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一種薄膜非連續(xù)卷繞輸送模切裝置
本發(fā)明提供一種薄膜非連續(xù)卷繞輸送模切裝置，包括：放料輥，用于對成卷柔性薄膜的放卷；收料輥，用于對成卷柔性薄膜的收卷；輸送對輥，設在所述放料輥和收料輥之間，用于完成薄膜進給；摩擦對輥和設在放料輥上的滑差軸，用于協(xié)作保持薄膜在進給過程中的張力穩(wěn)定；模切機，用于完成薄膜裁切；工業(yè)相機，用于對薄膜的模切切痕成像；工業(yè)計算機，用于對模切切痕成像進行圖像處理，處理得到的誤差作為薄膜輸送進給步長的精度補償。本發(fā)明通過視覺裝置識別薄膜上的模切切痕，圖像處理所得薄膜進給誤差，補償下一步薄膜進給步長，有效保證薄膜非連續(xù)卷繞進給工況下，模切機薄膜進給精度和裁切切口均勻性。
華中科技大學
2021-04-11
智能控溫節(jié)能氧化釩（VO2）薄膜的制備
成果介紹智能控溫薄膜可以實現(xiàn)高溫下對紅外線的反射和低溫下對紅外線的透射，是一種無需能源的智能空調(diào)。技術(shù)創(chuàng)新點及參數(shù)室溫可用（20℃-40℃）節(jié)能減排（無需能源）滿足了實時反饋的需求滿足了溫度控制的需求提出了在室溫下實現(xiàn)智能變色的可能性
東南大學
2021-04-11
一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為 圓角多邊形的柱狀結(jié)構(gòu)，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝 離面，使用時可根據(jù)不同的薄膜選擇不同剝離面進行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進一步運用剝離刀的 幾何參數(shù)與剝離效果的關(guān)系理論，設計優(yōu)化得到最優(yōu)的剝離刀結(jié)構(gòu)， 得到最佳的剝離質(zhì)量和剝離效率，剝離裝置結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉，在 大面積柔性器件的封裝領域具有廣闊應用前景。
華中科技大學
2021-04-11
一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用
本發(fā)明公開了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內(nèi)的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發(fā)明通過對光子 晶體
華中科技大學
2021-01-12
石墨烯基透明導電薄膜、復合導熱膜及吸附材料
將石墨烯進行二維或三維組裝，制備透明可導電薄膜、復合導熱膜及吸附材 料技術(shù)。
上海理工大學
2021-01-12
一種Sn摻雜CrO2薄膜及其制備方法
小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應用前景，然而，其化學性質(zhì)不夠穩(wěn)定，即使在室溫下也容易轉(zhuǎn)化為Cr2O3。本發(fā)明采用SnI4和CrO3作為前驅(qū)物，通過化學氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩(wěn)定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩(wěn)定性的問題。
武漢科技大學
2021-01-12
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項目主要研究和開發(fā)高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質(zhì)層材料，研 究和制備優(yōu)質(zhì)致密的透明介質(zhì)層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質(zhì)層構(gòu)成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術(shù)對 I-V 特
復旦大學
2021-01-12
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于半導體光電材料與薄膜太陽能電池制備領域，解決現(xiàn)有化合物薄膜太陽能電池中所需材料在地殼中含量較少、價格昂貴、對人體有毒的問題。本發(fā)明的化合物薄膜太陽能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發(fā)明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學
2021-04-14
高品質(zhì)大尺寸微波單晶石榴石薄膜材料
本項目共包括10項授權(quán)專利，其中高品質(zhì)微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項專利技術(shù)，同時將這種單晶薄膜應用在微波器件/結(jié)構(gòu)、太赫茲結(jié)構(gòu)/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項專利技術(shù)。本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁
電子科技大學
2021-04-14
一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜
本發(fā)明公開了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜。包括陰極，陽極陣列，以及設置在陰極和陽極陣列間的介電層；陽極陣列由 M×N 元陣列分布的陽極單元構(gòu)成，陽極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個子電極構(gòu)成，可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為 M×N 元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，陽極單元與電調(diào)光反射率單元一一對應，構(gòu)成電調(diào)光反射率單元的陽極，所有電調(diào)光反射率單元共用陰極；通過陽極單元和陰極對電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨立加電操作，進而通過調(diào)變加
華中科技大學
2021-04-14