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本成果成功制備了一種高量子效率的碳點。該碳點在鈍化后具有尺寸均一、分散性良好、發光強度高等特點。值得說明的是該碳點量子效率高達83%，超越了該研究領域全球的最高值，位居首位。將碳點成功應用在了LED器件上，LED呈現明亮的白色光，且色度坐標（0.3308,0.3312）非常接近于純白光（0.33,0.33），是一個高色純度的LED白色熒光粉。

先進交流電源技術是針對航空等領域所做的技術研發成果。電源輸入 端為低壓直流電，輸出三相及單相正弦波電壓源，電源功率從200W?50KW。 電源釆用了模擬與數字雙重保護技術，具有過流、過壓、短路、過熱等保 護功能，電路拓撲、磁性元件設計等應用了國際前沿工程技術，具有高可 靠性與高效率，能夠替代國內的同類電源。性能指標： 1. 輸入

本成果通過溶液中的檸檬酸和乙二醇發生聚合酯化反應生產聚酯，有機醇鹽中的Ti-O鍵均勻的分散和固定在聚酯網絡中，在退火時聚酯分解產生大量極其微小的氣孔，從而形成了粒徑小、比表面積大的結構。同時由于P25 的TiO2粉末在聚酯中不可能完全均勻分布，因此，在退火后表面出現了不規則的納米粒子堆積凸起形成的孔道；而通過雙層成膜方式，使其粒子分布更均勻，連接性更好，從而表現出更大的填充因子和較好的光電轉換。用其制得的太陽能電池在低光強下具有很高的轉換效率，光電性能實驗結果表明，用本發明所得薄膜制得的太陽能電池，在5mW/cm2的弱光照下，光電轉化效率高達11.83%，尤其適合在日照強度低的地區使用。

隨著技術的發展，對航空航天用開關電源的重量、體積、效率和可靠性提出了更高的要求。為了滿足這要求，本項目旨在研究開關電源的軟開關技術，以實現開關電源的高效率、高功率密度和高可靠性。 技術特征 1、研究了Buck變換器、Boost變換器、四管Buck-Boost變換器、全橋變換器、諧振變換器等常用開關電源拓撲的軟開關技術。 2、提出了適用于第三代寬禁帶器件的電力電子變換器的架構，即“預調節器+DCX-LLC諧振變換器”和“DCX-LLC諧振變換器+后調節器”的兩級式結構開關電源，以大幅提升開關電源的效率和功率密度。

隨著技術的發展，對航空航天用開關電源的重量、體積、效率和可靠性提出了更高的要求。為了滿足這要求，本項目旨在研究開關電源的軟開關技術，以實現開關電源的高效率、高功率密度和高可靠性。技術特征1、研究了Buck變換器、Boost變換器、四管Buck-Boost變換器、全橋變換器、諧振變換器等常用開關電源拓撲的軟開關技術。2、提出了適用于第三代寬禁帶器件的電力電子變換器的架構，即“預調節器+DCX-LLC諧振變換器”和“DCX-LLC諧振變換器+后調節器”的兩級式結構開關電源，以大幅提升開關電源的效率和功率密度。應用范圍:項目組將脈沖電源技術的相關研究成果，與中國航天科技集團公司第504研究所、第510研究所、中航工業第614研究所和中國船舶集團公司第704研究所展開密切合作，研發了相應產品，并取得了應用。

項目針對高效率、高均勻性微波能應用及其產業化的需求，深入開展了連續波高效率民用磁控管及微波能應用系統的研究，提出了磁控管中非工作電流的概念，構建了三維磁控管粒子模擬模型，突破了高效磁控管的關鍵技術，產業化磁控管效率從74%提高到80%。發展了多物理場耦合模型改進了微波加熱的均勻性，在此基礎上首創了微波食品加熱的高效保濕技術，形成了價格提高30%以上的同類產品高端品牌。創立了“名校+名企”的分層次協同創新、技術開發與推廣應用模式。經過10年的工作，國內市場占有率從7.9%提高到44%。獲授權發明專利4

本發明公開了一種具有高傳輸效率可快速連續調節能量的降能 器，包括碳化硼能量粗調單元、石墨能量精調單元、束流準直器組、 運動控制模塊、真空模塊；碳化硼能量粗調單元實現能量的初級步進 調節，提高了束流傳輸效率；石墨能量精調單元可實現束流能量的連 續精準調節；準直器組可對束流發射度進行有效抑制，通過改變孔徑 實現了發射度的選擇；運動控制模塊可分別對碳化硼和石墨能量調節 單元進行快速運動控制，保證了能量的快速調節；真空模塊創造并維 持了真空環境。本發明的降能器可以實現束流能量的高傳輸效率、快 速、連續調節，

        研發團隊針對高性能、抗靜電熱控涂層材料開展自主科研攻關，研發出具有自主知識產權的白色氧化鋅導電粉體，與相關企業合作建立了100Kg級導電粉體中試生產線，完成了粉體批次穩定性驗證，突破了批量制備導電粉體穩定性差的瓶頸，形成了一套高性能白色氧化物導電粉體的標準生產工藝。產品技術指標經權威檢測機構檢驗達到或超過進口產品水平，并已通過國家航天領域應用驗證。同時，產品原料及生產成本遠低于進口產品，有望在我國民用市場普及。產品可應用于汽車、電子、紡織、橡膠和化工等領域的防靜電、節能、電磁屏蔽等，如輪胎橡膠添加劑、紅外反射涂層、防靜電涂層等，市場前景廣闊。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。

        技術成熟度：技術突破         傳統CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測、存儲、處理等多個分立系統構成，不可避免的增加了集成電路的復雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲器件、存算一體化技術及人工神經網絡等領域有著巨大應用潛力。         研發團隊發展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統人工視聽覺系統在容量、集成度、速度等方面的技術瓶頸問題，是實現高效智能視聽覺傳感系統的基礎。研發團隊首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽覺系統中模擬了速度檢測的多普勒頻移信息處理，進而實現高通濾波和處理具有相對時序和頻移的尖峰數據。這些結果為視聽覺運動感知的模擬提供了新機會，促進了其在未來神經形態傳感領域的應用。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持