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中試階段/n透明導電薄膜是平臺式材料，是光電產業上游重要產品。柔性透明導電薄膜可以用于大尺寸柔性觸控，柔性顯示與照明、薄膜太陽能電池，可穿戴設備等戰略性新興柔性光電子產業，解決陶瓷基透明電極面臨主要成分的資源短缺和固有的脆性等不利因素，在相關領域取代ITO薄膜及金屬網格。本項目開發從材料到薄膜加工工藝的全鏈條技術，開發一系列面向不同光電器件需求的產品。目前，團隊通過第三方機構認證的樣品透過率導電性耐彎折特性處于國際先進水平。目前，正在進行小試階段的研發工作，高純原料和部分裝備可國產化。

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結構簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復制到鎳質金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現全息圖像。

根據多層膜光學干涉的原理，當光線照射到薄膜，在進入各膜層時由于各膜層的光 學性質不一樣使得有些光相干相長，有些光相干相消，隨著觀察者視角的變化薄膜呈現 不同的顏色。早在 1973 年加拿大國家研究院的 J.A.Dob-railski 等人就預見了變色薄 膜在防偽領域中的應用前景，并于 1987 年首次應用于 50 圓的貨幣上。稍后美國人也研 制出有金色變到綠色的全介質變色薄膜。再以后又有人與瑞士 SICPA 公司合作將變色薄 膜作為顏料摻入到油墨中，研制成光變色油墨?，F在許多國家的護照、簽證和貨幣上都 用上了光變色油墨。 光變色薄膜的光變色功能來自于多層膜的復合特性，光變色效果與組成該薄膜的各 膜層的材料性質、厚度以及膜層之間的組合有關。薄膜多采用金屬膜與金屬氧化物介質 組合，用物理方法（如熱蒸發、電子束或離子鍍、磁控濺射等）鍍制薄膜。金屬氧化物 介質膜用物理方法鍍制質量控制比較困難，效率低，成本也比較高。同濟大學課題組用 氣凝膠或有機材料替代金屬氧化物，材料性能穩定，可進行大面積快速涂膜，效率大大 提高，成本也很低。

透明導電氧化物薄膜具有良好的導電性能和透光性能，廣泛應用于平面液晶顯示（LCD）、電致發光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當一段時間內, In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導電氧化物薄膜得到了極廣泛的應用，但ITO 薄膜中的銦有毒，在制造和應用中對人體有害；ITO 中的In2O3 的價格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應用。新型透明導電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩定性要優于ITO，在很多領域特別是太陽電池領域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢。本產品是多層ZAO透明導電膜，具有透過率高和電阻率低的優點，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結構應用于薄膜太陽能電池中。 透明導電膜的主要性能指標有兩個：透過率和方阻。產業化對透明導電膜透過率的要求一般要達到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區域的平均透過率大于９５％，是國際最高水平。國外科研人員制備的ZAO透明導電膜室溫電阻率最低可達3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達3Ω/□。國內制備的ZAO透明導電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數量級。 本產品具體性能指標是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發展的產業。國務院剛剛頒布的《可再生能源中長期發展規劃》中明確提出：到2010年，太陽能發電總容量達到30萬千瓦，其中全國將建成1000個屋頂光伏發電項目，總容量5萬千瓦，大型并網光伏電站總容量2萬千瓦；到2020年，太陽能發電總容量達到180萬千瓦，其中全國建成2萬個屋頂光伏發電項目，總容量100萬千瓦，太陽能光伏電站總容量將達到20萬千瓦；另外，光伏發電在通訊、氣象、長距離管線、鐵路、公路等領域的應用，計劃到2010年也將累計達到3萬千瓦，到2020年將達到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場將從2000年的10億美元到2015年擴大到1500億美元。透明導電薄膜是太陽電池中關鍵的薄膜，需求巨大。

薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）本質上是一種場效應晶體管，其電性質與傳統的MOS場效應管一樣，都是利用垂直于導電溝道的電場強度來控制溝道的導電能力來實現系統放大，這被稱為電導率調制或場效應原理。同時它也是良好的開關元件，當柵源電壓小于閾值電壓時器件截止，反之導通。場效應管是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，不吸收信號源電流，不消耗信號源功率，因此它的輸入阻抗很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強、便于集成等優點。 與硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁帶寬度大、透明等優異的半導體特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成為平板顯示器件的像素開關。若使用ZnO-TFT作為有源矩陣驅動的開關元件有以下明顯優勢： (1) ZnO為寬禁帶半導體材料，可以避免可見光照射對器件性能的影響，保證顯示器的清晰度不受太陽光照的影響； (2) 提高開口率，提高顯示器的亮度，進而可以降低功耗； (3) 如果存儲電容也用透明材料制備，制備全透明顯示器件便成為可能； (4) 對襯底要求不高。ZnO薄膜的生長溫度較低，即使室溫條件下也可以生長高質量ZnO薄膜，因此襯底可以選擇廉價的玻璃或者柔韌性塑料等，這又是柔性顯示器成為可能； (5) ZnO具有很好的載流子遷移率，使得ZnO-TFT既具有很高的開態電流，又有效的抑制關態電流的增加；研究ZnO-TFT的另一個重要意義在于推動透明電子學的研究。ZnO-TFT的實現對透明電子學來說是一個富有成效的進展，具有里程碑的意義，為制造透明電路和系統創造了條件。

將石墨烯進行二維或三維組裝，制備透明可導電薄膜、復合導熱膜及吸附材 料技術。

1.亞毫米尺寸單層導電納米材料，實現高產量產率原 子級薄樣品的宏量制備。 2. 成膜平整，粗糙度在 10 納米以內，平整度遠好于 ITO 和銀納米線薄膜。 3. 膜具高透光率和柔性，其導電性優于 ITO 。

本發明公開了一種具備高熱穩定性的柔性透明導電薄膜的制備 方法，包括：步驟一，在平整光滑的目標襯底表面，均勻涂覆呈一維 結構的導電金屬納米材料，并形成為導電網絡結構；步驟二，在具有 導電網絡結構的目標襯底表面上，刮涂形成含氟聚酰亞胺的前驅體涂 層；步驟三，通過梯度升溫的方式來對含氟聚酰亞胺前驅體涂層執行 固化處理；步驟四，將完成上述固化后的含氟聚酰亞胺膜層從目標襯 底予以剝離，由此制得所需成品。本發明還公開了相應的柔性

本發明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發明還公開了該

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