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一種用于超級電容器電極
材料
的納米
氧化
鎳的制備方法及其制備的納米
氧化
鎳
本發(fā)明公開了一種用于超級電容器電極材料的納米氧化鎳的制備方法及其制備的納米氧化鎳,首先將NiCl2·6H2O與氯化膽堿基深共熔溶劑混合,得到質(zhì)量濃度為10~30g/L的溶液Ⅰ;加熱至120~150℃,將100~300份的去離子水與1000份溶液Ⅰ混合,反應(yīng)0.5~2h,經(jīng)離心分離得到沉淀物,再經(jīng)洗滌、干燥、煅燒后,得到所述的納米氧化鎳。本制備方法條件溫和、耗時短,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn);制備得到的花狀納米NiO的晶粒粒徑小于10nm,粒徑分布均勻且比表面積大,以其作為電極材料制備的超級電容器,具有較高的可逆容量和循環(huán)性能,3000次充放電循環(huán)后比容量仍穩(wěn)定在460F/g附近。
浙江大學(xué)
2021-04-11
二
次鋁灰提取工業(yè)用
氧化
鋁的高值資源化工藝
上海交通大學(xué)
2021-04-11
用于煙氣脫硫的伽瑪型三
氧化
二
鋁膜改性污泥活性炭
本發(fā)明公開了一種脫硫用伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭,其原料組分為ALCL3·6H2O和污水處理廠污泥;制備步驟如下:①制備AL(OH)3溶膠;②制備污泥活性炭;③制備伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭。本發(fā)明應(yīng)用于對低濃度的煙氣脫硫,有益效果是,首次將伽瑪型三氧化二鋁膜用于改性污泥活性炭的脫硫性能,有效提高了污泥活性炭的脫硫效率。
天津城建大學(xué)
2021-01-12
應(yīng)用于低濃度煙氣脫硫的伽瑪-三
氧化
二
鋁復(fù)合膜
本發(fā)明公開了一種γ-Al2O3復(fù)合膜及其對煙氣脫硫的應(yīng)用,包括K2O/γ-Al2O3與K2O/B2O3/γ-Al2O3復(fù)合膜及其對煙氣脫硫的應(yīng)用,其原料組分為AlCl3·6H2O與KOH及H3BO3,采用下述方法制備:①制備Al(OH)3溶膠;②制備K2O/γ-Al2O3復(fù)合膜或制備含硼的復(fù)合溶膠;③制備K2O/B2O3/γ-Al2O3復(fù)合膜;采用常規(guī)的脫硫裝置和常規(guī)的脫硫方法,采集經(jīng)過γ-Al2O3復(fù)合膜脫硫的低濃度SO2混合氣體,應(yīng)用碘量法滴定該低濃度SO2混合氣體的吸收液,通過計算得出γ-Al
天津城建大學(xué)
2021-01-12
氧化
鋯-
氧化
鋁-碳纖維
氧化鋯纖維成果轉(zhuǎn)化 本項目涉及從原料的合成、纖維及其制品的制備以及相關(guān)設(shè)備等系列專利群,具有獨立自主知識產(chǎn)權(quán),該發(fā)明專利群不僅在技術(shù)上處于國際領(lǐng)先水平,還可轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力,形成具有高附加值的產(chǎn)品,產(chǎn)生經(jīng)濟價值和社會效益。本項目在國內(nèi)外沒有先例可借鑒,從工藝到設(shè)備大都是自主研發(fā)設(shè)計,投入的人力、物力和時間非常大。已在山東德艾普節(jié)能材料有限公司實施轉(zhuǎn)化。 由于氧化鋯纖維具有極低的高溫導(dǎo)熱系數(shù)和耐溫性,決定了氧化鋯纖維及其制品在超高溫隔熱領(lǐng)域具有及其廣泛的應(yīng)用市場前景。主要應(yīng)用包括高溫電爐、退火爐、單晶爐、中高頻感應(yīng)爐以及氣氛爐等的高溫面的隔熱。1600度以上的保溫,每年具有幾千噸的市場需求,可產(chǎn)生上百億的經(jīng)濟價值。 《氧化鋁特種陶瓷材料及相關(guān)應(yīng)用》成果轉(zhuǎn)化 該專利技術(shù)成果主要涉及的是氧化鋁微晶陶瓷磨料(S-G磨料)和氧化鋁基陶瓷纖維的“溶膠-凝膠”法制備及其相關(guān)應(yīng)用等,已在山東東珩膠體材料有限公司實施轉(zhuǎn)化。 氧化鋁特種陶瓷材料及相關(guān)應(yīng)用市場需求大,技術(shù)轉(zhuǎn)化條件成熟,具有良好的轉(zhuǎn)化前景。微晶陶瓷磨料(S-G磨料)和氧化鋁纖維在國際上已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用和推廣,尤其是在軍事材料、航空航天材料。目前國內(nèi)還是空白,但是以美日為首的西方發(fā)達國家對我國進行技術(shù)封鎖、材料禁止買賣,限制我國先進制造業(yè)、航空、航天等方面的發(fā)展,陳代榮教授團隊研究的氧化鋁特種陶瓷材料將會填補國內(nèi)空白,打破美日等國對我國的技術(shù)封鎖,實現(xiàn)氧化鋁陶瓷材料在軍事、航空、航天、人民生活用品等方面的廣泛應(yīng)用。 碳纖維復(fù)合芯架空導(dǎo)線 碳纖維復(fù)合芯導(dǎo)線是一種新型節(jié)能型增容導(dǎo)線,具有質(zhì)輕,高強、耐腐、抗疲勞、弧垂變化小、安全節(jié)能等優(yōu)點,同時可以實現(xiàn)倍容輸電,并具有自融冰功能,可以減少輸電回路,提高架線土地利用率,降低線路改造成本,是原有鋼芯鋁絞線的最佳替代品。適用于高地質(zhì)災(zāi)害、大跨越、城網(wǎng)改造升級、沿海等高腐蝕區(qū)域以及超高壓和特高壓輸電,有助于構(gòu)造安全、環(huán)保、高效節(jié)約型輸電網(wǎng)絡(luò)。 本產(chǎn)品以高性能碳纖維及山東大學(xué)自主研發(fā)的耐高溫特種樹脂為原料,具有獨特的防劈裂結(jié)構(gòu)設(shè)計,以先進的自動化拉擠機組為硬件保障,產(chǎn)品性能指標達到國際領(lǐng)先水平,六家合作企業(yè)掛網(wǎng)業(yè)績已達3萬公里。曾獲國家能源科技進步一等獎,山東省科技進步一等獎等獎項。 碳纖維系列成果還有碳纖維復(fù)合材料抽油桿、單兵防護、碳纖維復(fù)合材料高壓氣瓶、碳纖維復(fù)合材料三維編織體等,成熟度基本都可以量產(chǎn)。
山東大學(xué)
2021-05-11
—
二
氨基
二
苯醚
一、項目簡介本品為白色結(jié)晶(粉末),熔點是1860℃,不溶于水,易溶于鹽酸。其工藝特點是用毒性低的非質(zhì)子極性溶劑代替毒性大的硝基苯;與目前工藝相比,反應(yīng)溫度底,反應(yīng)時間短;收率高。二、市場前景本品是重要的化工原料。可以合成耐熱性塑料聚酰亞胺樹脂、聚馬來酰亞胺樹脂、聚酰胺—聚亞胺樹脂、聚酯—聚亞胺樹脂等。亦可作環(huán)氧樹脂,纖維素樹脂的交聯(lián)劑。與其它交聯(lián)劑相比具有交聯(lián)率高,交聯(lián)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定;加工安全性大,使用方便,加入聚合物后的有效使用期適中,既不過早,也不過遲;能顯著提高聚合物的耐熱性,耐油性,耐磨性。隨著電氣電子設(shè)備質(zhì)量要求的提高,本品的需求量也會越來越大。
河北工業(yè)大學(xué)
2021-04-13
通訊波段碳
化硅
色心的室溫自旋操控
郭光燦院士團隊的李傳鋒、許金時、王俊峰等人與其合作者在國際上首次實現(xiàn)了碳化硅中氮-空位(NV)色心的室溫相干操縱,并且實現(xiàn)了單個NV色心的可控制備和光探測磁共振譜的探測。這種色心的發(fā)光波長在通訊波段,在量子通信和量子網(wǎng)絡(luò)中具有重要用途,基于這種色心自旋的量子器件十分適合光電集成以及產(chǎn)業(yè)化。該成果于2
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-01-12
一種氮
化硅
微米管制造方法
本發(fā)明公開了一種氮化硅微米管的制備方法,該方法將去除保 護層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300~600℃的溫度區(qū)間內(nèi) 熱解,使光纖表面形成均勻厚度的碳膜;再將光纖在氮氣條件下以 1100~1600℃的溫度區(qū)間高溫加熱,使碳膜與光纖表面的二氧化硅產(chǎn) 生反應(yīng)生成硅,然后硅與氮氣發(fā)生反應(yīng)在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉,形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進行混合,使氮化硅微米管增強導(dǎo)電性,然后在其中 加入熱熔型粘結(jié)劑形成混合物,再均勻涂在洗凈的銅箔表面,可得到 氮化
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種
二
維
材料
的折疊系統(tǒng)及其使用方法
本發(fā)明公開了一種二維材料的折疊系統(tǒng)及其使用方法。在襯底上放置二維材料;將熱釋放膠帶的黏性面粘在折紙臂上。通過顯微鏡筒,操控XYZR四軸微調(diào)平臺和XYZ三軸微調(diào)平臺,使得熱釋放膠帶的另一面對準二維材料后,向下移動折紙臂,使得熱釋放膠帶與二維材料緊密接觸并粘合;抬起折紙臂,使得二維材料部分從襯底剝離;橫向移動折紙臂,對二維材料進行形變彎折;向下移動折紙臂并施加一定的壓力,對獲得的結(jié)構(gòu)進行定型;加熱折紙臂上的熱釋放膠部分,對二維材料進行釋放;釋放后,向上移動折紙臂,獲得經(jīng)過折疊的二維材料;重復(fù)該操作,獲得所需折疊結(jié)構(gòu)。本發(fā)明系統(tǒng)可操作性強,可獲得多種折紙結(jié)構(gòu)。
東南大學(xué)
2021-04-11
有機電荷轉(zhuǎn)移分子調(diào)控
二
維
材料
電學(xué)特性研究
已有樣品/n使用有機電荷轉(zhuǎn)移分子F4TCNQ與MoS2結(jié)合形成范德華界面,通過F4TCNQ與MoS2之間的電荷轉(zhuǎn)移來降低溝道內(nèi)無柵壓情況下的載流子濃度。MoS2晶體管的開啟電壓(Von)從負數(shù)十伏被調(diào)制至0伏附近,F(xiàn)4TCNQ并未導(dǎo)致MoS2晶體管包含遷移率在內(nèi)的任何電學(xué)性能的下降,其亞閾值擺幅(SS)反而明顯提升。團隊成員通過第一性原理計算以及掃描開爾文探針顯微鏡表征證實了范德華界面處電荷轉(zhuǎn)移的存在性,并研究了F4TCNQ對Mo
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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