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（專利號：ZL 201410348368.7） 簡介：本發明公開了一種廢塑料為碳源的鐵基含碳球團及其制備方法，屬于冶金工業領域。本發明的含碳球團由以下重量百分比的組分組成：含鐵基材料70～85％和廢塑料15～30％，其中：廢塑料由丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚酰胺、聚碳酸酯和甲基丙烯酸甲酯組成。其制備方法的步驟為：原料制備；原料混合，按照配比稱取各物料后充分混合；球團制備，將混

本發明公開的有機硅型海洋防污涂料基料，它的結構如式（1），式中為含有殺菌劑側鏈的有機硅聚氨酯化合物，R為CH2CH3。制備步驟包括：1）氯丙基甲基二甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷反應得到含氯丙基聚硅氧烷；2）將含氯丙基聚硅氧烷、叔胺和含羥基叔胺回流反應，生成含有季銨鹽與羥基的聚硅氧烷；3）將異氰酸酯、二月桂酸二丁基錫和含有季銨鹽與羥基與溶劑混合，加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷進行擴鏈，得到含有交聯基團-Si(OCH2CH3)的預聚體，預聚體在空氣中交聯縮合，即可。本發明的有機硅型基料既有低表面能性能，有很好的疏水性，分子鏈上也有環保型殺菌劑，有很好的殺菌效果，達到很好的海洋防污效果式（1）。

項目背景：1.由于限塑令的提出，高分子膜材料的應用領域 也勢必會受到限制，纖維基膜材料具有可降解性，目前常用的是 醋酸纖維素，纖維膜存在耐溶劑性差、抗氧化性能差，易水解， 易壓密，抗微生物侵蝕作用較弱等。2.在海水淡化方面，改變纖 維素膜的親水性，使其表面成為超疏水表面，當高濃鹽水蒸發， 吸附到膜表面，然后會因為超疏水而不能在膜表面吸附，從而滑 落收集，可以說是海水淡化、工業廢水處理的新思路. 所需技術需求簡要描述：1.制備出具有高通量、高濕壓強度， 耐污染、耐溶劑的可降解纖維素基反滲透膜材料，該材料對鈉離 子的截留率為 95%以上。 2.制備具有超疏水表面的纖維素基膜 材料，接觸角超過 150°以上，膜材料的生物降解率達 90%以上。 3.膜組件的設計，降低膜組件的成本，改善膜組件組裝過程中的 設計工藝，提高膜組件  對技術提供方的要求:要求擁有纖維素材料、工業廢水處理 的背景，能夠提供纖維素膜制備及改性的技術支持能力的研發團 隊。 

懸賞金額：95萬元 發榜企業：百盛（廣州）生物制品有限公司  需求領域：環醫療器械及設備及醫學專用軟件；臨床醫學-腫瘤 產業集群：生物醫藥與健康產業集群 技術關鍵詞：人工智能；病理學；組織形態學

手性二芳基甲醇是重要的手性藥物合成前體，比如(R)-新苯海拉明、(R)-鄰甲苯海明，(S)-卡比沙明、(R,R)-氯馬斯汀等手性藥物就是由光學活性二芳基甲醇合成得到，尚有一些具有明顯抗腫瘤前景的化合物也是由手性二芳基甲醇合成的。 本技術使用容易合成且價格低廉的格氏試劑在不對稱催化的條件下與芳香醛加成，使用四異丙醇鈦和N,N,N′,N′-四甲基二氨基乙醚為添加劑，使用10mol%光學活性H8-BINOL為手性配體，產物產率為90~97%，光學活性在90~>99%，放大到實驗室規模，產率和ee值均無變化。其特點是：產率和光學活性都非常高，反應中使用的材料均價廉、易得，操作簡便，反應條件溫和，反應快（3小時），容易實現規模化生產，具有良好的工業化前景。

本發明公開了一種吩噻嗪基二維共價有機框架材料及其制備方法和應用。所述二維共價有機框架材料具有如下式(I)或式(II)所示的結構：本發明的二維共價有機框架材料具有高的結晶性和比表面積，孔徑分布均一并且熱穩定性良好，同時還有著良好的光敏基團、適合的光學帶隙，在光催化氧化偶聯方向有著良好的應用。

超級電容器是一種新型綠色儲能器件，擁有比功率大、充放電效率高， 壽命長等優點，在低碳經濟時代展現出巨大應用前景，已經被廣泛應用于電 子產品、電動汽車、混合電動汽車、無線通訊設施、信號監控、太陽能及風 力發電等領域。開發具有高能量、高循環性和低成本的超級電容器是該領域 未來重要研究之一。電極材料作為超級電容器的核心組成部分，對其儲能 性能有著至關重要的影響，而具有高理論容量、低價格的過渡金屬基化合物 （Fe、Co、Ni）是實現高容量、低成本超級電容器首選的電極材料。以過渡金 屬基化合物為主要研究對象，對其組分及結構進行了調控，通過儲能性能測 試及儲能機理分析，為開發高性能、低成本的活性電極材料提供實驗依據。 這一研究的開展，給組裝超高能量密度的超級電容器并使其從實驗室走向我們 的日常生活帶來了新的前景。 1.先進性及產業化前景：提高性能、降低成本一直以來都是超級電容器發展的 主旋律，其中能量密度低是超級電容器發展面臨的主要問題，因此開發出具 有高能量、成本低的超級電容器迫在眉睫。就提高性能而言，超級電容器的 電極改進是重點，主要途徑是通過提高電壓窗口和提高電極材料的比電容。 目前針對超級電容器電極材料的研究主要集中在：(1)改進現有的電極材料; (2)開發新型電極材料；(3)改進生產工藝，實現低成本化。目前在全球范 圍內達到工業化生產水平的超級電容器基本都是以雙電層為儲能機制的活性 碳基超級電容器，而以贋電容為儲能機制的超級電容器尚處于實驗室開發階 段，因此超級電容器還有很大的發展空間。 2.對所在行業和關聯產業發展和轉型升級的影響：根據超級電容器的容量大小 和功率密度，可以將其用作后備電源、替換電源和主電源。當主電源發生故障 而不能正常使用時，超級電容器便起到后備補充作用，它具有壽命長、充放電快 和環境適應性強等優點。當用作替換電源時，主要應用于對環境變化有特殊要 求的場合，例如白天太陽能提供電源并對超級電容器充電，晩上則由超級電 容器提供電源。作為主電源時，主要利用超級電容的大功率密度，一般是一個或幾個超級電容器通過一定的方式連接起來持續釋放幾毫秒至幾秒的大電 流，放電之后，再由低功率的電源對其充電。 3.市場分析：根據IDTechEX數據統計，2014年超級電容器全球市場規模為11 億美元，預計到2018年，超級電容器全球市場規模將達到32億美元，年復合 增長率為31%,并預測將會以此速度預計到2018年，超級電容器全球市場規模 將達到32億美元，年復合增長率為31%,并預測將會以此速度繼續增長。我國 將“超級電容器關鍵材料的研究和制備技術"列入到《國家中長期科學和技 術發展綱要(2006-2020年)》，作為能源領域中的前沿技術之一。有數據顯示， 2015年國內超電市場規模已經超過了 70億元，因此，在這樣的一個大背景下， 研究新材料以開發具有超高能量密度的超級電容器具有非常大的市場前景。

在傳統貴金屬（金、銀等）之外發掘出具有高性能等離激元效應的非金屬新材料，是當前等離激元學基礎研究及應用研發的一個熱點與難點。金屬氧化物半導體材料具有豐富可調的光、電、熱、磁等性質，對其采取氫化處理可有效修飾其電子結構，從而獲得豐富可調的等離激元效應；此處的一個關鍵性挑戰在于如何顯著提高金屬氧化物半導體材料內稟的低自由載流子濃度。基于該研究團隊新近發展的、理論模擬計算指導下的電子-質子協同摻氫策略，在本工作中研究人員采用簡便易行的金屬-酸溶液原位聯合處理方法實現了金屬氧化物MoO3半導體材料在溫和條件下的可控加氫（即實現了“本征半導體→準金屬”的可控相變），從而突破性地大幅提升了該材料中的自由載流子濃度。研究表明，氫化后的MoO3材料中自由電子濃度與貴金屬相當（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），這使得該材料的等離激元共振響應從近紅外區移至可見光區，且兼具強增益及可調性。結合第一性原理模擬計算和以超快光譜為主的多種物性表征，研究人員進一步揭示出該協同摻氫所導致的準金屬能帶結構及相應的等離激元動力學性質。作為效果驗證，研究人員在一系列表面增強拉曼光譜（SERS）實驗中證實該材料表面等離激元局域強場可使吸附的羅丹明6G染料分子的SERS增強因子高達1.1×107（相較于一般半導體的104?5和貴金屬的107?8），檢測靈敏限低至納摩量級（1×10-9mol L-1）。 這項工作創新性地發展出一種調控非金屬半導體材料系統中自由載流子濃度的一般性策略，不僅低成本地實現了具有強且可調的等離激元效應的準金屬相材料，而且顯著地拓寬了半導體材料物化性質的可變范圍，為新型金屬氧化物功能材料的設計提供了嶄新的思路和指導。

項目成果/簡介:在傳統貴金屬（金、銀等）之外發掘出具有高性能等離激元效應的非金屬新材料，是當前等離激元學基礎研究及應用研發的一個熱點與難點。金屬氧化物半導體材料具有豐富可調的光、電、熱、磁等性質，對其采取氫化處理可有效修飾其電子結構，從而獲得豐富可調的等離激元效應；此處的一個關鍵性挑戰在于如何顯著提高金屬氧化物半導體材料內稟的低自由載流子濃度。基于該研究團隊新近發展的、理論模擬計算指導下的電子-質子協同摻氫策略，在本工作中研究人員采用簡便易行的金屬-酸溶液原位聯合處理方法實現了金屬氧化物MoO3半導體材料在溫和條件下的可控加氫（即實現了“本征半導體→準金屬”的可控相變），從而突破性地大幅提升了該材料中的自由載流子濃度。研究表明，氫化后的MoO3材料中自由電子濃度與貴金屬相當（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），這使得該材料的等離激元共振響應從近紅外區移至可見光區，且兼具強增益及可調性。結合第一性原理模擬計算和以超快光譜為主的多種物性表征，研究人員進一步揭示出該協同摻氫所導致的準金屬能帶結構及相應的等離激元動力學性質。作為效果驗證，研究人員在一系列表面增強拉曼光譜（SERS）實驗中證實該材料表面等離激元局域強場可使吸附的羅丹明6G染料分子的SERS增強因子高達1.1×107（相較于一般半導體的104?5和貴金屬的107?8），檢測靈敏限低至納摩量級（1×10-9mol L-1）。 這項工作創新性地發展出一種調控非金屬半導體材料系統中自由載流子濃度的一般性策略，不僅低成本地實現了具有強且可調的等離激元效應的準金屬相材料，而且顯著地拓寬了半導體材料物化性質的可變范圍，為新型金屬氧化物功能材料的設計提供了嶄新的思路和指導。

本發明公開了一種面向物聯網的硅基SIW帶金屬柱懸臂梁可重構帶通濾波器，包括SIW帶通濾波器、轉接結構(3)和帶金屬柱的MEMS懸臂梁結構。帶金屬柱的MEMS懸臂梁結構包括MEMS懸臂梁(6)，MEMS懸臂梁依靠錨區(7)的支持懸浮在硅襯底(1)之上，MEMS懸臂梁的下表面上設置有金屬柱(11)，硅襯底對應金屬柱的位置開設有孔(14)，且該孔(14)穿過硅襯底(1)上的氮化硅層(10)和上表面金屬層(5)進入硅襯底(1)中。本發明只需要通過控制MEMS懸臂梁的狀態就能夠改變濾波器通帶的中心頻率，達到切換濾波器通帶中心頻率的目的，MEMS懸臂梁可以實現快速的DOWN態和UP態的轉換，可以有效地實現微波電路中對濾波器濾波范圍的控制。