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本發(fā)明屬于電法地質(zhì)預測相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，并公開了一種適用于 測試固相試樣與供電電極之間面極化效應的系統(tǒng)，其包括信號發(fā)生單元、試樣測量單元、數(shù)據(jù)采集單元和中央處理單元，其中信號發(fā)生單 元用于產(chǎn)生幅值恒定且頻率變化的正弦波電壓信號，然后放大及轉(zhuǎn)換 為幅值恒定的正弦波電流信號;試樣測量單元在供電電極與固相試樣 之間的界面上加載正弦波電流信號來激發(fā)極化效應，并采用多個測量 電極等距插入固相試樣中，由此對各測量點與供電電極之間的電壓值 進行測量;數(shù)據(jù)采集單元多通路采集測量數(shù)據(jù)，然后輸送至中央處理 單元計算得出結(jié)果

突觸前神經(jīng)元釋放的谷氨酸結(jié)合并激活突觸后膜的AMPA型谷氨酸受體，介導離子的流動，改變突觸后神經(jīng)元的電活動，從而將神經(jīng)信號從一個神經(jīng)元（突觸前）傳遞給下一個神經(jīng)元（突觸后），因而AMPA受體在人類行為、認知、情感等各種神經(jīng)活動中起關(guān)鍵作用。

成果描述：本發(fā)明公開了一種八邊形和四邊形管片環(huán)向交替拼裝的隧道管片襯砌結(jié)構(gòu)，包括四邊形管片和八邊形管片，八邊形管片的兩側(cè)為兩個長邊，八邊形管片的兩端邊緣分別形成無底邊的等腰梯形，每一個八邊形管片兩側(cè)的兩個側(cè)面分別用于與相鄰的四邊形管片兩側(cè)的長端面連接，每一個八邊形管片兩端的四個斜端面分別用于與另外的八邊形管片兩端的斜端面連接，每一個八邊形管片兩端的正端面分別用于與相鄰的四邊形管片兩端的短端面連接。本發(fā)明采用特定形狀的八邊形管片與四邊形管片相結(jié)合的管片襯砌結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)盾構(gòu)機掘進和管片快速拼裝同步進行的目的，顯著提高了施工效率，拼裝的隧道管片襯砌的整體剛度明顯增強，管片預制所需模板類型較少。市場前景分析：軌道交通基礎設施建設領(lǐng)域。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：技術(shù)先進，性價比較高。

針對長大反坡隧洞高壓富水特點，創(chuàng)建了大涌水量排水系統(tǒng)，構(gòu)建了大埋深高滲壓隧洞涌水BP網(wǎng)絡預測模型，能夠準確快速預測出隧洞涌水量。提出了區(qū)間統(tǒng)計平均能量釋放率和微震監(jiān)測相結(jié)合的巖爆預測方法。建立了硬巖損傷模型，對大涌水隧洞圍巖力學行為進行了有效分析。成果對水電站和隧道及地下鐵道建設提供了重要技術(shù)支持。  

本發(fā)明公開了一種八邊形和四邊形管片環(huán)向交替拼裝的隧道管片襯砌結(jié)構(gòu)，包括四邊形管片和八邊形管片，八邊形管片的兩側(cè)為兩個長邊，八邊形管片的兩端邊緣分別形成無底邊的等腰梯形，每一個八邊形管片兩側(cè)的兩個側(cè)面分別用于與相鄰的四邊形管片兩側(cè)的長端面連接，每一個八邊形管片兩端的四個斜端面分別用于與另外的八邊形管片兩端的斜端面連接，每一個八邊形管片兩端的正端面分別用于與相鄰的四邊形管片兩端的短端面連接。本發(fā)明采用特定形狀的八邊形管片與四邊形管片相結(jié)合的管片襯砌結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)盾構(gòu)機掘進和管片快速拼裝同步進行的目的，顯著提高了施工效率，拼裝的隧道管片襯砌的整體剛度明顯增強，管片預制所需模板類型較少。

全三維粒子模擬軟件CHIPIC是國家*63計劃*03主題支持項目“***粒子模擬軟件研發(fā)”的主要研究內(nèi)容，其研究目的是在堅實理論基礎指導下，深入開展強波粒相互作用理論及HPM和HPMM相關(guān)理論研究，建立強流相對論互作用的理論體系，為高功率微波器件理論研究提供一款實用的粒子模擬軟件。 因為粒子模擬軟件在軍事領(lǐng)域有重大應用價值，國外的一些先進粒子模擬軟件對我國是禁運的（如美國的MAGIC），從而一些內(nèi)部技術(shù)對我國也是封閉的。本軟件是完全依靠國內(nèi)的自身條件研制完成的，是具有完全知識產(chǎn)權(quán)的軟件。由本軟件運算的準確性（與國外軟件比較驗證）可以證明本成果使用的技術(shù)線路是完全可與國外軟件媲美的。 該項目完成了三維電磁粒子模擬理論與算法、軟件設計、軟件測試等研究內(nèi)容，突破了高效并行計算、大尺度結(jié)構(gòu)建模、三維PIC/MCC混合算法等關(guān)鍵技術(shù)，設計了友好的圖形化輸入界面及多窗口輸出界面，形成了功能完整的CHIPIC3D模擬軟件。并最終應用于對高功率微波源、真空電子學太赫茲源、脈沖功率真空器件等進行三維粒子模擬。 該項目主要技術(shù)指標如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標系下實現(xiàn)了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結(jié)構(gòu)的高功率微波源及太赫茲波源器件進行三維粒子模擬，模擬結(jié)果與實驗吻合。2.采用基于消息交換與共享內(nèi)存相結(jié)合的并行計算方法，使加速比達到30以上;3.采用分段建模并行計算的方法，能對30米以上大尺度精細結(jié)構(gòu)進行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質(zhì)表面二次電子倍增、氣體放電及介質(zhì)表面擊穿等復雜物理問題；5.采取面向?qū)ο蟮姆椒ǎ芴峁┯押玫膱D形化的輸入界面及多窗口輸出界面。 目前該軟件已在中國工程物理研究院流體物理研究所、中國工程物理研究院應用電子學研究所、北京應用物理與計算數(shù)學研究所、國營第七七二廠、四川大學電子信息學院、西南交通大學等單位應用。從軍事應用角度來看，該軟件將縮短我國高功率微波源的研究周期，從而加快我國軍隊相關(guān)武器裝備的研究進程；從經(jīng)濟效益角度來看，該軟件避免了大量的重復加工及重復試驗，節(jié)約了大量的人力物力，從而為用戶單位帶來巨大的經(jīng)濟效益。

一種具有溫度補償?shù)膶挏囟热停希与妷夯鶞试矗O有啟動電路、基準核心電路、由溫度檢測電路、溫度邏輯開啟電路和高低溫溫度補償電路構(gòu)成的溫度補償電路。啟動電路向基準核心電路注入電流使其正常工作，基準核心電路基于閾值電壓和熱電壓的一階溫度補償原理，采用ＣＭＯＳ型自偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生電流并經(jīng)過有源負載產(chǎn)生基準電壓ＶＲＥＦ，溫度檢測電路提取ＭＯＳ器件的閾值電壓進行溫度檢測，經(jīng)溫度補償邏輯開啟電路進行邏輯處理后輸出給高低溫溫度補償電路，高低溫溫度補償電路針對對不同的工作溫度范圍進行補償并將補償結(jié)果反饋耦合到基準核心電路輸出的基準電壓中，實現(xiàn)寬溫度工作條件下低溫度系數(shù)和高電源抑制比的全ＭＯＳ電壓基準源。

成果描述：該技術(shù)與磷酸二氫鉀技術(shù)類似，采用濕法稀磷酸為原料，用溶劑萃取磷酸，得到凈化稀磷酸，再用氨中和，經(jīng)過濾、濃縮、結(jié)晶得到全水溶MAP。該技術(shù)的優(yōu)點是P2O5萃取率高，原料酸中80 %的P2O5進入到產(chǎn)品中。自動化程度高、產(chǎn)品質(zhì)量好、可大規(guī)模工業(yè)化，適合大型磷肥企業(yè)，走肥鹽結(jié)合道路。市場前景分析：磷酸二氫銨主要用作肥料和木材、紙張、織物的防火劑、滅火劑、阻燃劑、玻璃材料、磷酸鐵鋰材料和基體改進劑，也用于制藥和反芻動物飼料添加劑。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：產(chǎn)品磷酸二氫銨為白色粒狀晶體。磷酸二氫銨含量在99.0 %以上，相對密度1.803，熔點190 °C，易溶于水，1 %水溶液pH值為4.5。國際先進。