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本項(xiàng)目將提供一款高品質(zhì)的非晶 ZnTiSnO 微型半導(dǎo)體氣體傳感器，為一種具有納米材料特征的薄膜型氣體傳感器，用于可燃性氣體（特別是乙醇）的檢測。該半導(dǎo)體氣體傳感器具有下述優(yōu)點(diǎn)：靈敏度高、選擇性好、響應(yīng)快、穩(wěn)定性好、抗干擾性強(qiáng)、可室溫工作、易于微型化、與微電子系統(tǒng)兼容，而且制作工藝簡單、組裝成本低、價(jià)格低廉。 （1）半導(dǎo)體氣體傳感器件的核心材料為氣敏層，即非晶ZnTiSnO 薄膜，該材料質(zhì)量如何直接決定了器件的性能。通過前期預(yù)研究，我們設(shè)計(jì)并合成了具有表面微納結(jié)構(gòu)的絨面 a-ZnTiSnO 薄膜，如何進(jìn)一步優(yōu)化工藝參數(shù)，更加提升 a-ZnTiSnO 薄膜高質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)精確可控生長，依然是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （2）氣體傳感器的實(shí)用性在于器件參數(shù)的確立，因而，通過系統(tǒng)研究，建立非晶 ZnTiSnO 氣體傳感器各氣敏性能與氣體參數(shù)之間的定量關(guān)系曲線，特別是室溫工作條件下的定量關(guān)系，是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （3）為使氣體傳感器獲得廣泛應(yīng)用，器件良好的穩(wěn)定性至關(guān)重要。通過工藝優(yōu)化、器件設(shè)計(jì)和封裝保護(hù)等措施，實(shí)現(xiàn)非晶ZnTiSnO 氣體傳感器的高穩(wěn)定性和抗干擾性，使器件具有長的使用壽命，也是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。制備出高質(zhì)量非晶 ZnTiSnO 薄膜，具有均勻且均一的表面微納結(jié)構(gòu)，絨度大于35%；薄膜與襯底附著力大于 21N。非晶 ZnTiSnO氣體傳感器性能指標(biāo)：氣敏層尺寸 10~300μm，易于集成化；對可燃性氣體有高選擇性，其中對乙醇的敏感度最高；室溫工作條件下，對 100ppm 乙醇的響應(yīng)度不低于 30；響應(yīng)時間小于 1.8s，恢復(fù)時間小于 1.5s；穩(wěn)定性好，有效使用壽命不低于3 年。 理論與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合，揭示出 a-ZnTiSnO 氣體傳感器室溫氣敏性能和穩(wěn)定性機(jī)理，建立理論模型，闡明器件的耐候性規(guī)律。研制出具有實(shí)用價(jià)值的高品質(zhì) a-ZnTiSnO 半導(dǎo)體氣體傳感器，建立一套非晶 ZnTiSnO 材料生長和器件制備的完整工藝，關(guān)鍵技術(shù)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。 應(yīng)用范圍：  納米氧化銅產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類抗菌、抗紫外線、空氣凈化產(chǎn)品中，如抗菌保鮮膜、抗菌塑料、抗菌纖維、抗菌整理液、抗菌陶瓷、抗菌地板、抗菌紡織品、防嗮化妝品、室內(nèi)甲醛治理等產(chǎn)品中。 納米CuO應(yīng)用前景 催化劑：主要用于國防領(lǐng)域，作為復(fù)合固體推進(jìn)劑的重要成分，用來調(diào)節(jié)推進(jìn)劑燃耗性能。 傳感器：納米氧化銅對外界環(huán)境的溫度，光，濕氣等十分敏感，并且可以提高傳感器的響應(yīng)速度，靈敏度和選擇性。 在超導(dǎo)，陶瓷，電極活性材料等領(lǐng)域作為一種重要的無機(jī)材料有廣泛的應(yīng)用。 用作玻璃，瓷器的著色劑，光學(xué)玻璃磨光劑，有機(jī)合成的催化劑，油類的脫硫劑，氫化劑。 用于制造人造寶石及其它銅氧化物，用于人造絲的制造，以及氣體分析和測定有機(jī)化合物等。 用于飼料中，提高銅的表觀消化率。 用于抗菌劑，納米氧化銅具有清潔，高效，能耗低，污染小，被廣泛用于醫(yī)藥，紡織等領(lǐng)域。 用于粒子助力制冷器節(jié)能，提高熱傳遞效率。 降低冷凍機(jī)油的粘度。 提高煙氣脫硝性能。 應(yīng)用范圍： 橡膠工業(yè)中硫化活性劑，石油化工行業(yè)催化及添加劑，是汽車輪胎、飛機(jī)輪胎、工業(yè)電纜行業(yè)材料以及氧化鋅陶瓷； 涂料油漆、透明橡膠、乳膠和塑料行業(yè)用，可增加產(chǎn)品強(qiáng)度和致密性、粘合性、光潔度； 抗菌抑菌和除臭材料、醫(yī)藥衛(wèi)生用殺菌材料、玻璃陶瓷殺菌自潔材料、醫(yī)藥行業(yè)殺菌敷料； 電子工業(yè)和儀表工業(yè)、制造電器件、無線電、無線熒光燈、圖像記錄儀、變阻儀、熒光體； 軍事工業(yè)：紅外吸收材料。   五、納米氧化鋅分散液 項(xiàng)目 Item 標(biāo)準(zhǔn) Standard 氧化鋅(W/%) ZnO 4% 外觀 Exterior 乳白略顯黃色易流動液體 Milky white slightly yellow liquid PH 7.2   分散液氧化鋅含量可以根據(jù)需要在30%以下定制

已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國在該項(xiàng)技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實(shí)現(xiàn)對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)通過3 年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM 關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS 工藝成

薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場儀表顯示、車站、機(jī)場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點(diǎn)為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內(nèi)外同類產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)

現(xiàn)場可編程門陣列(Field-Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)是半導(dǎo) 體集成電路領(lǐng)域的一類通用核心器件，在國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域有著廣 泛的應(yīng)用。美國廠商壟斷了全球幾乎所有的 FPGA 芯片市場，而我國 的航空航天技術(shù)和國防工業(yè)對 FPGA 芯片有超大量的需求和嚴(yán)重的 依賴，高端 FPGA 技術(shù)和芯片產(chǎn)品被美國等列為對華出口的嚴(yán)格限制 清單中，嚴(yán)重制約了航空航天技術(shù)和國防工業(yè)發(fā)展。針對上述問題， 項(xiàng)目組通過自主創(chuàng)新研制

內(nèi)容介紹： 本項(xiàng)目通過通過研究EMI多層片式LC濾波器的制造技術(shù)，攻克了材料 的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)、器件的獨(dú)石化流延工藝技術(shù)、異種材料的疊層共燒技術(shù) 和多層片式LC濾波器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)難題，釆用先進(jìn) 的流延成型工藝技術(shù)制備出尺寸為2Xl.2X0.8mm （0805規(guī)格）的EMI多 層片式LC濾波器，電學(xué)參數(shù)測試結(jié)果表明其各項(xiàng)性能參數(shù)與國外同類產(chǎn) 品相當(dāng)，關(guān)鍵技術(shù)獲得國家專利3項(xiàng)，并榮獲陜西省科

本技術(shù)涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實(shí)現(xiàn)材料、裝備、器件協(xié)同發(fā)展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進(jìn)行開發(fā)研究，該技術(shù)屬于我國“卡脖子”技術(shù)，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發(fā)了大尺寸智能單晶生長設(shè)備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設(shè)計(jì)、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發(fā)、生長-檢測-分析-控制人工智能系統(tǒng)。采用離子束切片鍵合技術(shù)制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統(tǒng)的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜

本項(xiàng)目的創(chuàng)新點(diǎn)主要是采用環(huán)形鏡解調(diào)和GSM數(shù)字移動網(wǎng)傳輸信號的技術(shù)。具有響應(yīng)速度快、調(diào)諧范圍寬、可實(shí)時檢測、使用壽命長、抗電磁干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，有重要實(shí)用意義。 光纖光柵傳感器陣列的每一個光柵反射率大于90%，線寬小于0.4nm，各光柵中心波長間隔大于1nm。 研制出寬帶光源等實(shí)驗(yàn)裝置，寬帶光源輸出功率大于1mw，帶寬30nm；已成功應(yīng)用于光纖光柵傳感器陣列檢測實(shí)驗(yàn)。 研制出寬帶光源、高雙折射光纖環(huán)鏡濾波邊緣濾波解調(diào)系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)。 研制出快

電子材料及器件噪聲-可靠性測試平臺，該系統(tǒng)是國內(nèi)外首套電子器件噪聲-可靠性分析系統(tǒng)。采用了基于虛擬儀器的微弱噪聲測試、基于噪聲的可靠性診斷方法、電子器件噪聲的子波分析方法等關(guān)鍵技術(shù)，將子波分析用于噪聲-可靠性表征，可對各種電子器件和集成電路模塊進(jìn)行噪聲測試與分析、內(nèi)部潛在缺陷診斷和無損預(yù)篩選。系統(tǒng)可以測量電子器件的各種噪聲參數(shù)，同時對噪聲進(jìn)行頻譜分析、子波分析、集總參數(shù)分析。具有實(shí)時檢測、采集、和分析, 高精度、高可靠性、智能化、小體積的優(yōu)點(diǎn)，良好的通用性和可升級性使其同時適用于科研和生產(chǎn)單位。

本發(fā)明公開了一種用于 ESD 保護(hù)的低壓觸發(fā) SCR 器件。本發(fā)明創(chuàng)造采用第一 PMOS 和第二 PMOS 分別進(jìn)行襯底觸發(fā)和柵觸發(fā)，從而降低 SCR 器件的觸發(fā)電壓。 ESD 脈沖信號施加在 Anode 和 Cathode 之間，第一 PMOS 和第二 PMOS 首先被觸發(fā)導(dǎo)通，第一 PMOS 開通之后，給 Nwell 施加一觸發(fā)電流，第二 PMOS 開通之后給第三 PMOS 施加一觸發(fā)電壓。第一 PMOS 施加的 Nwell 觸發(fā)電流和第三 PMOS 的溝道電流觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通，晶閘管電流（ SCR current ）導(dǎo)通大部分 ESD  電流，從而實(shí)現(xiàn)了 ESD 保護(hù)。