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微電子芯片關(guān)鍵尺寸測(cè)試/分析系統(tǒng)
微電子芯片結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸（CD）的測(cè)試，是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實(shí)現(xiàn)能否滿足設(shè)計(jì)要求的關(guān)鍵測(cè)試/分析技術(shù)。該技術(shù)（OCD）的產(chǎn)業(yè)化在國(guó)內(nèi)還是空白，目前我們的系統(tǒng)研究可PK國(guó)際先進(jìn)水平，并已具備產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的能力。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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一種芯片拾放控制方法
本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對(duì)其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過(guò)程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速,減小了減速過(guò)程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高集成度光通信芯片
哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）電子與信息工程學(xué)院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對(duì)光通信芯片集成度受限的問(wèn)題，通過(guò)光波導(dǎo)模場(chǎng)的精細(xì)調(diào)控，在實(shí)現(xiàn)多模波導(dǎo)低損耗和低串?dāng)_的同時(shí)，將關(guān)鍵器件的尺寸縮小了1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復(fù)用信號(hào)的任意緊湊布線，使多模光學(xué)系統(tǒng)的大規(guī)模片上集成成為可能。該成果將進(jìn)一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計(jì)算、量子信息等眾多高新領(lǐng)域中加速發(fā)展和應(yīng)用。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
光電探測(cè)量子芯片產(chǎn)業(yè)化
用于量子保密通信、近紅外探測(cè)成像、高速量子光通信、激光雷達(dá)探測(cè)。 針對(duì)單光子探測(cè)需求，提取關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，通過(guò)多次半導(dǎo)體器件仿真優(yōu)化，最終得到外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。結(jié)合 13 所 自主外延生長(zhǎng)技術(shù)與精準(zhǔn)的鋅擴(kuò)散方案，最終實(shí)現(xiàn)較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經(jīng)成功達(dá)到量子保密通信中單光子探測(cè)需求，并在安徽問(wèn)天量子技術(shù)有限公司的產(chǎn)品中得到應(yīng)用。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
一種廣譜成像探測(cè)芯片
本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測(cè)芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進(jìn)入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見(jiàn)光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多頂針芯片剝離裝置
本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機(jī)構(gòu)， 安裝于 Z 向升降機(jī)構(gòu)上并連接旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍(lán)膜上芯片的外緣實(shí)現(xiàn)預(yù)頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)， 連接多頂針主體機(jī)構(gòu)，用于先后驅(qū)動(dòng)外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動(dòng)作；Z 向升降機(jī)構(gòu)，安裝于三自由度微調(diào)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)上，停 機(jī)狀態(tài)時(shí)其處于下降位置，工作狀態(tài)其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準(zhǔn)備；三自由度微調(diào)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，用于對(duì)多頂針主體機(jī)構(gòu)進(jìn)行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié)，芯片受力均勻，有效減少剝離過(guò)程中的芯片失效。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對(duì)硅晶圓進(jìn)行局部減薄，對(duì)減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機(jī)械強(qiáng)度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝，相對(duì)于傳統(tǒng)的利用支撐基底來(lái)減薄芯片的方法，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機(jī)械研磨工藝來(lái)進(jìn)行減薄，所以不會(huì)因?yàn)闄C(jī)械研磨對(duì)硅晶圓造成的輕微震動(dòng)而使厚度不能減得過(guò)小，通過(guò)本發(fā)明可以使芯片減薄到比機(jī)械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種 RFID 電子標(biāo)簽在線檢測(cè)方法及裝置
本發(fā)明公開了一種 RFID 電子標(biāo)簽在線檢測(cè)方法，具體為：在 對(duì)工位進(jìn)行RFID芯片封裝過(guò)程中，實(shí)時(shí)建立該工位內(nèi)的 RFID芯片ID 號(hào)與標(biāo)簽位置的映射關(guān)系；工位封裝完成后，同時(shí)讀取該工位內(nèi)的所 有 RFID 芯片 ID，將讀取的 RFID 芯片 ID 與該工位內(nèi)的 RFID 標(biāo)簽 ID 與 RFID 標(biāo)簽位置的映射關(guān)系進(jìn)行比對(duì)，確定讀取缺失的 ID，其對(duì)應(yīng) 的標(biāo)簽即為次品。本發(fā)明還提供了一種 RFID 電子標(biāo)簽在線檢測(cè)裝置， 包括 X 向進(jìn)給機(jī)構(gòu)、Y 向進(jìn)給機(jī)構(gòu)、讀寫器、處理器、打標(biāo)機(jī)構(gòu)、夾 持機(jī)構(gòu)以及屏蔽罩。本發(fā)明能同時(shí)完成多個(gè)標(biāo)簽讀寫與標(biāo)記功能，適 用于多行多列 RFID 標(biāo)簽在線檢測(cè)，不僅能大幅提高檢測(cè)效率，而且 自動(dòng)化程度高、穩(wěn)定、可靠。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種使用共面倒 F 天線的激光全息 RFID 標(biāo)簽
本實(shí)用新型公開了一種激光全息RFID標(biāo)簽，包括RFID標(biāo)簽（50）和貼在其上的激光全息膜（10），其中，該 RFID 標(biāo)簽（50）包括共面倒 F 天線（510）、基板（520）和 RFID 芯片（530），所述共面倒 F 天線（510）制作在基板（520）上，所述 RFID 芯片（530）貼裝在該共面倒 F 天線（510）上。本實(shí)用新型的激光全息 RFID 標(biāo)簽?zāi)軌蜻m用于超高頻和微波頻段，其中的激光全息膜可采用金屬反射層或非金屬反射層，形狀和尺寸大小不受限制，與 RFID 標(biāo)簽的復(fù)合方法簡(jiǎn)單方便。
華中科技大學(xué)
2021-01-12
一種偶極子天線及使用該天線的 RFID 標(biāo)簽
本實(shí)用新型提出了一種偶極子天線及使用這種天線的 RFID 標(biāo)簽。該天線包括彎折偶極子（11）和感應(yīng)線圈（12），兩者通過(guò)感應(yīng)耦合方式間接連接或直接電連接方式連接，所述彎折偶極子（11）包括兩部分，該感應(yīng)線圈（12）設(shè)置在彎折偶極子（11）兩部分中間，感應(yīng)線圈 12 上設(shè)置有饋電點(diǎn)（111）（112），用于連接芯片。該標(biāo)簽包括所述天線、基板和芯片。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于制造，具有較大的增益和帶寬，能夠方便的調(diào)節(jié)阻抗和諧振頻率，并能夠適應(yīng)多種應(yīng)用環(huán)境的小型化偶極子天線。
華中科技大學(xué)
2021-01-12