|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
抗?HCMV?特免血清篩選方法
小試階段/n抗病毒藥物治療起效慢、對新生兒發育有毒副作用，器官移植后感染很難挽救移植失敗結局。美國自抗HCMV特免血清制品Cytogan問世，使移植后感染性疾病的結局改觀：CMV感染發病率60-80%下降到7%；嚴重疾病發生率由85%降到36%；嚴重感染患者的存活率由61%升至94%；母嬰干預，挽救聽力的70%。一種篩選抗HCMV的高效價特免血清的方法，用帶eGFP的臨床毒株經，建立高通量、快速（3天）、自動化的中和抗體篩選/驗證體系，準確測定中和抗體水平，該方法經企業的血清盤得到驗證，比傳統優勢明
中國科學院大學
2021-01-12
地下結構主動抗浮技術
成果簡介： 隨著城市化的發展，地下空間的開發已引起人們的關注，大規模的地下建筑也越來越多，如地下商場、地下停車場、地鐵及隧道等。上述地下結構的抗浮設計是目前的難點。現有的抗浮技術包括抗拔樁、抗拔錨桿、增加配重等均屬于被動方法，此類方法為確保地下結構安全往往設計上比較保守，且為永久性抗浮裝置，不便回收，不利于建筑環境的可持續發展。
南京工業大學
2021-01-12
高性能RFID抗金屬標簽
產品詳細介紹耐用型超高頻RFID抗金屬資產標簽簡介： 優異的抗金屬特性 ，具有非凡的高性價比 ，倉庫托盤金屬，非金屬環境的應用。類型：無源，可讀寫 頻率:860--960MHz 芯片協議：UHF EPC Class-1 Gen2 芯片：Alien H3 EPC 內存：96Bits 用戶內存：512Bits 多單元訪問：支持（防沖突機制） 抗干擾性：支持抗金屬等干擾問題 讀寫次數：10萬次 固定讀取距離6M 工作溫度：－30℃~＋55℃ 應用溫度：－40℃~＋75℃ 安裝方法：3M膠粘貼正華-范生18682082110深圳正華致力于打造中國最好的RFID電子標簽產品制造商
深圳市正華智能卡有限公司
2021-08-23
AMMT-050抗沖撞材料
簡 介 AMMT-050抗沖撞材料是由半預聚體、端氨基聚醚、胺擴鏈劑等原料現場噴涂成型的第三代聚脲彈性體。該技術將新材料、新設備和新工藝有機地結合在一起，是傳統施工技術的一次革命性飛躍，是目前國際上最先進的施工技術之一。
特 性 ★ 凝膠時間為10秒鐘，立面、頂面連續噴涂不流掛。
★ 優良的物理性能，對各類底材均具有良好的附著力。
★ 對濕氣、溫度不敏感，熱穩定性好。
★ 100%固含量，無VOC，無污染，環境友好。
★ 優良的防撞、耐磨性能，舒適性好，即使表面破損也不會傷人。
★ 耐候性好，在戶外長期使用不粉化，不失色。
用 途 AMMT-050抗沖撞材料可用于護舷、浮萍、碰碰船、玻璃鋼艇等設施的蒙皮，能起到很好的保護和緩沖作用，還可用來制作或修復水上樂園的滑梯以及其它騎乘設施。
青島海洋新材料科技有限公司
2021-09-03
ACM抗沖改性劑
山東日科化學股份有限公司
2021-09-07
MBS抗沖改性劑
山東日科化學股份有限公司
2021-09-07
自動調壓混凝土抗滲儀
執行標準：GB/T 50082-2009，JTG 3420—2020
本品適用于通過逐級施加水壓力來測定以抗滲等級來表示混凝土的抗水滲透性能。不銹鋼水箱內膽，耐腐蝕加厚鋼板，施加壓力均衡，試模側面密封性好，結構合理簡單，控制儀表智能可調，亦可與砂漿抗滲儀通用。
北京耐爾得智能科技有限公司
2023-03-17
基于超表面的光偏振控制的透反射一體式轉換器
本發明涉及一種基于超表面的光偏振控制的透反射一體式轉換器，包括上層的納米二聚體陣列和下層的襯底，襯底平面為xy軸平面，x軸垂直于y軸，兩個結構材質完全相同的半導體圓柱體納米結構間隔固定距離排列構成納米二聚體，納米二聚體中兩個圓柱體中心連線方向為二聚體軸方向，即x軸方向；襯底平面上的納米二聚體陣列為沿x軸、y軸周期排列的納米二聚體陣列。
上海理工大學
2021-04-10
基于超材料的肖特基型遠紅外多譜信號探測器和制備方法
本發明公開了一種基于超材料的肖特基型遠紅外多譜信號探測器，包括自下而上依次設置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結構的金屬開環共振單元陣列，金屬開環共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數，每個圖形對于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環共振單元的結構和尺寸參數可以調控對應的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調控超材料層中
華中科技大學
2021-04-14
基于超材料的肖特基型遠紅外多譜信號探測器和制備方法
本發明公開了一種基于超材料的肖特基型遠紅外多譜信號探測器，包括自下而上依次設置的襯底層、N 型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極；其中超材料層為具有周期性微納米結構的金屬開環共振單元陣列，金屬開環共振單元陣列包含了多種圖形及其特征尺寸參數，每個圖形對于特定電磁波具有完全吸收特性，通過改變金屬開環共振單元的結構和尺寸參數可以調控對應的電磁波吸收頻段，通過改變 N 型砷化鎵的耗盡層寬度可以調控超材料層中
華中科技大學
2021-04-14