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射頻識(shí)別（Radio Frequency Identification-RFID）技術(shù)被公認(rèn)是21世紀(jì)最有發(fā)展前途的信息技術(shù)之一，已廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、零售、物流、交通、醫(yī)療、消費(fèi)、旅游、國(guó)防等各個(gè)領(lǐng)域。超高頻（UHF）RFID技術(shù)憑借其無(wú)源遠(yuǎn)距離多標(biāo)簽快速識(shí)別的優(yōu)勢(shì)，能廣泛應(yīng)用于智能物流、智能交通、 物品質(zhì)量追溯、公共安全管理、智慧城市等物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)，顯著提高各行各業(yè)的管理效率，降低成本，具有最為廣闊的市場(chǎng)規(guī)模和發(fā)展?jié)摿Γ殉蔀镽FID及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)下一個(gè)爆發(fā)式增長(zhǎng)點(diǎn)。 本團(tuán)隊(duì)在2008年度廣東省重大科技專(zhuān)項(xiàng)的支持下，研究突破了低功耗低壓射頻/模擬/數(shù)字電路及SOC架構(gòu)、高效率整流電路、多標(biāo)簽防碰撞、高穩(wěn)定時(shí)鐘電路等共性關(guān)鍵技術(shù)，掌握了基于CMOS工藝的高識(shí)別靈敏度的超高頻RFID標(biāo)簽芯片設(shè)計(jì)、測(cè)試與驗(yàn)證、質(zhì)量可靠性保障等核心技術(shù)，已獲得授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利7項(xiàng)、公開(kāi)的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)8項(xiàng)，發(fā)表論文30多篇。自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的四款超高頻RFID標(biāo)簽芯片，通過(guò)了賽寶實(shí)驗(yàn)室（工信部五所）的測(cè)試認(rèn)證，超高頻RFID標(biāo)簽芯片測(cè)試性能達(dá)到Impinj等國(guó)際主流公司同期同類(lèi)產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)。在此基礎(chǔ)上，自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出具有溫度感知功能的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有開(kāi)關(guān)狀態(tài)數(shù)監(jiān)測(cè)的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)簽芯片等樣品。 超高頻RFID標(biāo)簽芯片主要技術(shù)指標(biāo)： ？ 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：ISO18000-6B/6C ？ 工作頻率：840-960MHz ？ 識(shí)別（讀取）靈敏度：-15dBm ？ 讀寫(xiě)距離：讀8 米/寫(xiě)5 米(與天線形式及當(dāng)?shù)責(zé)o線電頻率規(guī)范相關(guān)) ？ 識(shí)別速率：>100次/秒 ？ 存儲(chǔ)容量：256、512、1000bits ？ 前向鏈路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向鏈路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作溫度：-40 —850C ？ 數(shù)據(jù)保存時(shí)間：10年 ？ 寫(xiě)入次數(shù)：100000

傳統(tǒng)的體外生理信號(hào)監(jiān)測(cè)如心電、腦電等基于濕電極在電極皮膚建立穩(wěn)定且低阻抗的接觸,需要凝膠，不易佩戴且容易滋生細(xì)菌感染等。使用干電極是可穿戴和醫(yī)療健康芯片的必然趨勢(shì)。但目前的商業(yè)芯片在干電極下無(wú)法使用，存在諸多性能上的缺陷，諸如功耗、輸入阻抗、共模抑制比等方面均無(wú)法滿(mǎn)足要求。在對(duì)國(guó)內(nèi)外相關(guān)技術(shù)的研究和綜述的基礎(chǔ)上，我們提出了提出一種基于干電極的信號(hào)采集芯片。經(jīng)流片驗(yàn)證，可以提供足夠的空間分辨率，功耗在μW級(jí)別。同時(shí)該技術(shù)采用了實(shí)驗(yàn)室積累多年的低功耗集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)。以下是兩款超低功耗干電極腦電與心電采集芯片及其應(yīng)用場(chǎng)景。其中腦電芯片可以在耳道采集腦電信號(hào)，方便舒適，易于集成，其產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)在逐步推行。

1.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的名稱(chēng)：LED 芯片高速自動(dòng)分選機(jī)。2.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的用途：用于對(duì) LED 芯片執(zhí)行自動(dòng)分選的裝置。3.本外觀設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)要點(diǎn)：分選機(jī)的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設(shè)計(jì)要點(diǎn)的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產(chǎn)品設(shè)計(jì)要點(diǎn)且不常見(jiàn)，故省略俯視圖和仰視圖。

自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的四款超高頻RFID標(biāo)簽芯片，通過(guò)了賽寶實(shí)驗(yàn)室（工信部五所）的測(cè)試認(rèn)證，超高頻RFID標(biāo)簽芯片測(cè)試性能達(dá)到Impinj等國(guó)際主流公司同期同類(lèi)產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)。在此基礎(chǔ)上，自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出具有溫度感知功能的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有開(kāi)關(guān)狀態(tài)數(shù)監(jiān)測(cè)的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)簽芯片等樣品。

超高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的核心,廣泛應(yīng)用于寬帶通信、數(shù)據(jù)捕獲系統(tǒng)、軟件無(wú)線電、射頻消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域,是國(guó)外長(zhǎng)期禁運(yùn)的核心電子元器件。

在后摩爾時(shí)代，發(fā)揮多功能、異質(zhì)集成技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)，面向存儲(chǔ)系統(tǒng)應(yīng)用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，構(gòu)成具有多功能的存儲(chǔ)微系統(tǒng)芯片。

LED具有長(zhǎng)壽命、節(jié)能環(huán)保、微型化等優(yōu)點(diǎn)，是目前最具競(jìng)爭(zhēng)力的新一代綠色照明光源。突破高發(fā)光效率的功率型高端LED芯片技術(shù)，將加快實(shí)現(xiàn)LED在通用照明、可見(jiàn)光通信、高端顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用。在國(guó)家863計(jì)劃、廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)LED專(zhuān)項(xiàng)等重大項(xiàng)目的支持下，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出效率超過(guò)130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關(guān)技術(shù)指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。相關(guān)成果發(fā)表在Nanoscale Research Letters等國(guó)際權(quán)威期刊上，申請(qǐng)了22 項(xiàng)國(guó)家專(zhuān)利，其中已授

利用超表面與圖像傳感器集成的新方案實(shí)現(xiàn)快照式光譜成像芯片，結(jié)合計(jì)算光譜分析原理及重建算法，研制出了可見(jiàn)光波段、高精度的光譜成像芯片。

本發(fā)明公開(kāi)了一種紅外聚光芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調(diào)相架構(gòu)，其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)?、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；圖形化電極層由圓形導(dǎo)電膜和同心設(shè)置在圓形導(dǎo)電膜外圍的至少一個(gè)圓環(huán)形導(dǎo)電膜構(gòu)成，圓形導(dǎo)電膜的直徑大于與其相鄰的圓環(huán)形導(dǎo)電膜的徑向?qū)?

芯片是信息科技的基礎(chǔ)與推動(dòng)力。然而，現(xiàn)有的硅基芯片制造技術(shù)即將觸碰其極限，碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾技術(shù)的重要選項(xiàng)。相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基CMOS晶體管，碳納米管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優(yōu)勢(shì)。IBM的理論計(jì)算表明，若完全按照現(xiàn)有二維平面框架設(shè)計(jì)，碳納米管技術(shù)相較硅基技術(shù)具有15代、至少30年以上的優(yōu)勢(shì)。此外，Stanford大學(xué)的系統(tǒng)層面的模擬表明，碳納米管技術(shù)還有望將常規(guī)的二維硅基芯片技術(shù)發(fā)展成為三維芯片技術(shù)，將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上，從而將物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能等未來(lái)技術(shù)提升到一個(gè)全新高度。