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基于新材料的新型真空電子器件的基礎研究
本項目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場發射特性以及它們在高效率、高功率和高頻率的真空電子器件中的應用。相關SCI論文共計153篇，SCIE數據庫中的他引次數為1058次，代表性論文被《自然-納米技術》、《物理評論快報》、《先進材料》等國際頂級期刊上發表的SCI論文他引157次。這些學術成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學問題，在國際真空電子學領域產生了重大的影響。
電子科技大學
2021-04-14
一種采用混合型功率器件的光伏逆變器
本發明涉及光伏并網逆變器技術領域。包括由功率電路組成的功率逆變單元和逆變控制單元兩部分，功率逆變單元主要包括輸入EMI 濾波電路、交錯并聯 Boost 升壓電路、采用混合器件的全橋逆變電路、輸出并網濾波電路，逆變控制單元主要包括電網相位檢測電路、采樣電路、及控制器。本發明采用雙級結構，前級采用交錯并聯 Boost升壓，減小了電流的波動，降低了輸出電壓紋波；后級逆變單元采用混合功率器件，有效減小了逆變損耗，提高系統效率
華中科技大學
2021-04-14
一種可重復利用柔性有機電致發光器件
本發明公開了一種可重復利用柔性有機電致發光器件，從下至上依次包括印有圖文信息的塑料薄膜 層、不干膠層、陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極層；所述的不干膠層通過滾涂方式粘 附在陽極層上；所述陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極層通過真空蒸鍍方式緊密貼合在 一起，所述的塑料薄膜層與不干膠層可反復剝離與粘結地貼合在一起。本發明所制得的柔性有機電致發 光器件作為薄型燈箱的光源，可以通過塑料薄膜層的反復剝離與粘結達到重復使用的目的，使圖
武漢大學
2021-04-14
高光溢出效果半導體納米晶器件微結構的構筑
本成果以原有的直寫型3D打印技術為基礎，通過對于現有3D打印技術的進一步開發，實現簡便，高效的微結構構筑技術。實現微結構納米晶器件的高效構筑，進一步提升器件的光溢出效率。
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、技術分析
成果源于國家自然科學基金“異價摻雜量子點的合成、聚合物基復合塊體3D打印制造與性能研究”，項目編號51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術為基礎，通過對于現有3D打印技術的進一步開發，實現簡便，高效的微結構構筑技術。實現微結構納米晶器件的高效構筑，進一步提升器件的光溢出效率。傳統發光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內部向空氣傳播時，部分光會在器件的內表面發生全反射，從而無法實現高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報道的塊體熒光器件內部發出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內部微結構構筑為基礎，通過微結構在器件內部的全反射界面構筑，改變光在材料內部的傳輸路徑，實現器件正面的光溢出效果增強。
本專利的高光溢出效果可以廣泛的應用于激光器、LED照明領域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計將此技術用于實際器件中，可以實現2倍以上的提升，這就意味著對于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據統計2021年，全球照明市場總市值達到8089億元。照明技術是任何一個國家與地區都不可或缺的，高效的照明技術不僅可以為解決全球的能源危機提供有效解決途徑，同時為減少碳排放作出巨大貢獻，產生巨大的經濟效益。
北京理工大學
2022-08-17
微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法
本發明公開了一種微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結構。本發明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體
華中科技大學
2021-04-14
中國科大在氧化鎵功率電子器件領域取得重要進展
課題組基于NiO生長工藝和異質PN的前期研究基礎（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），設計了結終端擴展結構（Junction Termination Extension, JTE），并優化退火工藝，成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質結二極管。
中國科學技術大學
2022-06-02
高溫壓電振動能量回收器件和高溫驅動器
傳統PZT壓電陶瓷應用廣泛，但在居里溫度較低，環境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應用提出了新的挑戰。北京大學工學院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍 - 鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于 d31模式和d33模式的應用于高溫環境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩定地工作在 150℃以上的高溫環境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數和相應的輸出功率比室溫時提高一倍以上。
與壓電能量回收器不同的是，壓電驅動器是一種利用壓電效應，將電能轉化為機械能實現納米級驅動的器件，壓電驅動器利用壓電材料的準靜態逆壓電效應實現10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應制備高溫壓電馬達。
北京大學
2021-04-13
電子元器件激光機飲料瓶蓋激光打碼噴碼機
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上海康彥電子科技有限公司
2021-08-23
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
一種基于運算放大器的憶阻器編程電路及其操作方法
本發明公開了一種基于運算放大器的憶阻器編程電路及其操作 方法，編程電路包括：阻變元件、運算放大器、脈沖開關、第一電阻； 運算放大器的反相輸入端作為編程電路的輸入端，同時連接阻變元件 的一端；阻變元件的另一端連接脈沖開關的一端，同時連接第一電阻 的一端；第一電阻的另一端作為編程電路的輸出端，同時連接運算放 大器的輸出端；脈沖開關的另一端作為脈沖輸入端；運算放大器的同 相輸入端接地。本發明利用阻變元件的閾值電壓性質，通過
華中科技大學
2021-04-14