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移動式可視化高含水率淤泥泥水分離裝置
本實用新型提供一種移動式可視化高含水率淤泥泥水分離裝置，包括脫水裝置，滲透排水裝置，水 分收集裝置和移動裝置，所述的脫水裝置包括一個上端開口的脫水槽，所述的脫水槽包括四塊周向設置 的側板和一塊水平設置的與側板連接的底板;所述的滲透排水裝置包括土工布、透水層和支撐板;所述 的水分收集裝置包括排水槽、透水板和儲水容器。本實用新型針對高含水率淤泥流動性強而難以成型問 題，能將淤泥中過量水分有效分離，進而
武漢大學
2021-04-14
一種層燃爐氮氧化物排放量的復合控制系統
本發明屬于鍋爐節能與環保的技術領域，并公開了一種層燃爐 氮氧化物排放量的復合控制系統，該系統包括層燃爐本體，自帶煙氣 循環的分級燃燒裝置、SNCR 脫硝裝置、多功能煙氣在線監測儀和 PLC 控制系統；分級燃燒裝置均勻分布在爐膛兩側的墻上，其進氣端的中 心設置有進風管，進風管的另一端設置有絕熱穩焰鈍體，進氣端器壁 還設置有二次風旋流器，遠離進氣端的一端還設置有穩燃腔，將適量 煤粉或燃氣、新鮮空氣及循環煙氣的混合物通過該分級燃燒裝置噴入 層燃爐內。該發明的復合控制系統可顯著提高燃料氧化反應速度和爐 膛溫度均勻性，能夠實現燃料充分燃燒和低氮燃燒，減少空氣過剩系 數，實現脫硝效率和熱效率的雙重提升，達到節能減排的目的。
華中科技大學
2021-04-13
神經形態憶阻器
傳統計算機采用分立的處理器和存儲器，所有計算數據都要通過總線進行搬運，造成了存儲墻、功耗墻等突出問題。基于憶阻器的神經形態器件能夠在物理層面模擬生物突觸、神經元信息處理功能，從而實現局域的存算融合，從根本上解決馮諾依曼瓶頸，帶來巨大的性能和能效提升。
北京大學
2021-02-01
定向高導熱 PFA 聚合物復合材料
本成果涉及一種石墨烯在全氟烷氧基樹脂（PFA）聚合物基材中定向排布的導熱新材料。其復合材料熱導率在平行于石墨烯排布方向，可達 25 W/(m·K) 以上，是原聚合物基材全氟烷氧基樹脂（PFA）熱導率的約 100 倍
北京科技大學
2021-02-01
定向高導熱 PFA 聚合物復合材料
本成果涉及一種石墨烯在全氟烷氧基樹脂（PFA）聚合物基材中定向排布的導熱新材料。其復合材料熱導率在平行于石墨烯排布方向，可達 25 W/(m·K) 以上，是原聚合物基材全氟烷氧基樹脂（PFA）熱導率的約 100 倍。
北京科技大學
2021-04-13
有機硅高沸物催化裂解歧化研究
項目研究背景： 有機硅材料兼具有機硅聚合物和無機聚合物的特性， 因而具有優良的介電性、耐高溫特性、生理惰性、防潮、絕緣、耐氣候老 化等優異性能，被廣泛應用在航空航天、軍用技術、電子電氣工業、紡織 造紙、建筑工業、化學工業、金屬和油漆工業、醫藥醫療等領域，被形象 的譽為 “工業味精 ”。近年來，我國有機硅產品的消費量呈逐年上升的趨勢， 有機硅材料被列為國家重點貴發展的產業之一。 技術原理： 主要對有機硅高沸物和低沸物裂
南昌大學
2021-04-14
催化二氧化碳和環氧化合物制取環碳酸酯
隨著人們對于環境問題的日益重視，由于溫室氣體二氧化碳所引起的全球氣候環境問題 受到廣泛的關注。解決該問題除了從源頭入手，倡導節能減排之外，尋求利用二氧化碳的方法 同樣重要。二氧化碳和環氧化合物反應生成環狀碳酸酯是目前廣泛被研究的化學固定二氧化 碳的重要方法之一，該反應無其他產物生成，原子利用率100%。本項目所使用的催化劑是自 主開發的，將催化活性物質負載到生物質上構建綠色多相催化劑。結合之前的研究成果，催化 反應在連續實驗裝置
華東理工大學
2021-04-14
中國儲蓄率變化對全球二氧化碳排放的影響
北京師范大學環境學院梁賽教授課題組研究成果在國際刊物Nature Communications以研究論文（Research Article）形式在線發表。該研究分析了中國儲蓄率變化對全球CO2排放的影響，研究表明中國儲蓄率下降所導致的最終需求結構變化會減少全球CO2排放。 近年來，中國經濟增長模式發生轉變，經濟轉入高質量發展，投資驅動型的經濟增長模式正在發生變化。由于資本收益率下降、居民消費習慣的變化、以及政府主導的投資增速下降等原因，中國的儲蓄率有所下降，導致最終需求中投資品的比例下降、消費品的比例上升。由于中國是世界上最大的CO2排放國，同時也是世界第二大經濟體，中國儲蓄率變化所導致的最終需求結構變化最終會引致全球CO2排放總量和結構的變化。研究這一問題有助于更加清晰地理解中國的CO2排放達峰路徑和制定更為精準的減排政策。 基于歷史數據的結構分解分析結果顯示，從2007年到2012年，中國儲蓄率的變化解釋了1.89億噸全球生產活動CO2排放。基于中國儲蓄率會持續下降的預測，進一步的情景分析顯示，若中國的儲蓄率下降15個百分點，全球CO2排放會減少1.86億噸，占全球生產活動CO2排放的0.7%。中國儲蓄率降低會對全球各國的CO2排放產生不同影響。主要位于中國資本品生產供應鏈上的國家的CO2排放將有所減少，例如美國、日本、韓國等國家。而主要位于中國消費品生產供應鏈上的國家的CO2排放則會有所增加，例如巴西等國家。此外，在中國極限綠色消費的情景下，因儲蓄率變化所導致的全球生產活動CO2排放可進一步降低14%。 中國各區域儲蓄率下降的效果也有所差異，主要是由于各區域不同的資本形成結構、最終消費結構、以及各部門的累計CO2排放強度（含直接和間接CO2排放強度）。例如，山東省儲蓄率下降導致全球CO2排放減少的量最大，主要由于山東省在資本形成中占比比較高的部門（如建筑和機械制造）的累計CO2排放強度高于其在最終消費中占比比較高的部門（如其他服務業和食品制造業）。與之相反，內蒙古自治區儲蓄率下降會導致全球CO2排放的增加，尤其表現在內蒙古電力行業累計CO2排放強度較高、且電力行業在最終消費中占比較高。 這項研究認為，中國的增長方式轉變通過降低儲蓄率的方式對全球CO2減排做出積極貢獻。同時，在消費率上升的大背景下，為早日實現CO2排放達峰目標，中國應進一步促進綠色消費和消費品全產業鏈的節能減排。
北京師范大學
2021-02-01
中國儲蓄率變化對全球二氧化碳排放的影響
北京師范大學環境學院梁賽教授課題組研究成果在國際刊物Nature Communications以研究論文（Research Article）形式在線發表。該研究分析了中國儲蓄率變化對全球CO2排放的影響，研究表明中國儲蓄率下降所導致的最終需求結構變化會減少全球CO2排放。 近年來，中國經濟增長模式發生轉變，經濟轉入高質量發展，投資驅動型的經濟增長模式正在發生變化。由于資本收益率下降、居民消費習慣的變化、以及政府主導的投資增速下降等原因，中國的儲蓄率有所下降，導致最終需求中投資品的比例下降、消費品的比例上升。由于中國是世界上最大的CO2排放國，同時也是世界第二大經濟體，中國儲蓄率變化所導致的最終需求結構變化最終會引致全球CO2排放總量和結構的變化。研究這一問題有助于更加清晰地理解中國的CO2排放達峰路徑和制定更為精準的減排政策。 基于歷史數據的結構分解分析結果顯示，從2007年到2012年，中國儲蓄率的變化解釋了1.89億噸全球生產活動CO2排放。基于中國儲蓄率會持續下降的預測，進一步的情景分析顯示，若中國的儲蓄率下降15個百分點，全球CO2排放會減少1.86億噸，占全球生產活動CO2排放的0.7%。中國儲蓄率降低會對全球各國的CO2排放產生不同影響。主要位于中國資本品生產供應鏈上的國家的CO2排放將有所減少，例如美國、日本、韓國等國家。而主要位于中國消費品生產供應鏈上的國家的CO2排放則會有所增加，例如巴西等國家。此外，在中國極限綠色消費的情景下，因儲蓄率變化所導致的全球生產活動CO2排放可進一步降低14%。 中國各區域儲蓄率下降的效果也有所差異，主要是由于各區域不同的資本形成結構、最終消費結構、以及各部門的累計CO2排放強度（含直接和間接CO2排放強度）。例如，山東省儲蓄率下降導致全球CO2排放減少的量最大，主要由于山東省在資本形成中占比比較高的部門（如建筑和機械制造）的累計CO2排放強度高于其在最終消費中占比比較高的部門（如其他服務業和食品制造業）。與之相反，內蒙古自治區儲蓄率下降會導致全球CO2排放的增加，尤其表現在內蒙古電力行業累計CO2排放強度較高、且電力行業在最終消費中占比較高。 這項研究認為，中國的增長方式轉變通過降低儲蓄率的方式對全球CO2減排做出積極貢獻。同時，在消費率上升的大背景下，為早日實現CO2排放達峰目標，中國應進一步促進綠色消費和消費品全產業鏈的節能減排。
北京師范大學
2021-04-10
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11