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本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬軟磁復(fù)合材料的非均勻形核絕緣包覆處理方法。它包括如下步驟：1）將金屬磁粉過(guò)篩進(jìn)行粒度配比；2）利用非均勻形核法對(duì)配好的金屬粉末進(jìn)行絕緣包覆后干燥；3）將干燥后的磁粉與粘結(jié)劑混合均勻，加入脫模劑干壓成型，將其壓制成坯樣；4）將坯樣于保護(hù)氣氛中保溫0.5~2h，空冷，噴涂，得到目標(biāo)產(chǎn)物。本發(fā)明采用非均勻形核法制備的復(fù)合粉末包覆均勻、致密，包覆層厚度可控，具有良好的抗氧化性、高的電阻率、高的飽和磁化強(qiáng)度，具有優(yōu)良的磁性能和力學(xué)性能；采用非均勻形核法在金屬磁粉表面均勻包覆一層Al2O3絕緣層，包覆效果優(yōu)于現(xiàn)有方法，且可操作性強(qiáng)，便于批量生產(chǎn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)磁鏈觀測(cè)的雙饋風(fēng)機(jī)低電壓穿越控制方法 及系統(tǒng)，適用于深度電網(wǎng)故障時(shí)雙饋風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)子側(cè)變流器的勵(lì)磁控制； 其具體實(shí)施方法為：一旦檢測(cè)到電網(wǎng)發(fā)生深度故障，將立即控制雙饋 風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)子電流以一定比例直接跟蹤定子電流，同時(shí)在轉(zhuǎn)子電流指令 中再注入一定的與定子電壓相關(guān)的補(bǔ)償項(xiàng)來(lái)提供動(dòng)態(tài)無(wú)功支撐；本發(fā) 明還提供了實(shí)現(xiàn)上述原理的控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖。本發(fā)明相對(duì)于滅磁控 制、磁鏈跟蹤等低電壓穿越勵(lì)磁控制方法，無(wú)需磁鏈觀測(cè)環(huán)節(jié)來(lái)生成 暫態(tài)控制指令，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、且能實(shí)現(xiàn)抑制電磁轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)或動(dòng)態(tài)無(wú) 功補(bǔ)償?shù)榷喾N控

以咔唑?yàn)橹行?，在?，7，9號(hào)為分別進(jìn)行芳基化，制備了新型的二維、三維的螺旋槳狀芳香性兩親物， 并通過(guò)折疊芳香性平面的組裝制備了空心球。與傳統(tǒng)的基于一維芳香性分子的超分子多孔材料相比，二、三維π-共軛組裝體在水溶液中提供了疏水性碳環(huán)境，可以吸附回收水中的有機(jī)污染物。研究結(jié)果表明，制備的介孔球?qū)τ袡C(jī)污染物—乙炔雌二醇（Eo）和雙酚A（BPA）的回收率分別為92％和90％。值得注意的是，介孔球可以識(shí)別鹽的濃度。隨著鹽的加入，折疊的芳香性分子被觀察到逐漸變得平坦，誘導(dǎo)強(qiáng)的π-π相互作用，使多孔球體融化并相連一起形成實(shí)心的纖維。這種多孔向無(wú)孔材料的轉(zhuǎn)變引發(fā)被吸附的污染物從多孔結(jié)構(gòu)中自發(fā)釋放，而隨后的透析使超分子多孔結(jié)構(gòu)恢復(fù)吸附容量。

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高超積累植物東南景天對(duì)重金屬超積累能力的方法，包括：將離體的東南景天植株切成含有完整腋芽的莖段，浸入無(wú)菌秋水仙素溶液中，密封避光，并放入溫度為25℃±1℃的搖床中振蕩；取出處理后的離體帶腋芽莖段經(jīng)無(wú)菌水沖洗后接種于分化培養(yǎng)基上，培養(yǎng)至腋芽處長(zhǎng)出叢生芽；將叢生芽接種于生根培養(yǎng)基中，生根培養(yǎng)為完整植株；取完整植株的嫩葉在流式細(xì)胞儀上檢測(cè)所獲得株系的倍性，選擇變異植株；取變異植株，切成莖段，在生根培養(yǎng)基中培養(yǎng)獲得無(wú)菌苗；變異植株與對(duì)照株在加鎘的培養(yǎng)基中進(jìn)行鎘處理，檢測(cè)其體內(nèi)鎘積累量。本發(fā)明通過(guò)誘導(dǎo)東南景天染色體加倍，再經(jīng)過(guò)檢測(cè)獲得加倍材料，提高東南景天對(duì)重金屬的超積累能力。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的肖特基型毫米波多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，所述金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，每個(gè)圖形對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料

本發(fā)明公開(kāi)了一種深孔加工用超細(xì)硬質(zhì)合金刀具材料的制備方法，其特征是采用VC-Co飽和固溶體為粘結(jié)相，并通過(guò)超聲分散和pH值調(diào)節(jié)使表面包覆吐溫80分子膜；采用（WC，VC）二元復(fù)合粉末實(shí)現(xiàn)VC對(duì)WC晶界面遷移抑制；控制用于提高紅硬性的(W，Ta)C粉末的重量*平均粒度=（WC，VC）粉末的重量*平均粒度，使二者顆粒數(shù)匹配。

浙江大學(xué)聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù) 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 如何通過(guò)超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機(jī)產(chǎn)品的產(chǎn)線應(yīng)用性能與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此外，作為各類半導(dǎo)體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場(chǎng)被美國(guó)、日本等國(guó)壟斷，使我國(guó)半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。浙江大學(xué)流體動(dòng)力與機(jī)電系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室啟爾團(tuán)隊(duì)所承擔(dān)的高端半導(dǎo)體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來(lái)在國(guó)家863計(jì)劃和國(guó)家02專項(xiàng)支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測(cè)試，為半導(dǎo)體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時(shí)自主研發(fā)的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)核心超潔凈流控零部件實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國(guó)外技術(shù)的封鎖，為我國(guó)半導(dǎo)體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。