|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
PT100型號薄膜鉑電阻低溫溫度計PI封裝形式
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-01
一種光透明化生物組織的包埋劑、包埋方法及應用
本發明公開了一種光透明化生物組織的包埋劑及其包埋方法。包埋劑為高折射率丙烯酸酯樹脂，包括 A、B 兩個組分；A 組分包括按重量份計，90 至 100 份的丙烯酸酯樹脂單體、0 至 10 份的二丙烯酸酯交聯劑；B 組分包括按重量份計，少于或等于 10 份的烯基聚合引發劑；A 組分和 B 組分的重量配比在 90:10 至 999:1 之間。采用本發明的包埋劑包埋生物組織，生物組織的光透明化程度高，方法簡單易操作，內源性熒
華中科技大學
2021-04-14
一種納米壓印制備柔性透明表面增強拉曼散射基底的方法
本發明專利公開了一種柔性透明表面增強拉曼散射基底的制備 方法。該方法結合了多孔氧化鋁模板與納米壓印技術。首先，利用陽 極氧化方法制備了多孔氧化鋁模板；然后，在多孔氧化鋁模板上沉積 貴金屬納米顆粒；最后，利用納米壓印技術將多孔氧化鋁模板的納米 結構和貴金屬納米顆粒轉移到聚合物薄膜上，得到一種柔性透明的表 面增強拉曼散射基底。基底具有優異透明性、柔性、均勻性及高靈敏 度，可以應用在瓜果蔬菜表面農藥殘留的原位探測、水溶液中
華中科技大學
2021-04-14
一種復合透明電極及包含此電極的有機太陽能電池
本發明公開了一種以超薄鋁膜修飾的 AZO 復合透明電極及以此 透明電極制備的有機太陽能電池。在高真空下，采用薄膜沉積技術在 AZO 基底上沉積一層超薄鋁膜，以此調節 AZO 導電玻璃的功函數， 使其成為收集電子的陰極。其中所述超薄鋁膜的厚度大約在 0.5～5nm 之間。本發明使用 AZO 取代傳統的導電玻璃 ITO，降低了器件的成本， 同時采用超薄鋁膜電極修飾層，避免了使用復雜的電極修飾材料，工 藝相對簡單，有利于實
華中科技大學
2021-04-14
一種納米壓印制備柔性透明表面增強拉曼散射基底的方法
本發明專利公開了一種柔性透明表面增強拉曼散射基底的制備 方法。該方法結合了多孔氧化鋁模板與納米壓印技術。首先，利用陽 極氧化方法制備了多孔氧化鋁模板；然后，在多孔氧化鋁模板上沉積 貴金屬納米顆粒；最后，利用納米壓印技術將多孔氧化鋁模板的納米 結構和貴金屬納米顆粒轉移到聚合物薄膜上，得到一種柔性透明的表 面增強拉曼散射基底。基底具有優異透明性、柔性、均勻性及高靈敏 度，可以應用在瓜果蔬菜表面農藥殘留的原位探測、水溶液中
華中科技大學
2021-04-14
低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學
2021-02-01
低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到 0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池 上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蝕及用此法制備CDTE太陽電池
CdTe薄膜的表面腐蝕及用此法制備CdTe太陽電池，屬于半導體器件加工領域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去離子水的混合液作為腐蝕液，其中，NaAc作為緩沖劑，以保持溶液的pH值不變，使反應更穩定，通過CdTe和硝酸發生反應生成富碲層；清洗吹干后，沉積含Cu或不含Cu背接觸層，最后沉積背電極以制備CdTe太陽電池。沉積背接觸材料，可增加pn結附近的載流子濃度，降低肖特基勢壘高度，避免直接沉積Cu形成比較復雜的CuxTe結構。采用這種方法腐蝕并制備CdTe太陽電池，可顯著提高太陽電池的性能，并保證器件性能的穩定性和重復性。
四川大學
2021-04-11
兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法
一種兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法，工藝步驟包括制備過渡層、制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜、鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理；鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理是將鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜放入退火爐內，在氧氣流中以40℃/秒的升溫速率升溫至800℃～850℃后即刻停止加熱，使其隨爐冷卻至500℃～600℃保溫3分鐘～5分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。采用上述方法制備的鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜鈣鈦礦相純度可達100％，結晶性能好，表面均方根粗糙度較低，而且還具有剩余極化強度高和高度擇優取向的特點。
四川大學
2021-04-11
一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法
本發明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進行熱處理，以消除界面應力和器件的壓應力；（7）沉積有機半導體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨
華中科技大學
2021-01-12