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產(chǎn)品詳細介紹 產(chǎn)品名稱:方桿投影機固定吊架產(chǎn)品型號:X-4365   X-6310全部采用內(nèi)六角螺絲固定 顏色：白色/黑色 設(shè)計極具靈感；可以任意調(diào)節(jié)高度、內(nèi)置走線槽，走線槽隱藏在吊桿內(nèi)部，能將幾乎所有連接線隱藏在內(nèi)部而不用在吊桿內(nèi)攻絲。具有萬向接頭可以任意調(diào)節(jié)投影機角度。安裝簡便；采用鋁質(zhì)材質(zhì)，美觀大方；升縮桿具有5種不同伸縮范圍可供選擇。上下可調(diào)節(jié)范圍：30o，旋轉(zhuǎn)范圍：360o。適用90%以上的投影機。 主要技術(shù)特點：選材精良，堅固可靠；超強兼容，可調(diào)配各種角度和長度，適用90%以上投影機；萬向設(shè)計，調(diào)節(jié)自如。伸縮長度:43-65cm/63-100cm包裝尺寸：31×11×6cm材質(zhì)：鋼材與鋁合金     

非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測器結(jié)構(gòu)，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結(jié)合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設(shè)置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過引線電極與第一基片上對應(yīng)的讀出電路實現(xiàn)電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護層；敏感元電極讀出電路電極的連接。

本發(fā)明公開了一種由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜的制備方法。它的步驟如下：1)將納米聚合物膠囊配制成質(zhì)量百分比濃度為3～7％的水分散液，通過勻膠機在基材表面進行單面或雙面旋涂，形成含納米聚合物膠囊的薄膜；2)將上述含納米聚合物膠囊的薄膜經(jīng)真空高溫干燥，待薄膜中納米聚合物膠囊的核心材料完全揮發(fā)后，納米聚合物膠囊變成了納米聚合物中空粒子，得到由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜。本發(fā)明的制備工藝簡單，通過改變納米聚合物膠囊水分散液的濃度和納米聚合物中空粒子的空腔體積分率可方便有效的調(diào)節(jié)多孔防反射薄膜的厚度和折光指數(shù)，且所制備的多孔防反射薄膜具有較高的機械強度和耐摩擦性能。

本項目主要涉及到一種大面積的米級碳納米管/石墨烯薄膜。本技術(shù)產(chǎn)品可應(yīng)用于智能電發(fā)熱材料， 超輕薄防彈衣材料，電磁屏蔽膜，防火耐腐蝕衣服及涂料，手機散熱材料，復(fù)合結(jié)構(gòu)材料等。本技術(shù)產(chǎn)品 具有世界最輕，最薄，超柔軟可揉搓，高導(dǎo)電導(dǎo)熱的性能，并且具有量產(chǎn)性強，成本低廉的優(yōu)勢。在數(shù)十 個行業(yè)領(lǐng)域具有可革命性的替代能力。本次主要介紹該材料在短期內(nèi)可迅速成果轉(zhuǎn)化的智能電加熱及散熱 方面的技術(shù)應(yīng)用。 縛，真正保持了純天然的特性，使產(chǎn)品的質(zhì)量邁上一個新臺階。 本技術(shù)成果已經(jīng)工業(yè)化應(yīng)用的有高純度肉桂醛、苯甲醛、苯乙酮、1-苯乙醇、藿香油、香茅油、山 蒼子油、澳洲茶樹精油等；應(yīng)用領(lǐng)域涉及石化、化工、食品、醫(yī)藥、日化、香料等行業(yè)。產(chǎn)品的提純用普 通的蒸餾方法或者分子蒸餾難以達到的它能做得到，如肉桂醛≥98%、苯乙酮≥99%、苯甲醛≥99%。本 聯(lián)用技術(shù)在熱敏性物料的精細分離提純中具有十分廣闊的市場。對投資者要求：從事熱敏性組分分離的企 業(yè)，研究所及設(shè)備生產(chǎn)廠家。

本發(fā)明屬于薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種制備ZnO/CuInS2核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜的方法和相關(guān)工藝參數(shù)。該制備方法為媒介模板轉(zhuǎn)換法。首先，采用水熱法，以硝酸鋅(Zn(NO3)2)/六次甲基四胺(HMT)水溶液為生長體系，在ITO導(dǎo)電玻璃上生長ZnO納米棒；然后以硫代乙酰胺(TAA)為反應(yīng)試劑進行水浴，得到ZnO/ZnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜；然后，將所得樣品在硝酸銅(Cu(NO3)2)的三乙二醇(TEG)溶液中靜置一段時間得到ZnO/CuS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜媒介模板；最后，將所得樣品放入氯化銦(InCl3

本發(fā)明公開了一種高取向二氧化釩薄膜的液相制備方法，屬于化學(xué)功能材料領(lǐng)域。該制備方法以三異丙醇氧釩為溶質(zhì)制備前驅(qū)液，將所得前驅(qū)液涂于藍寶石襯底制備前驅(qū)物薄膜，最后將前驅(qū)物薄膜置于真空環(huán)境中燒制而成。本發(fā)明在液相法的基礎(chǔ)上，通過控制真空燒結(jié)條件制備二氧化釩薄膜，所獲得的薄膜均具有良好的生長取向，相變溫度為60°C左右，相變前后電阻率的變化在三個量級以上；且制備工藝簡單，適合大范圍推廣。

本發(fā)明公開了一種溶液法熒光粉膠薄膜涂覆方法及其在晶圓級發(fā)光二極管封裝中的應(yīng)用，屬于 LED 封裝領(lǐng)域。其包含：S1 將熒光粉膠涂覆在 LED 晶圓片上；S2 將 LED 晶圓片置于溫度為 50℃～200℃度的溶液中；S3 待熒光粉膠形貌穩(wěn)定后，將 LED 晶圓片從溶液中取出；S3 將 LED 晶圓片置于溫度在 50℃～200℃下加熱，使殘留在 LED晶圓片和熒光粉膠表面上的溶液蒸發(fā)并將熒光粉膠固化；S5 將晶圓片切割成小芯片單元。本發(fā)明方法操作簡單，成本低，可制備厚度極薄且厚度均勻度大于 0.95 的熒光粉膠薄膜，從而提高 LED 的光效、空間顏色均勻性以及產(chǎn)品一致性。該工藝可以廣泛的應(yīng)用于晶圓級發(fā)光二極管封裝中。

電機系李琦副教授、何金良教授等在《自然·通訊》（Nature Communications）期刊上發(fā)表了題為“基于聚合物-分子半導(dǎo)體全有機復(fù)合材料的高溫電容薄膜”（Polymer/molecular semiconductor all-organic composites for high-temperature dielectric energy storage）的研究論文，首次研制出 200 攝氏度高效介電儲能的全有機復(fù)合薄膜。這類全有機復(fù)合介電材料在 200 攝氏度高溫條件下的介電儲能性能不僅遠超過目前最好的高溫聚合物及聚合物納米復(fù)合介電材料，并接近商業(yè)化聚合物電容薄膜室溫下性能；在大幅提升高溫介電儲能特性的同時還實現(xiàn)了大面積、性能均勻的薄膜制備，為實現(xiàn)薄膜電容器在 200 攝氏度嚴酷溫度環(huán)境下應(yīng)用提供了可能。 聚合物薄膜電容器具有介電強度高、能量損耗低以及自愈性好等優(yōu)點，在全球工業(yè)電容器市場占有率超過其它類型電容產(chǎn)品。然而，聚合物介電材料的絕緣性能對溫度極其敏感，在高溫、高電場作用下泄漏電流呈指數(shù)上升、放電效率急劇下降，最終造成電容器過熱損壞。目前主流商業(yè)薄膜電容器僅在 105 攝氏度以下工作，長期工作溫度低于 70 攝氏度。另一方面，隨著電子器件和電力、能源設(shè)備功率不斷增大以及對小型化和緊湊型功率模塊的持續(xù)追求，電子材料的工作溫度要求快速提高，薄膜電容器介電材料已成為高溫電子器件和設(shè)備的技術(shù)瓶頸。 該論文采用了一種與前期方法截然不同的技術(shù)路線——利用有機光伏中電子受體材料的強得電子能力，實現(xiàn)了在高溫聚合物中構(gòu)筑深電荷陷阱。這種有機分子半導(dǎo)體型的電子受體材料具有極高的電子親和能，被廣泛應(yīng)用于有機光伏中激子在異質(zhì)結(jié)界面高效分離。它們可通過其表面靜電勢分布的極不均勻特性，對自由電子產(chǎn)生強束縛作用。通過向耐熱聚合物中摻雜極少量高電子親和能有機分子半導(dǎo)體制備了全有機復(fù)合高溫介電材料。這類材料在 200 攝氏度和 200kV/mm 電場條件下，電阻率比高溫聚合物提升兩個數(shù)量級以上；200 攝氏度、放電效率90%以上的能量密度是目前最好的聚合物高溫介電材料的 2.3 倍。此外，全有機復(fù)合體系解決了傳統(tǒng)有機-無機復(fù)合體系中高表面能粒子分散不均和引入界面缺陷等問題，在薄膜品質(zhì)和規(guī)模化制備等方面具有顯著優(yōu)勢。

本成果通過有機光電器件中有機薄膜的缺陷態(tài)來揭示： 1. 有機半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級排布或者出現(xiàn)的界面能級釘扎的機理； 3. 缺陷態(tài)的存在對器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機、無機材料摻雜來極大的提高有機半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡單的使用方法來提高有機光電器件的性能。

該成果是一種用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)方法進行低成本的耐高溫二極管制備的技術(shù)，它采用高熔點的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對通入生長腔體中的氣體進行快速分解，通過控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長氣壓等參數(shù)，可以實現(xiàn)不同導(dǎo)電類型的納米硅薄膜的沉積和相關(guān)二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測器和傳感器、光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)光器件等相關(guān)領(lǐng)域。 該成果