一種氮化硅微米管制造方法
本發明公開了一種氮化硅微米管的制備方法,該方法將去除保 護層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300~600℃的溫度區間內 熱解,使光纖表面形成均勻厚度的碳膜;再將光纖在氮氣條件下以 1100~1600℃的溫度區間高溫加熱,使碳膜與光纖表面的二氧化硅產 生反應生成硅,然后硅與氮氣發生反應在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉,形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進行混合,使氮化硅微米管增強導電性,然后在其中 加入熱熔型粘結劑形成混合物,再均勻涂在洗凈的銅箔表面,可得到 氮化
華中科技大學
2021-04-14