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本發(fā)明公開了一種基于電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。其包括電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外發(fā)散平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由其上布有 m×n

本項(xiàng)目采用自研超音速氣流粉碎、分級(jí)與改性一體化系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)粉體的原位改性，即氣流粉碎制備超細(xì)顆粒的同時(shí)對(duì)超細(xì)顆粒進(jìn)行表面改性，合成粉體專用氟碳表面改性劑，采用化學(xué)包覆方法將滅火基料、具有催化、絕緣功能的納米級(jí)粒子和表面改性劑進(jìn)行有序聚合，獲得具有極好的分散性、流動(dòng)性、疏水性、疏油性、絕緣性的微納米復(fù)合型超細(xì)干粉滅火劑。 核心解決問題、核心優(yōu)勢(shì)等： 1.自研超音速氣流粉碎分級(jí)與改性一體化系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)粉體原位改性，大幅度降低生產(chǎn)成本； 2.自行設(shè)計(jì)并合成氟碳表面改性劑，突破粉體疏水、 疏油相矛盾的技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)疏水疏油微納米超細(xì)干粉滅火劑的可控制備，解決抗復(fù)燃性能差和難清理技術(shù)難題。 

本發(fā)明公開了一種用于水泥基材料的磷渣微粉制備方法。選用甲酸鈣、氫氧化鈣中的一種或二種配伍，作為功能調(diào)節(jié)劑，其制備方法如下：將黃磷電爐實(shí)時(shí)產(chǎn)生的熔融磷渣直接排入摻有功能調(diào)節(jié)劑的水溶液中進(jìn)行水淬浸泡處理后，送入電烘干機(jī)烘干，然后進(jìn)入立磨設(shè)備進(jìn)行粉磨，制得成品。功能調(diào)節(jié)劑水溶液中的鈣離子結(jié)合磷渣中引起水泥基材料緩凝的組分，形成難溶性沉淀物；浸泡在功能調(diào)節(jié)劑水溶液中的磷渣顆粒表面均勻附著上甲酸鈣/氫氧化鈣，將有助于激發(fā)摻有磷渣水泥基材料的早期水化活性。該方法相對(duì)于在機(jī)械粉磨磷渣過程中添加活化改性劑或活性激發(fā)

本發(fā)明涉及一種熱軋高強(qiáng)度微合金化鋼及其制備方法。其技術(shù)方案是：先將鋼坯加熱至1250~1300℃，再進(jìn)行熱軋，開軋溫度大于1150℃，精軋出口溫度為860~880℃；然后對(duì)軋后鋼板以40~50℃/s的冷卻速度冷卻至650~680℃，再以5~10℃/s的冷卻速度冷卻至560~580℃，最后空冷至室溫，制得熱軋高強(qiáng)度微合金化鋼。所述鋼坯的化學(xué)成分及其含量是：C為0.04~0.06 wt%，Si為0.30~0.45 wt%，Mn為1.70~1.85 wt%，Ti為0.15~0.20wt%，Nb為0.06~0.08 wt%，P<0.008 wt%，S<0.002 wt%，N<0.004 wt%，其余為Fe及不可避免的雜質(zhì)。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、成本低廉和易于工業(yè)化生產(chǎn)的特點(diǎn)，所制備的熱軋高強(qiáng)度微合金化鋼力學(xué)性能優(yōu)良。 （注：本項(xiàng)目發(fā)布于2015年）

基于平面鏡反射的微懸臂梁偏轉(zhuǎn)檢測(cè)新技術(shù)采用在檢測(cè)系統(tǒng)外添加平面鏡的手段，進(jìn)一步提高了微懸臂梁檢測(cè)的精確度，并且實(shí)現(xiàn)了同時(shí)對(duì)多根梁的往復(fù)檢測(cè)、實(shí)時(shí)檢測(cè)。不僅有效的避免了因移動(dòng)系統(tǒng)元件導(dǎo)致巨大誤差的缺點(diǎn)；而且極大地提高了檢測(cè)的效率。該新技術(shù)具有檢測(cè)精度高、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、生產(chǎn)周期短、成本相對(duì)較低、易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化、具有顯著的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。 國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)：201420094273.2（授權(quán)），201410075534.0（實(shí)質(zhì)審查）

本發(fā)明公開了一種聚乙烯蠟微粉的制備方法，包括如下步驟：（1）原料的熔化與輸送：采用加熱裝置制備聚乙烯蠟料液，保溫齒輪泵將所述聚乙烯蠟料液通過管道輸送到位于噴霧造粒塔內(nèi)部的霧化器處，所述管道和除去噴孔外霧化器的其他部分需整體保溫；（2）壓縮空氣和霧化：空氣壓縮機(jī)提供的壓縮空氣經(jīng)過另一路管道輸送至霧化器，與具有壓力的所述聚乙烯蠟料液相互匹配，將所述聚乙烯蠟料液充分霧化，霧化后的霧滴在造粒塔內(nèi)冷卻固化為微粉；（3）產(chǎn)品的收集：收集裝置收集冷卻固化后的微粉，即得產(chǎn)品。本發(fā)明還公開了一種噴霧造粒系統(tǒng)，用于聚乙烯蠟微粉的制備。本發(fā)明所述方法能耗低、操作簡(jiǎn)便且安全可靠且制得的產(chǎn)品粒度小。

本項(xiàng)目通過合理的膜液配方與紡絲工藝設(shè)計(jì)，制備出完整無缺陷的非對(duì)稱性PVDF中空纖維膜，這種膜結(jié)構(gòu)沒有大孔生長(zhǎng)，因此表現(xiàn)出高度的完整性、微觀結(jié)構(gòu)的圴勻性、具有高開孔率的膜表面分離層、可靠的機(jī)械性能和較強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性。得到的中空纖維膜具有完整非對(duì)稱多孔結(jié)構(gòu)，膜孔從皮層到支撐層逐步增大，而且呈互穿的胞腔狀或網(wǎng)絡(luò)狀。膜通量提高了30～50%，且具有耐污染和易清洗的突出優(yōu)勢(shì)；由于徹底消除了支撐層中的大孔，膜絲的拉伸強(qiáng)度從2.5 MPa提高到4.5MPa。

儀器概述  本儀器是采用動(dòng)態(tài)微庫侖法原理分析技術(shù)，根據(jù)法拉第定律采用計(jì)算機(jī)控制微庫侖滴定的最新產(chǎn)品，符合SH/T0253、SH/T0222、SH/T1147、GB/T11061.4、GB/T3208、 GB/T18612、ASTM5808、SH/T1757、ASTM4929等標(biāo)準(zhǔn)。適用于輕油、輕烴（氣體）或重油等石油產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于石油、化工、環(huán)保、商檢、科研等監(jiān)測(cè)領(lǐng)域中樣品的總硫或氯含量的精確分析； 技術(shù)參數(shù) 1、工作電源：AC220V±10% 50HZ 整機(jī)功耗：不大于3KW 2、測(cè)量范圍：硫：0.1ppm～5000ppm～百分含量                      氯：0.2ppm～5000ppm～百分含量 3、可測(cè)樣品狀態(tài)：固體、液體、氣體（選配相應(yīng)進(jìn)樣器,標(biāo)配為液體進(jìn)樣） 4、推薦進(jìn)樣量：固體：≧5mg 液體：1到100ul  氣體：2到5ml 5、控溫范圍及精度：室溫～1050℃，±1℃  6、重復(fù)性誤差： X＜1.0ppm  Cv≤±0.2ppm 7、1.0ppm≤X≤10ppm  Cv≤±10%      X＞10ppm    Cv≤±5%  8、增益及采樣電阻：自動(dòng)調(diào)節(jié) 9、偏壓：0到500mV  連續(xù)可調(diào)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) 性能特點(diǎn) 1、儀器采用Windows操作系統(tǒng)，USB通信技術(shù)，人機(jī)直接對(duì)話，實(shí)現(xiàn)了偏壓全時(shí)監(jiān)測(cè)，便于用戶操作 2、自主研發(fā)的操作軟件和測(cè)試軟件，自動(dòng)完成數(shù)據(jù)采集、處理、貯存和打印3、測(cè)試樣品少，每次僅需8μl，測(cè)試時(shí)間快，每一試樣上機(jī)測(cè)試時(shí)間約為（1～2）分鐘 4、增益和采樣電阻由原來的人工調(diào)節(jié)改為自動(dòng)調(diào)節(jié)，提高了檢測(cè)靈敏度 5、儀器采用風(fēng)冷散熱，風(fēng)扇自動(dòng)開關(guān)，關(guān)機(jī)降溫不需要有人值守 6、儀器采用獨(dú)立的溫度控制系統(tǒng)。采用宇電的全自動(dòng)溫度控制器，故障率接近零 7、電解池采用304不銹鋼電極帽，可以長(zhǎng)期使用，避免被電解液腐蝕 8、計(jì)算機(jī)控制整個(gè)分析、數(shù)據(jù)處理等過程，顯示全過程工作狀態(tài)和數(shù)據(jù)峰形，根據(jù)需要可將參數(shù)數(shù)據(jù)和峰形存盤或打印 網(wǎng)址鏈接 http://www.csscyq.com/proshow.asp?id=828

本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法，包括由多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串構(gòu)成的存儲(chǔ)串陣列； 每個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲(chǔ)層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，