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產品詳細介紹產品簡介：　　MesoMR巖心核磁共振成像分析儀是紐邁公司于2010年推出的多功能核磁分析儀，可實現巖心分析與巖心成像功能，還可搭配自主研發的多種硬件模塊（如低溫高壓控制模塊，高溫高壓功能模塊），可實現多種溫壓條件下的模擬研究。在地質研究、能源勘探等領域應用廣泛。　　根據客戶的實際需求，MesoMR巖心核磁共振成像分析儀器已有多種變體，可以從進樣方向、溫度控制、壓力控制、線圈口徑進行多方位組合，以滿足客戶的訂制化需求。技術指標：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強度：0.5±0.08T，儀器主頻率：21.3MHz；3、探頭線圈直徑：60mm；應用解決方案：1、常規條件下巖心分析 巖心、巖屑孔隙度與孔徑分布測量巖心、巖屑滲透率測量 巖心、巖屑流體飽和度測量束縛流體飽和度、可動流體飽和度、含油飽和度流體流動性/粘度分析 MRI孔隙流體分布測定 任意角度、多層面二維成像孔隙成像觀察 鉆井液含油含水率分析2、高壓驅替、變溫、凍融、吸附解吸、滲流研究等，請細情況請聯系我們應用案例一：孔隙與裂縫弛豫分析圖譜應用案例二：巖心裂縫成像注：儀器外觀如有變動，以產品技術資料為準。

產品詳細介紹　　同三維T201是北京同舟視達科技有限公司推出的最新的 HDMI 4K 采集卡，可采集 1 路 4Kx2KHDMI 超高清視頻信號(4096×2160@30fps或3840×2160@30fps)。同三維T201高清4K HDMI采集卡采用高速 PCI-Express×4 接口，達到 600-800MB/s 傳輸帶寬，并采用高速大容量圖像緩存技術，輕松達到更高的傳輸速率和質量;色彩空間轉換、畫面反轉、縮放和去隔行等圖像處理在 FPGA 內完成，極大地減少了 CPU 的負擔，高效率 DMA 傳輸方式進一步解放了 CPU 的能力，從而讓 CPU 專注于用戶指定的工作。4K HDMI 采集卡　　產品特性　　采集 1 路 4Kx2K HDMI 超高清視頻信號。　　輸入視頻信號可達 4096x2160@30fps 或 3840x2160@30fps。　　可采集 HDMI 中的 LPCM 音頻信號。　　微軟 AVStream 標準驅動，可支持大部分 Windows 上的多媒體視頻軟件或流媒體軟件。　　超小尺寸：122.18mmx68.88mm，符合 Low-Profile 規格。　　請注意：　　1. 因版權保護原因，用戶不得將本產品用于藍光播放機輸出高清信號的采集。　　高級特性　　高性能 DMA 傳輸功能。　　支持手工設定有效畫面區域功能，可用于畫面的剪裁和對特殊輸入信號時序的支持。　　輸入支持多階畫面縮放功能，具有三種針對畫面寬高比的縮放模式。　　支持垂直濾波和運動自適應去隔行功能。　　硬件色彩轉換，可輸出 YUYV、UYVY、NV12、I420、RGB24、RGB32 色彩格式。　　輸入支持色彩調節功能，可調節畫面的對比度、亮度、色彩飽和度、色相、Gamma;并可單獨調節 R，G，B 三色的亮度、對比度。　　輸入支持畫面水平、垂直反轉功能。　　固件可升級。　【產品規格】產品規格 主機接口 PCI-Express x4, Half-length, 700MB/s 傳輸帶寬 輸入接口 2 個 HDMI 接口2個板載擴展接口，通過線纜轉接出HDMI接口 HDMI視頻輸入 4 路 4Kx2K HDMI 超高清視頻信號(4 切 1) HDMI視頻輸入 4 路 LPCM 音頻信號（4 切 1） 標 準 HDMI輸入格式 符合HDMI 1.4a 標準，支持4096×2160@30fps 8-bit 輸出格式 40×30-3840×2160，幀率：1-100 fps 視頻采樣率 HDMI：297MHz 色彩空間 YUYV、UYVY、 NV12、I420、RGB24、RGB32 視頻處理 色彩空間轉換 硬件色彩轉換 去隔行 垂直濾波去隔行;運動自適應去隔行 畫面縮放 硬件5-Tap縮放 畫面反轉 水平;垂直 畫面剪裁 有 圖像調節 亮度/對比度/色調調節飽和度調節/黑白，彩色控制伽瑪值調節 (Gamma)單獨調節R/G/B三色的亮度、對比度 其 他 操作系統支持支持 以下操作系統的x86和x64版本：Windows XP ProfessionalWindows Server2003Windows VistaWindows Server 2008Windows 7Windows Server 2008 R2 兼容軟件 Windows Media EncoderAdobe Flash Media Live EncoderReal Producer PlusVideoLAN for Windows 板載內存 256MB DDR2，工作頻率為 160 Mhz，位寬 64bit 升級 固件可升級 安裝 可插入PCI-Express x4, x8 或 x16 插槽；可安裝在全高（4U）的機箱內 幾何尺寸 122.18mmx68.88mm 功耗 <= 6W 工作溫度范圍 0-50 攝氏度 保存溫度范圍 -20-70 攝氏度 保存濕度范圍 5%-90 % 　　標準附件　　Low-Profile 擋板 1 根　　請注意：　　1. PCI-Express 實際傳輸帶寬與主機芯片組和計算機主板相關，可能低于此處所寫數值。　　2. 實際輸出幀率受 PCI-Express 接口傳輸帶寬限制，可能低于設定值。高清HDMI 采集卡　　超高清畫質　　支持最新 HDMI 1.4a 標準，支持 4K 超高清分辨率，4K 分辨率是一種新興的數字電影及數字內容的解析度標準，其橫向解析度約為 4000 像素。4K 至少能提供近千萬像素的顯示品質，顯示細膩度為全高清的 4 倍。在此分辨率下，觀眾將可以看清畫面中的每一個細節，每一個特寫，影片色彩鮮艷、文字清晰銳麗，4k 電視機毫無疑問將成為未來電視的一個發展方向。　　3D HDMI　　3D 電視的消費者的認知度在逐漸增高，3D 技術的改進完善，價格日益平民化，3D 電視銷量將持續攀升，3D 功能將成為主流中高檔彩電的標配。T201-HDMI-4K 支持最新 HDMI 1.4a 標準，支持 3D 格式，打造立體影像產品。讓您在家也可享受不一樣的 3D 體驗。　　真正 HDMI 數字接口　　提供最高質量 HDMI 輸入，具有自適應均衡器，支持長達 30 米的 HDMI 輸入電纜，完全滿足特定環境用戶的需求。提供 4 路 HDMI 輸入，2 路通過擋板引入，2 路板上接口，可外接至機箱前端，可選擇其中 1 路作為當前采集接口，方便用戶使用。　　專業級視頻處理功能　　色彩調節功能，可調節畫面的對比度、亮度、色彩飽和度、色相、Gamma;并可單獨調節R，G，B三色的亮度、對比度;提供運動自適應去隔行效果，運動畫面不會發生拖尾現象，使得運動畫面更加清晰。　　出眾的圖像質量　　實時高質量采集，可以得到全分辨率超高清無壓縮視頻采集，確保從超高清素材輸出生成的超高清節目完全保留了原始的圖像質量。真正的鏡像采集，不存在任何損失或降低圖像質量的壓縮視頻，還原色彩更加高清逼真。有了高質量的素材，您的創造力可以得到盡情發揮。　　高性能　　高速PCI-Express×4接口，達到600-800MB/s傳輸帶寬，并采用高速大容量圖像緩存技術，輕松達到更高的傳輸速率和質量;色彩空間轉換、畫面反轉、縮放和去隔行等圖像處理在FPGA內完成，極大地減少了CPU的負擔，高效率 DMA傳輸方式進一步解放了CPU的能力，從而讓CPU專注于用戶指定的工作。　　全面兼容　　采用標準的 AV Stream 驅動，兼容使用 DirectShow 接口的各種音視頻采集軟件和使用 DirectSound 接口的音頻采集軟件，您無需二次開發，如：Windows Media Encoder;Adobe Flash Media Live Encoder;Real Producer Plus;VideoLAN for Windows。　　兼容多個應用程序同時采集　　具有SimuStream 功能，您可以同時使用多個應用程序同時采集單一信號源，每個通道不會降低幀率影響工作效率。　　超強穩定性　　所有芯片和電容元件使用進口高質量元件，采用 8 層板設計，信號品質優于同類產品，輕松通過超長時間全負荷工作，可連續工作 24h x7 不間斷。　　硬件“軟升級”　　采用同三維專用視頻處理引擎，具有高度的靈活性，您可以在不更換硬件的情況下，使用固件和驅動升級的方法升級同三維視頻處理引擎，在不需要更換芯片的條件下同樣達到硬件升級的效果，極大程度地降低了維護成本，享受完美服務。　　【應用領域】　　1、教育課件錄制、多媒體錄播錄像、會議錄制、視頻會議，遠程教育培訓;　　2、大屏幕拼接、電視墻行業、虛擬演播室、虛擬現實、工控等設備;　　3、安檢 X 光機、雷達圖像信號、VDR紀錄儀;　　4、醫療 X 光機、CT機、胃腸機等;　　此款同三維T201 HDMI 4K 采集卡可以說是目前國內市場上少有的多功能、多用途、穩定性強、采集視頻格式多等優點，支持 DirectShow 應用軟件為您的采集和流傳輸提供更多的選擇，歡迎來電咨詢：010-51295660。我們將竭誠為您服務。

        WMG-4型晶體折射率-溫度關系測定實驗儀是我公司華東師范大學合作研發的一套實驗儀器，該儀器是我們利用邁克爾遜干涉法測量固體材料折射率溫度特性，測量鉭酸鋰晶體和鈮酸鋰晶體折射率隨溫度變化的特性曲線。該實驗儀操作簡便，適用性廣泛，精確度較高，用此方法可以推廣到測量各種透明固體材料折射率溫度特性，頗具推廣價值。

專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。

本發明提供了一種用于三層結構薄膜的接料裝置，包括接料底板，設置在接料底板的一相對兩側，用于提供粘結膠帶的粘結膠帶組件；設置在接料底板的另一相對兩側，用于對接薄膜整齊對位的膠帶糾偏組件；設置在接料底板上用于接料時固定對接薄膜的壓合組件；以及設置在接料底板上方用于夾持三層結構薄膜各層的夾持組件。本發明實現三層結構薄膜的分層對接，整個裝置結構簡單，操作方便，易于實現。

一種機械疊層ALSB/CIS薄膜太陽電池,屬于一種半導體薄膜太陽電池的結構設計,它是由ALSB頂電池機械疊合在CIS底電池上而成的雙結四端薄膜太陽電池。其中ALSB頂電池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉積N型摻鋁氧化鋅導電層,然后沉積氧化鋅高阻層,再沉積硫化鎘緩沖層,隨后沉積銻化鋁吸收層以及碳納米管涂層作為透明導電層,最后,沉積鎳/鋁柵線而制成的太陽電池;而CIS底電池,指的是在SODA LIME玻璃上沉積鉬,然后沉積吸收層硒銦銅,再沉積緩沖層硫化鎘,隨后沉積高阻氧化鋅和摻鋁氧化鋅,最后沉積與頂電池相同形狀和大小的鎳/鋁柵線而制成的太陽電池。采用上述結構的疊層電池,可以選擇性地吸收和轉化太陽光譜的不同區域的能量,擴展光譜響應的范圍,有效地提高薄膜太陽電池的轉換效率。

其他成果/n本發明公開了一種安裝在汽車進氣系統上的薄膜吸振器，用于消除由進氣系統引起的至少一種車內噪聲，所述汽車進氣系統包括依次連接的進氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開設在所述進氣管振動異常處的開孔以及密封覆蓋在所述開孔外側的薄膜，所述開孔的孔徑小于進氣管的直徑。本發明在不增加進氣系統降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進氣系統低、中、高各頻率段噪聲。

“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.

  巨霍爾效應是納米鐵磁金屬顆粒薄膜中反常霍爾效應的巨大增強現象,是納米材料的新效應,本課題利用巨霍爾效應原理,制備出磁場靈敏度高達125AT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應用于霍爾器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。    本課題的研究,率先將納米體系的新效應巨霍爾效應原理應用于傳感器件領域,制備出具有實用價值的新型納米材料及微型霍爾器件,具有原始創新性。與傳統的半導體霍爾器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應的霍爾器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優點,因此具有更為重要的應用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩定性能優異、抗核輻射等優點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途,市場前景廣闊。   本課題利用巨霍爾效應原理,首次制備出磁場靈敏度高達125VAT、具有實用價值的新型的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;并將顆粒薄膜應用于霍爾器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件原型。主要創新點有將稀磁半導體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應用于傳感器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。    主要創新點有將稀磁半導體引入納米鐵磁金屬顆粒薄膜體系,替代絕緣體母體材料,使體系在厚度較小的情況下,仍能保持高溫鐵磁性;制備出不同種類的具有高靈敏和實用價值的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料;將具有巨霍爾效應的納米鐵磁金屬顆粒薄膜應用于傳感器件,替代現有的摻雜半導體活性層材料,制備出具有實用意義的新型霍爾器件。相關成果已獲國家發明專利授權九項。    本課題的研究,將巨霍爾效應這一納米體系的新效應應用于器件領域,以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現有霍爾器件的摻雜半導體活性層材料,是一個全新的技術,取得了多項具有原始創新性的技術成果,進一步推進了納米材料在新材料技術、電子信息技術等領域]應用    應用狀況:    與傳統的半導體霍爾傳感器件相比,基于納米鐵磁金屬顆粒薄膜巨霍爾效應的霍爾傳感器件具有體積小、制備工藝簡單、高度集成、靈敏度高等優點,因此具有更為重要的應用價值。特別是納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩定性能優異抗核輻射等優點,在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。

本發明公開了一種氧化鋅基底誘導取向生長的硒化銻薄膜的方 法，其特征在于，該方法是以特定取向的氧化鋅基底誘導生長具有擇 優取向方向的硒化銻薄膜；當氧化鋅基底為(100)取向時，誘導生長出 的硒化銻薄膜是以<、221>、方向為主導生長取向；當氧化鋅基底 為(002)取向時，誘導生長出的硒化銻薄膜是以<、120>、方向為主 導生長取向。本發明中的方法可應用于硒化銻薄膜太陽能電池的制備， 得到相應的硒