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深部強流變破碎圍巖巷道高強注漿加固技術
受深部“三高一擾動”復雜環境影響，煤巖石往往表現出強流變性和剪脹擴容破壞特征，在中硬及以下圍巖條件下，圍巖表現出變形量大、變形持續時間長的特點，控制難度大。為此發明了大變形拉壓耦合注漿錨桿索和高強速凝微膨脹性注漿材料，提出了支護參數最優化設計方法，有效控制了圍巖變形，工程實踐驗證了技術成果的科學性和有效性。
山東科技大學
2021-04-22
一種銀錠榫桁條加固結構
本實用新型公開了一種銀錠榫桁條加固結構，涉及桁條修繕加固技術領域，包括桁條本體和銀錠榫，所述桁條本體的端部開設有銀錠榫榫頭，銀錠榫的兩端分別插入到兩個銀錠榫榫頭內，所述銀錠榫榫頭和銀錠榫的連接處固定連接有卡箍，所述桁條本體的下部設置有承托桁條本體的鋼板；利用銀錠榫榫頭和銀錠榫的連接結構，使桁條本體的折斷或糟朽處能夠重新的穩固連接；通過卡箍的作用，進一步提高穩固效果；本實用新型結構簡單，構造合理、新穎，能夠有效的對桁條進行修繕加固，大大的提高了結構的性能，降低了試驗試件性能破壞的風險，有利于古建筑的保
安徽建筑大學
2021-01-12
新一代建筑加固工程結構膠
本技術屬建筑加固新材料領域。建筑加固工程結構膠對于建筑加固市場的需求越來越大，經多年實踐經驗，長期潛心研究，研制而成新一代系列產品。加固結構膠已用于粘鋼加固、植筋錨固、裂縫封閉、碳纖維粘結和石材干掛等完整體系。
華東理工大學
2021-04-13
一種用于異構網絡上行鏈路的功率控制方法
本發明公開了一種用于異構網絡(HetNet)上行鏈路的功率控制方 法，具體為：首先定位用戶設備(UE)與對應接入點(AP)的距離，即 UE 向對應 AP 發送上行導頻信號，AP 接收上行導頻信號后根據導頻信號 經歷的路徑損耗確定 UE 與對應 AP 的距離。在同一個微小區內，對離 AP 不同距離的用戶提供不同的上行功率，此上行功率與距離呈冪函數 遞減的關系，即用戶距離 AP 越近，發射的上行功率越大。本發明 AP 和 UE 的位置分別建模為兩個獨立的齊次泊松點分布(PPP 分布)，并借 助隨機幾何研究該系統的性能。仿真結果分析證明，與傳統的功率控 制策略相比，本發明在提高平均傳輸速率的同時，也在一定程度上優 化了能量效率，從而使整個系統的性能得到有效提升。
華中科技大學
2021-04-11
基于能量效率的MISO-OFDM下行鏈路資源分配技術
可以量產/n該項目公開了一種基于能量效率的MISO-OFDM下行鏈路資源分配方法，包括步驟：將基站的總發射功率平均分配至基站所使用的子載頻集合 中的每個子載頻上，并將子載頻集合中的所有子載頻平均分配給所有通信中的用戶，確定分配給各用戶的子載頻數目，確定分配給各用戶的子載頻集合。在該發明總功率和各用戶容量下限的雙變量約束條件下，提出了一種兼具公平性和能效性的子載頻分配方案，通過此子信道化方案，實現系統能效的優化。該技術通過算法形式內置于無線網絡的基站內，可以有效提無線網絡中基站的能效，從
華中科技大學
2021-01-12
抗肥胖藥物開發
肥胖癥是一種危害人類健康的慢性疾病，被世界衛生組織列為威脅人類健康的十大疾病之一。目前肥胖的全球流行趨勢, 使它成為當今世界所面臨的嚴峻的公共健康問題。通過對各種細胞因子生理功能、作用機制的不斷深入了解，人們逐漸認識到肥胖不僅是脂肪組織的過度聚積，同時也是一種低水平的慢性炎癥狀態。因此，肥胖常伴隨著胰島素抵抗、2型糖尿病、脂肪肝、動脈粥樣硬化及退行性疾病(如癡呆)、呼吸道疾病、多種癌癥等由慢性炎癥引起的一系列健康問題。課題組發現孤兒核受體Nur77可以在線粒體上與TRAF2相互作用，促進線粒體自噬的
廈門大學
2021-01-12
抗噪聲通話系統
一. 應用范圍 凡是噪聲環境惡略、且需要通話的場合，都適用抗噪聲通話系統。二. 主要功能和技術指標噪聲環境下可實現多點控制雙向通話，支持有線、無線兩種工作方式，在噪聲環境高達120dB，能確保通話清晰、設備可靠。
北京理工大學
2021-04-13
抗噪聲通話系統
? 成果簡介：凡是噪聲環境惡略、且需要通話的場合，都適用抗噪聲通話系統。達到國外抗噪聲通話產品的性能指標。? 項目來源：自行開發? 技術領域：先進制造? 應用范圍：為航天醫學工程研究所研制的各種類型抗噪聲通話系統全部用于航天員訓練工作，解決噪聲對人體的侵害，提高噪聲環境下的工作效率。適合推廣應用。? 現狀特點：噪聲環境下可實現多點控制雙
北京理工大學
2021-04-14
中抗動碘
商品名稱：中抗動碘
規格：5% 50ml/瓶
類型：消毒劑
德州京信藥業有限公司
2021-09-10
系列高壓集成技術
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅動IC、不同電壓需求的高壓開關IC、D類功率放大器、電機驅動IC等的研制，滿足照明、工業控制、汽車電子、電機驅動、消費電子等領域的需求。具體包括： 硅基：（1）超低比導通電阻700V單晶型BCD工藝；（2）600V外延型BCD工藝；（3）1200V外延型BCD工藝；（4）48V高功率BCD工藝；（5）40V高壓雙極型工藝。 SOI基：（1）600V 厚層SOI BCD工藝；（2）650V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（3）300V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（4）200V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（5）100V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（6）40V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（7）-200V SOI高壓CDMOS工藝；（8）-100V SOI高壓CDMOS工藝。
電子科技大學
2021-04-10