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高可靠憶阻器件及其視聽覺傳感應(yīng)用
技術(shù)成熟度：技術(shù)突破
傳統(tǒng)CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測、存儲、處理等多個分立系統(tǒng)構(gòu)成，不可避免的增加了集成電路的復(fù)雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲器件、存算一體化技術(shù)及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著巨大應(yīng)用潛力。
研發(fā)團隊發(fā)展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統(tǒng)人工視聽覺系統(tǒng)在容量、集成度、速度等方面的技術(shù)瓶頸問題，是實現(xiàn)高效智能視聽覺傳感系統(tǒng)的基礎(chǔ)。研發(fā)團隊首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽覺系統(tǒng)中模擬了速度檢測的多普勒頻移信息處理，進而實現(xiàn)高通濾波和處理具有相對時序和頻移的尖峰數(shù)據(jù)。這些結(jié)果為視聽覺運動感知的模擬提供了新機會，促進了其在未來神經(jīng)形態(tài)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。
意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持
東北師范大學(xué)
2025-05-16
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陽離子基阻變器件電流-保持特性
已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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一種基于憶阻器件的神經(jīng)元電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器件的神經(jīng)元電路，本發(fā)明中，突 觸陣列的憶阻器選用部分易失性雙極性電阻轉(zhuǎn)變器件，表達神經(jīng)元膜 電位的憶阻器選用易失性電阻轉(zhuǎn)變器件，構(gòu)建神經(jīng)元電路，并具有突 觸基本單元。該神經(jīng)元電路能夠?qū)崿F(xiàn)生物神經(jīng)元中的整合放電功能， 表達出局部分級電位，突觸具有部分易失性，可以表達活動時序相關(guān) 的可塑性，與生物學(xué)上神經(jīng)元與突觸在信息存儲、傳遞與處理方面有 極大相似性。本發(fā)明可以為硬件模擬大腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)提供基
華中科技大學(xué)
2021-04-14
東北師范大學(xué)在憶阻材料與器件領(lǐng)域取得重要進展
憶阻器具有運行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優(yōu)勢，在信息存儲、邏輯運算、類腦計算等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，被視為推進信息技術(shù)發(fā)展的一種變革性技術(shù)。
東北師范大學(xué)
2022-06-08
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低阻測量
"專業(yè)測量低阻的發(fā)明儀器：可測最低阻值0.000001Ω；在實際應(yīng)用中，還可測0.000001V的交流電壓和0.000001A的交流電流。 "
廈門大學(xué)
2021-04-10
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神經(jīng)形態(tài)憶阻器
傳統(tǒng)計算機采用分立的處理器和存儲器，所有計算數(shù)據(jù)都要通過總線進行搬運，造成了存儲墻、功耗墻等突出問題。基于憶阻器的神經(jīng)形態(tài)器件能夠在物理層面模擬生物突觸、神經(jīng)元信息處理功能，從而實現(xiàn)局域的存算融合，從根本上解決馮諾依曼瓶頸，帶來巨大的性能和能效提升。
北京大學(xué)
2021-02-01
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柔性儲能器件及傳感器件
利于層狀納米材料比表面積大的特點，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級電容器，及葡萄糖傳感器。超級電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國際先進水平，成果先后發(fā)表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重慶大學(xué)
2021-04-11
阻變存儲器集成
已有樣品/n垂直結(jié)構(gòu)的高密度三維交叉陣列，結(jié)合了3D-Xpoint以及3D-NAND兩種架構(gòu)的優(yōu)勢，具有制備工藝簡單，成本低廉以及集成密度高等優(yōu)點。劉明團隊在前期四層堆疊結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）實現(xiàn)了8層結(jié)構(gòu)的設(shè)計，進一步驗證了RRAM三維結(jié)構(gòu)微縮至5nm以下的可能性。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
復(fù)合阻流體無閥壓電泵
異形復(fù)合阻流體無閥壓電泵，泵腔端面上安裝有壓電振子；泵座上設(shè)置有阻流體，泵側(cè)壁上設(shè)置有連接泵腔與外界的第一、第二流體進出管，第一、第二流體進出管對稱設(shè)置在泵側(cè)壁上，阻流體包括前導(dǎo)體和主阻流體，前導(dǎo)體和主阻流體均為對稱型結(jié)構(gòu)，對稱軸重合，對稱軸的兩端分別朝向第一、第二流體進出管；前導(dǎo)體具有引流面和阻流面，引流面朝向第一流體進出管，流體進出泵腔時，起分流引導(dǎo)作用；阻流面朝向主阻流體，流體進出泵腔時，起阻流引導(dǎo)作用；主阻流體包括引流面和阻流面，引流面朝向前導(dǎo)體的阻流面，阻流面朝向第二流體進出管。異形復(fù)合阻流體無閥壓電泵較采用形狀規(guī)則的阻流體的無閥壓電泵可實現(xiàn)更好的泵送效果。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-13
大流量阻流體無閥壓電泵
大流量無閥壓電泵，其泵座上呈圓周均布有多個阻流體組，沿泵座側(cè)壁具有貫通泵座長度方向的流體流出通道，泵座上具有一出液孔，出液孔與流體流出通道相通；還包括分流環(huán)，安裝在泵腔的分流環(huán)安裝槽上，沿分流環(huán)的側(cè)壁的一周設(shè)置有側(cè)進液孔；分流環(huán)上端面設(shè)置有至少一個上進液孔；泵腔上端面設(shè)置有至少一個進液孔，與分流環(huán)上進液孔的數(shù)量相同，位置相匹配。本發(fā)明改進了泵座的結(jié)構(gòu)，增加了分流環(huán)，可實現(xiàn)大流量流體輸出及多種流體的混合，擴大了無閥壓電泵的應(yīng)用領(lǐng)域。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-11