在接料底板上方用于夾持三層結構薄膜各層的夾持組件。本發明實現三層結構薄膜的分層對接，整個裝置結構簡單，操作方便，易于實現。

一種機械疊層ALSB/CIS薄膜太陽電池,屬于一種半導體薄膜太陽電池的結構設計,它是由ALSB頂電池機械疊合在CIS底電池上而成的雙結四端薄膜太陽電池。其中ALSB頂電池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉積N型摻鋁氧化鋅導電層,然后沉積氧化鋅高阻層,再沉積硫化鎘緩沖層,隨后沉積銻化鋁吸收層以及碳納米管涂層作為透明導電層,最后,沉積鎳/鋁柵線而制成的太陽電池;而CIS底電池,指的是在SODA LIME玻璃上沉積鉬,然后沉積吸收層硒銦銅,再沉積緩沖層硫化鎘,隨后沉積高阻氧化鋅和摻鋁氧化鋅,最后沉積與頂電池相同形狀和大小的鎳/鋁柵線而制成的太陽電池。采用上述結構的疊層電池,可以選擇性地吸收和轉化太陽光譜的不同區域的能量,擴展光譜響應的范圍,有效地提高薄膜太陽電池的轉換效率。

其他成果/n本發明公開了一種安裝在汽車進氣系統上的薄膜吸振器，用于消除由進氣系統引起的至少一種車內噪聲，所述汽車進氣系統包括依次連接的進氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開設在所述進氣管振動異常處的開孔以及密封覆蓋在所述開孔外側的薄膜，所述開孔的孔徑小于進氣管的直徑。本發明在不增加進氣系統降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進氣系統低、中、高各頻率段噪聲。

“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.

  巨霍爾效應是納米鐵磁金屬顆粒薄膜中反常霍爾效應的巨大增強現象,是納米材料的新效應,本課題利用巨霍爾效應原理,制備出磁場靈敏度高達125AT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應用于霍爾器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。    本課題的研究,率先將納米體系的新效應巨霍爾效應原理應用于傳感器件領域,制備出具有實用價值的新型納米材料及微型霍爾器件,具有原始創新性。與傳統的半導體霍爾器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應的霍爾器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優點,因此具有更為重要的應用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩定性能優異、抗核輻射等優點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途,市場前景廣闊。   本課題利用巨霍爾效應原理,首次制備出磁場靈敏度高達125VAT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應用于霍爾器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。主要創新點有將稀磁半導體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應用于傳感器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。    主要創新點有將稀磁半導體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應用于傳感器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。相關成果已獲國家發明專利授權九項。    本課題的研究,將巨霍爾效應這一納米體系的新效應應用于器件領域,以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現有霍爾器件的摻雜半導體活性層材料,是一個全新的技術,取得了多項具有原始創新性的技術成果,進一步推進了納米材料在新材料技術、電子信息技術等領域]應用    應用狀況:    與傳統的半導體霍爾傳感器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應的霍爾傳感器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優點,因此具有更為重要的應用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩定性能優異抗核輻射等優點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。

本發明公開了一種氧化鋅基底誘導取向生長的硒化銻薄膜的方 法，其特征在于，該方法是以特定取向的氧化鋅基底誘導生長具有擇 優取向方向的硒化銻薄膜；當氧化鋅基底為(100)取向時，誘導生長出 的硒化銻薄膜是以<、221>、方向為主導生長取向；當氧化鋅基底 為(002)取向時，誘導生長出的硒化銻薄膜是以<、120>、方向為主 導生長取向。本發明中的方法可應用于硒化銻薄膜太陽能電池的制備， 得到相應的硒

通過研究和有機介質薄膜以及金屬化水平的不斷提高，用金屬化薄膜制造高壓大功率電容器取代電解電容器已成為了可能。薄膜電容器具有高頻特性好、損耗小和溫度特性穩定等特點，可以滿足逆變器對電容器性能的要求。

本發明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在 保護氣氛下，首先 450℃～550℃加熱氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅體；然后 500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅體的耐熱載體 1min～6h，使得氮 化碳前驅體氣化并在導電基底表面形成厚度為 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發明通過利用氣相沉積的方法 在導電基底表面修飾