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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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井間并行電阻率阻率CT測(cè)試方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種井間并行電阻率 CT 測(cè)試方法，是對(duì)鉆孔間地質(zhì)條件及構(gòu)造特征進(jìn)行探查的一種物探技術(shù)。通過(guò)在兩兩鉆井之間布置測(cè)試系統(tǒng)，形成 64 個(gè)電極的井間測(cè)線，采用并行電法數(shù)據(jù)采集技術(shù)進(jìn)行單極或偶極供電與測(cè)試，獲得井間電性采集數(shù)據(jù)，形成井間不同電極間層析數(shù)據(jù)體。通過(guò)井間電阻率層析成像技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)測(cè)試區(qū)域電阻率及激電參數(shù)成像，進(jìn)一步評(píng)價(jià)其巖層及構(gòu)造特征狀況，獲得地質(zhì)解釋成果及認(rèn)識(shí)。該套測(cè)試系統(tǒng)可完成 1200m 深井的數(shù)據(jù)采集。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
16053電導(dǎo)率計(jì)
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
呼吸率傳感器
量程：0Pa～10kPa，分辨率：10Pa。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
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柴油機(jī)混合率與化學(xué)反應(yīng)率協(xié)同控制技術(shù)及應(yīng)用
電機(jī)項(xiàng)目針對(duì)高效能電機(jī)綜合設(shè)計(jì)方法與技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)深入的研究，提出了一套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高效能電機(jī)智能化綜合設(shè)計(jì)技術(shù)，解決了電機(jī)效能提升的關(guān)鍵技術(shù)難題，在關(guān)鍵技術(shù)和推廣應(yīng)用方面取得了實(shí)質(zhì)性創(chuàng)新和重大突破。項(xiàng)目成果大幅提升了企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，在意大利ZEL等單位得到了全面推廣，并且在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步
天津大學(xué)
2021-04-14
電導(dǎo)率傳感器
規(guī)格：6個(gè)操作鍵，內(nèi)置鋰電，具有LCD顯示、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存功能，能脫離計(jì)算機(jī)進(jìn)行采集、顯示、記錄數(shù)據(jù)。與計(jì)算機(jī)的連接支持兩種方式:（1）通過(guò)數(shù)據(jù)采集線直接與計(jì)算機(jī)USB相連；（2）通過(guò)藍(lán)牙與計(jì)算機(jī)相連。
測(cè)量范圍：0～30000μs/cm，分辨率：0.1μs/cm
南京師范大學(xué)課程資源研究所
2021-08-23
電導(dǎo)率傳感器
量程：0～10mS/cm；分辨率：0.005mS/cm；用于測(cè)量水溶液的電導(dǎo)率，分析飲用水的純度等。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
氮?dú)鉂B透率測(cè)試儀
NELD-NPR163型氮?dú)鉂B透率測(cè)試儀，是耐爾得根據(jù)GB36900.2-2018《低、中水平放射性廢物高完整性容器——混凝土容器》標(biāo)準(zhǔn)，自主研發(fā)的產(chǎn)品。氮?dú)鉂B透率測(cè)試方法適用于以測(cè)定混凝土的氣體滲透率來(lái)確定混凝土抗氣體滲透性能。氮?dú)鉂B透率測(cè)試儀試件夾具采用304不銹鋼材質(zhì)，采集儀表高精度數(shù)顯，充氣橡膠囊高耐壓，皂膜流量計(jì)數(shù)字顯示，測(cè)量精度高。該產(chǎn)品支撐采用福馬輪，可水平調(diào)節(jié)、可支撐、可固定、可滾動(dòng)、可防塵。產(chǎn)品設(shè)計(jì)巧妙科學(xué)，操作方便，是科研單位、質(zhì)檢機(jī)構(gòu)理想的試驗(yàn)設(shè)備。
北京耐爾得智能科技有限公司
2023-03-17
造影劑弛豫率 核磁共振造影劑馳豫率分
產(chǎn)品詳細(xì)介紹產(chǎn)品簡(jiǎn)介： NMI20核磁共振造影劑馳豫率分析成像測(cè)試儀是一款經(jīng)典的小核磁，專(zhuān)為核磁共振造影劑研究應(yīng)用設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)而成，該設(shè)備配套有造影劑專(zhuān)用弛豫時(shí)間測(cè)試軟件,磁共振成像軟件，可以直接測(cè)試得到不同濃度造影劑樣品的T1、T2弛豫時(shí)間，R1、R2弛豫速率以及造影劑樣品的弛豫效率r，并可完成T1加權(quán)成像，,T2加權(quán)成像和質(zhì)子密度加權(quán)成像。弛豫時(shí)間測(cè)試過(guò)程非常簡(jiǎn)單，樣品無(wú)需特別配置，軟件實(shí)現(xiàn)中英文雙語(yǔ)選擇界面，操作簡(jiǎn)便，易學(xué)易用。技術(shù)指標(biāo)：1、磁體類(lèi)型：永磁體；2、磁場(chǎng)強(qiáng)度：0.5±0.08T，儀器主頻率：21.3MHz；3、探頭線圈直徑：15mm；應(yīng)用解決方案：1、Gd類(lèi)，F(xiàn)e類(lèi)，Mn類(lèi)等核磁共振造影劑T1、T2弛豫時(shí)間測(cè)試，弛豫效率r測(cè)試；2、不同濃度造影劑樣品成像，T1,T2加權(quán)成像，直觀評(píng)價(jià)造影效果；3、細(xì)胞液弛豫測(cè)試與成像 .....應(yīng)用案例一：四氧化三鐵，T2磁共振靶向造影劑弛豫率測(cè)試，磁共振成像測(cè)試應(yīng)用案例二：Gd+ 類(lèi)T1 磁共振造影劑測(cè)試實(shí)例，T1弛豫時(shí)間測(cè)試，T1加權(quán)成像應(yīng)用案例三：不同濃度磁共振造影劑對(duì)比成像注：儀器外觀如有變動(dòng)，以產(chǎn)品技術(shù)資料為準(zhǔn)。
上海紐邁電子科技有限公司
2021-08-23
科學(xué)院大學(xué).jpg){kind=logo}
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過(guò)采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對(duì)InP 進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過(guò)程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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多分辨率模型庫(kù)
? 研究面向分布式虛擬環(huán)境數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)的底層支撐環(huán)境。通過(guò)建立協(xié)同開(kāi)發(fā)方式的系統(tǒng)，提高仿真資源的可重用性，縮短開(kāi)發(fā)過(guò)程，充分共享資源并且為仿真環(huán)境提供高效的資源管理機(jī)制。研究包括對(duì)統(tǒng)一資源命名和定位管理技術(shù)的研究；分布式文件系統(tǒng)在分布式仿真環(huán)境中的應(yīng)用及在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)的資源集成；數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)化表示和傳輸?shù)难芯俊Ｔ摷夹g(shù)目前已經(jīng)在一體化仿真平臺(tái)上得到了初步的應(yīng)用。
北京理工大學(xué)
2021-04-14