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鐵礦粉顆粒表面鐵晶須形成與生長機制研究
采用試驗檢測與理論分析相結合、宏觀測試與微觀結構分析相結合氣固還原反應基本原理與分子動力學模擬相結合的方法，研究了氣固還原過程中的鐵氧化物顆粒表面鐵晶須的形成、生長形態；研究還原氣體組成、溫度、脈石成分或添加劑、表面改質預處理等對顆粒表面新生鐵晶須生長狀態、生長速度的影響和作用機理，重點探明鐵礦粉顆粒表面鐵晶須的形成、長大的機理，以及鐵礦粉顆粒間鐵顆粒間的粘結、橋接方式和相互作用規律；為揭示流態化還原中鐵礦粉粘結失流問題及其控制奠定理論基礎和參考依
重慶大學
2021-04-14
高光溢出效果半導體納米晶器件微結構的構筑
本成果以原有的直寫型3D打印技術為基礎，通過對于現有3D打印技術的進一步開發，實現簡便，高效的微結構構筑技術。實現微結構納米晶器件的高效構筑，進一步提升器件的光溢出效率。
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、技術分析
成果源于國家自然科學基金“異價摻雜量子點的合成、聚合物基復合塊體3D打印制造與性能研究”，項目編號51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術為基礎，通過對于現有3D打印技術的進一步開發，實現簡便，高效的微結構構筑技術。實現微結構納米晶器件的高效構筑，進一步提升器件的光溢出效率。傳統發光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內部向空氣傳播時，部分光會在器件的內表面發生全反射，從而無法實現高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報道的塊體熒光器件內部發出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內部微結構構筑為基礎，通過微結構在器件內部的全反射界面構筑，改變光在材料內部的傳輸路徑，實現器件正面的光溢出效果增強。
本專利的高光溢出效果可以廣泛的應用于激光器、LED照明領域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計將此技術用于實際器件中，可以實現2倍以上的提升，這就意味著對于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據統計2021年，全球照明市場總市值達到8089億元。照明技術是任何一個國家與地區都不可或缺的，高效的照明技術不僅可以為解決全球的能源危機提供有效解決途徑，同時為減少碳排放作出巨大貢獻，產生巨大的經濟效益。
北京理工大學
2022-08-17
一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法
本發明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
華中科技大學
2021-04-14
凹凸棒石礦物的棒狀晶束納米化解離
中國是凹凸棒石粘土礦的資源大國，但是由于成礦條件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在著一定的礦物學局限性。比如氣候條件、地質環境與礦床成分的不同，都會影響凹凸棒石粘土的形成、晶體發育、元素組成等，所以，含量較高、單晶體發育良好的礦床很少，極大部 分的天然凹凸棒石粘土礦物中凹凸棒石粘土的含量都低于 50%，通常，在凹凸棒石粘土礦物開采之后，都要對其進行提純處理，將其中的伴生礦物與之分離，同時，在提純過程中減小礦物粒徑，提高分散性， 使包含于凹凸棒石粘土聚集體中以及晶體束中間的雜質去除，獲得均勻、完整的凹凸棒石
蘭州大學
2021-01-12
乾立微晶款護眼教室燈-全護眼教育照明產品
深圳鵬翔智明光電科技有限公司
2021-08-23
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司，位于安徽省合肥市國家高新技術開發區，是一家專業面向集成電路人才培養的實體企業，青軟晶芒攜手擁有5000顆芯片設計經驗的集成電路產教融合和設計服務平臺——青軟晶尊微電子，共同打造面向國內提供集成電路領域產教融合整體解決方案的領先企業。
青軟晶芒致力于打造集成電路人才培養新模式，通過集成電路產業學院共建/專業共建，產教融合平臺共建，集成電路大賽，師資培共建，實驗實訓平臺訓，工信部培訓認證，新工科優訓營，課程改革等多種合作模式，推動集成電路教育與產業的無縫銜接，為客戶創造價值。
青軟晶芒擁有自主知識產權集成電路設計專利證書，軟件著作權等十余項，愿通過校企合作和院校一起為集成電路人才培養做出貢獻。
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
2021-12-07
青島青軟晶尊微電子科技有限公司
青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國內面向集成電路設計領域提供產教融合整體解決方案的領先企業。具有五千顆芯片設計經驗的集成電路設計服務與教育培訓公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長三角經濟帶，形成東部沿海發展網絡，打造國內一流的集成電路設計服務與教育培訓基地。同時借助臺灣業務平臺，開拓國際業務，積極部署國際化發展戰略。
青軟晶尊集成電路設計服務始于1996年，為國內最早從事集成電路設計服務的企業，公司擁有20余年的集成電路設計服務經驗，向客戶提供高速DDR存儲類芯片、固態射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅動、AD/DA轉換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設計服務。為客戶累計完成5000余顆芯片的設計。公司依據高品質的設計服務能力，在美國、日本、臺灣及國內積累了長期、穩定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業，并通過國際DNV信息安全風險管理體系認證。
青島青軟晶尊微電子科技有限公司
2021-12-07
世界首例 | 西湖大學仿生型潛水器成功下潛海底2000米做實驗
此次南海實驗，是世界范圍內采用仿生結構驅動的潛水器在2000米深度的首次成功嘗試，也標志著“西谷I號”成為目前深度最大，且真正具有深海作業能力的新一代仿生型潛水器樣機。
西湖大學
2023-06-05
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11