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面向日益復雜多樣的電子產(chǎn)品應用場景，電子設備的小型化進程不斷加快，對于高集成、多模式、多功能的芯片需求飛速高漲。本項研究成果針對生物醫(yī)療電子、個人無線體域網(wǎng)、近距離無感支付、車載定位、戰(zhàn)場實時感知、無人機導航等應用需求，提出一種超寬帶無線通信兼具FMCW雷達測距的復合型收發(fā)機創(chuàng)新性結構。收發(fā)機采用超寬帶射頻調(diào)頻+可再生型鑒頻技術，實現(xiàn)通信及雷達的共架構方案；提出多相中頻時差測距機理，將分辨率提高2個數(shù)量級，達到mm級精確測距，動態(tài)范圍擴大4倍；射頻前端基于電流共享技術，實現(xiàn)射頻振蕩器+功放、低噪放+鑒頻+混頻的一體化實現(xiàn)，系統(tǒng)功耗優(yōu)化40%；提出子載波發(fā)生器+頻率校正環(huán)路的數(shù)字化復用結構，發(fā)射機可半數(shù)字化實現(xiàn)，從而得到一款支持無線數(shù)據(jù)傳輸、時差/頻差/相差雷達測距的極低功耗復用型收發(fā)芯片。 圖1.研制的通信+雷達集成收發(fā)機芯片顯微照片

一種三維量子阱結構光電裸芯片，屬于一種量子阱結構光電裸芯片，解決現(xiàn)有三維量子阱結構光電裸芯片工作面積有限、工藝復雜、成本高的問題。本實用新型自下而上包括：襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層、p 型層，所述襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層和 p 型層表面形狀走向一致，均為均勻分布的凸臺陣列或者均勻分布的凹槽陣列，或者均勻分布的相間的凸臺和凹槽所構成的陣列。本實用新型增大了襯底層工作面積，在其上直接生長一層緩沖層來進行應力與晶格匹配，克服了工作面積與襯底面積之比較低所帶來的量子轉換效率低的問題；本實用

本實用新型公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構，包括LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹腔內(nèi)涂覆有

本發(fā)明公開了一種可尋址測量局域波前的成像探測芯片，包括可尋址加電液晶微光學結構、面陣可見光探測器和驅(qū)控預處理模塊；液晶微光學結構被劃分成可獨立施加電驅(qū)控信號的多個液晶微光學塊，各液晶微光學塊具有相同的面形和結構尺寸，被加電液晶微光學塊為液晶微透鏡陣列塊，其余未加電液晶微光學塊為液晶相移板塊；被液晶微光學塊化的液晶微光學結構將與其對應的面陣可見光探測器劃分成同等面形和規(guī)模的面陣可見光探測器塊，并且各面陣可見光探

本發(fā)明屬于芯片貼裝設備相關領域，并公開了一種面向芯片的 倒裝鍵合貼裝設備，包括晶元移動單元、頂針單元、大轉盤單元、小 轉盤單元、基板進給單元)、貼裝運動單元，以及作為以上各單元安裝 基礎的支架等，其中晶元移動單元可對晶元盤實現(xiàn)三自由度運動并實 現(xiàn)晶元的供給;大轉盤單元將脫離晶元盤的芯片精度轉移至吸嘴上， 然后由小轉盤單元對芯片逐一拾取;基板進給單元實現(xiàn)貼裝基板的進 給運動，貼裝運動單元則將拾取完芯片的小轉盤運動至基板貼裝位置， 最終實現(xiàn)芯片的貼裝。通過本發(fā)明，各個模塊單元之間相互聯(lián)系，共 同協(xié)作，顯

基于事件驅(qū)動方式的仿生視覺圖像傳感器，用于高速場景的拍攝 一、項目分類 關鍵核心技術突破、顯著效益成果轉化 二、成果簡介 隨著虛擬現(xiàn)實（VR）、增強現(xiàn)實（AR）和混合虛擬增強現(xiàn)實（MR）技術、自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)以及機器視覺等領域的飛速發(fā)展，對圖像傳感器的采集速度提出了更高的要求。傳統(tǒng)基于“幀”掃描形式的CMOS 或 CCD 圖像傳感器較難滿足高速運動物體的拍攝需求，若提高相機的圖像采集幀率，則需要采用高性能且結構復雜的模數(shù)轉換器，大量的圖像會帶來較大的數(shù)據(jù)冗余，此外，也會面臨功耗高的問題。 相比于傳統(tǒng)的光電和圖像傳感器，生物視網(wǎng)膜具有許多不可比擬的優(yōu)勢。視網(wǎng)膜中的光感受器可根據(jù)外界光強的變化自適應調(diào)節(jié)增益，能夠感知超過 180dB 的光強范圍。另外，視網(wǎng)膜基于事件驅(qū)動式的采集方式，僅輸出場景中光強發(fā)生變化的信息，因而，能夠濾除低頻信息帶來的冗余。在信號處理和傳輸上，采用異步通信的方式，通過神經(jīng)節(jié)細胞將光強信息轉換為時空脈沖信號，實現(xiàn)低功耗。 受到生物視網(wǎng)膜的啟發(fā)，研究人員提出了基于事件驅(qū)動方式的仿生視覺圖像傳感器，用于高速場景的拍攝。該類傳感器多采用對數(shù)像素電路作為光強探測單元，因其動態(tài)響應范圍寬，可隨機讀取。然而，對數(shù)電路在弱光環(huán)境下靈敏度低，幾乎沒有光響應，即仍然無法模仿視網(wǎng)膜弱光下的高靈敏度，除此之外，其輸出受到 (Fixed Pattern Noise，F(xiàn)PN)的影響，降低了圖像質(zhì)量。 我們提出了一種兼容 CMOS 工藝的光敏二極管體偏置場效應晶體管器件(PD- body biased MOSFET，簡稱 PD-MOS)，其結構圖和等效電路如圖 1所示。 利用 PD 的感光特性以及 MOSFET 的正向襯底偏置效應實現(xiàn)集成光強探測及信號放大于一體的光電器件。該器件可解決對數(shù)電路在弱光下靈敏度低的問題，并且提出了一種明暗傳感器的方案以降低噪聲。設計成像測試方案并搭建靜態(tài)圖像采集測試系統(tǒng)，實現(xiàn)靜態(tài)顯示，通過 MTALAB 進行圖像恢復從而實現(xiàn)動態(tài)圖像顯示功能。   圖 1 (a) PD-MOS 器件結構及其 (b) 等效電路圖 經(jīng)過商用 180nm CMOS 工藝流程制備后的器件概貌如圖 2 所示，圖 (a) 為三種不同像素設計的芯片實物圖，從上至下分別為環(huán)形結構、條形結構及對數(shù)像素電路，將其中的環(huán)形結構在顯微鏡下放大觀察可看到圖 (b) 所示的形貌，圖 (c) 為4個像素的顯微圖。   圖 2 (a) PD-MOS 成像陣列芯片的實物圖，(b) 環(huán)形結構芯片在顯微鏡下的放大圖以及 (c) 環(huán)形結構像素放大圖 上位機實時顯示效果如圖3所示，可以明顯看出兩根頭發(fā)相交。子圖 (a) 為暗態(tài)時的 100 幀平均灰度圖，子圖 (b) 為暗態(tài)時的曲面圖，子圖 (c) (e) (g) (i) 為光態(tài)下的圖，子圖 (d) (f) (h) (j) 為光態(tài)下的圖像數(shù)據(jù)減去暗態(tài)下圖像數(shù)據(jù)的降噪圖，可以發(fā)現(xiàn)在30nw/cm2 輻照度下已經(jīng)出現(xiàn)頭發(fā)的輪廓，當輻照度繼續(xù)增加，頭發(fā)的輪廓越來越清晰，當輻照度達到 3mw/cm2，仍然可以看到頭發(fā)的輪廓。   圖 3 陣列芯片采集的圖像 不同于傳統(tǒng)計算機視覺系統(tǒng)的圖像采集方式，生物視覺系統(tǒng)的成像由視野場景中發(fā)生的事件觸發(fā)，且生物視網(wǎng)膜具有寬動態(tài)響應范圍、超低功耗以及異步傳輸?shù)忍攸c，這為仿生視覺系統(tǒng)的研究提供了全新的思路。隨著物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛以及安防等領域的快速發(fā)展，它們對高速動態(tài)圖像傳感器的需求也日益提升。近些年，針對這些需求，研究人員提出了一種用于采集高速動態(tài)信息的類視網(wǎng)膜相機，成為了一大熱點研究方向。類視網(wǎng)膜相機的工作原理模擬了生物視網(wǎng)膜事件驅(qū)動型的采集方式及異步型的傳輸模式，為動態(tài)視覺成像提供了硬件基礎。綜上，該類傳感器的研究具有十分重要的科研意義和深遠的經(jīng)濟價值。

項目簡介： 發(fā)展自主知識產(chǎn)權的北斗衛(wèi)

微晶玻璃腔體是激光陀螺的重要元件和組成部分，為了降低對進口材料的依賴程度、提高國產(chǎn)化水平，對國產(chǎn)微晶玻璃腔體在激光陀螺批量化生產(chǎn)中的可行性進行分析，主要研究內(nèi)容包括：國產(chǎn)微晶玻璃的制造工藝；采用國產(chǎn)微晶玻璃腔體與采用進口微晶玻璃腔體的激光陀螺性能比較；使用國產(chǎn)微晶玻璃腔體激光陀螺樣機。使用國產(chǎn)化微晶玻璃腔體激光陀螺樣機零偏穩(wěn)定性和溫度零偏變化率能夠達到現(xiàn)有水平。

清華大學電子工程系黃翊東教授團隊崔開宇副教授帶領學生在超光譜成像芯片方面取得重要進展，研制出國際首款實時超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測技術實現(xiàn)了從單點光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。

由東南大學信息科學與工程學院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡通信與安全紫金山實驗室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術”項目成果通過了中國電子學會組織的現(xiàn)場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動、信通院、華為、中興、大唐電信和國內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會對該項成果進行了現(xiàn)場鑒定并給予了高度評價，一致認為：該項目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應用的核心技術瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項關鍵技術屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國際領先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領域具有廣闊的應用前景，在該領域“卡脖子”技術上取得關鍵突破，已在相關應用部門得以成功推廣應用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術的突破，將帶來無線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢，但其輸出功率相對較低，器件本身寄生效應較大。項目組經(jīng)過長達6年的技術探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達到15%，無需校準便可實現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。