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用CuCl薄膜處理生物難降解有機廢水的方法
本發明涉及一種有機工業廢水的催化氧化處理方法，特別是用CuCl薄膜處理生物難降解有機廢水的方法。采用CuCl2溶液浸泡銅網產生的CuCl薄膜為催化劑，把CuCl/銅網催化劑置入反應器中，以900～1200ml/h的流速通入pH＝5～9的有機廢水，并通入空氣進行氧化反應，空氣流速為0.09m3/h，反應1～9小時，反應后的溶液加入聚合硫酸鐵沉降。本發明在常溫常壓下能將COD為1500～3800mg/l有機助劑廢水降到600mg/l，COD去除率達到60～7
南開大學
2021-04-14
薄膜太陽能電池材料光譜響應測量系統
產品詳細介紹■ 光譜測量范圍：200-1100nm■ 測量重復性：≤3%（主要波長位置）■ 光源：高穩定、高輸出能量氙燈光源■ 標準探測器經國家一級計量單位定標■ 標準探測器、待測探測器自動切換■ 光譜響應度曲線自動生成■ 樣品室內包含標準樣品架、固體樣品架和液體電解池樣品架■ 被測太陽光伏器件可為無機晶體、有機樣品，可固體，也可固體，可加偏執電壓等
北京卓立漢光儀器有限公司
2021-08-23
一種薄膜非連續卷繞輸送模切裝置
本發明提供一種薄膜非連續卷繞輸送模切裝置，包括：放料輥，用于對成卷柔性薄膜的放卷；收料輥，用于對成卷柔性薄膜的收卷；輸送對輥，設在所述放料輥和收料輥之間，用于完成薄膜進給；摩擦對輥和設在放料輥上的滑差軸，用于協作保持薄膜在進給過程中的張力穩定；模切機，用于完成薄膜裁切；工業相機，用于對薄膜的模切切痕成像；工業計算機，用于對模切切痕成像進行圖像處理，處理得到的誤差作為薄膜輸送進給步長的精度補償。本發明通過視覺裝置識別薄膜上的模切切痕，圖像處理所得薄膜進給誤差，補償下一步薄膜進給步長，有效保證薄膜非連續卷繞進給工況下，模切機薄膜進給精度和裁切切口均勻性。
華中科技大學
2021-04-11
智能控溫節能氧化釩（VO2）薄膜的制備
成果介紹智能控溫薄膜可以實現高溫下對紅外線的反射和低溫下對紅外線的透射，是一種無需能源的智能空調。技術創新點及參數室溫可用（20℃-40℃）節能減排（無需能源）滿足了實時反饋的需求滿足了溫度控制的需求提出了在室溫下實現智能變色的可能性
東南大學
2021-04-11
一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為 圓角多邊形的柱狀結構，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝 離面，使用時可根據不同的薄膜選擇不同剝離面進行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進一步運用剝離刀的 幾何參數與剝離效果的關系理論，設計優化得到最優的剝離刀結構， 得到最佳的剝離質量和剝離效率，剝離裝置結構簡單、成本低廉，在 大面積柔性器件的封裝領域具有廣闊應用前景。
華中科技大學
2021-04-11
一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用
本發明公開了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發明通過對光子 晶體
華中科技大學
2021-01-12
石墨烯基透明導電薄膜、復合導熱膜及吸附材料
將石墨烯進行二維或三維組裝，制備透明可導電薄膜、復合導熱膜及吸附材 料技術。
上海理工大學
2021-01-12
一種Sn摻雜CrO2薄膜及其制備方法
小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應用前景，然而，其化學性質不夠穩定，即使在室溫下也容易轉化為Cr2O3。本發明采用SnI4和CrO3作為前驅物，通過化學氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩定性的問題。
武漢科技大學
2021-01-12
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項目主要研究和開發高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料，研 究和制備優質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特
復旦大學
2021-01-12
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于半導體光電材料與薄膜太陽能電池制備領域，解決現有化合物薄膜太陽能電池中所需材料在地殼中含量較少、價格昂貴、對人體有毒的問題。本發明的化合物薄膜太陽能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學
2021-04-14