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本發(fā)明公開了一種同時(shí)制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 對金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2向管式爐中通入惰性氣體；S3 對管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到750℃～1000℃并保持 10 分鐘～50 分鐘，向管式爐中通入氫氣，并對金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4 向管式爐中通入流量為 20sccm～100sccm 的碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀庖约版嚻芴己笸瑫r(shí)生長石墨烯和非晶碳薄膜；S5 對管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有石墨烯和非晶碳薄膜的鎳片

本發(fā)明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到 600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀夂笊L非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本

CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.6$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導(dǎo)體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構(gòu)成淺埋式p-n結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被p-n結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預(yù)置層→快速

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導(dǎo)體電荷傳輸層和絕緣電介質(zhì)層三部分組成。近年來，電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品小型化、輕量化、智能化的發(fā)展趨勢對FET等基礎(chǔ)電學(xué)元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發(fā)展的需求。進(jìn)入21世紀(jì)后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機(jī)半導(dǎo)體材料的優(yōu)良電荷傳輸特性已被較為充分地發(fā)掘，分子結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的匱乏導(dǎo)致半導(dǎo)體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現(xiàn)狀，西安交通大學(xué)魯廣昊教授課題組將研究重點(diǎn)轉(zhuǎn)向絕緣電介質(zhì)層，通過充分挖掘絕緣介質(zhì)帶電特性形成可控的柵極補(bǔ)償電場，實(shí)現(xiàn)FET半導(dǎo)體層電荷傳輸?shù)恼{(diào)控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學(xué)院李盛濤教授課題組、理學(xué)院張志成教授課題組、中科院長春應(yīng)用化學(xué)研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規(guī)4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，F(xiàn)PS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強(qiáng)、高熱穩(wěn)定性和疏水性，可實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導(dǎo)體層制備的有機(jī)場效應(yīng)晶體管具有高達(dá)11.2 cm2·V-1·s-1的場效應(yīng)遷移率，高達(dá)107的開/關(guān)比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，F(xiàn)PS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環(huán)境中大于一個(gè)月的存儲穩(wěn)定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發(fā)表在國際材料領(lǐng)域權(quán)威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠(yuǎn)惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學(xué)院李盛濤教授和中科院長春應(yīng)化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學(xué)基金、陜西省自然科學(xué)基礎(chǔ)研究計(jì)劃、國家博士后基金、電力設(shè)備電氣絕緣國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中青年基金及校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網(wǎng)站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

本發(fā)明公開了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合方法，包括(1)對第一柔性薄膜和第二柔性薄膜分別進(jìn)行模切及廢料剝離處理，使得各薄膜的一側(cè)面上的保護(hù)層被剝離，且在中間的有用層上切出呈陣列布置的矩形切口；(2)以第三柔性薄膜作為層合的中間膜層，首先剝離其中一側(cè)面的保護(hù)層，然后與準(zhǔn)備階段中的第一柔性薄膜進(jìn)行層合，得到具有四層結(jié)構(gòu)的柔性膜；(3)對第三柔性薄膜的另一側(cè)面的保護(hù)膜進(jìn)行剝離處理，再將該經(jīng)剝離后的表面與準(zhǔn)備階段中的第二柔性薄膜層合，得到具有五層結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜。本發(fā)明還公開了一種多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的連續(xù)層合的設(shè)備。本發(fā)明的層合設(shè)備及其工藝方法，可以有效地實(shí)現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)柔性薄膜的半斷模切和精確對位層合。

本發(fā)明公開了一種斜生纖孔菌鯊烯合酶基因及其編碼的蛋白質(zhì)與用途，本發(fā)明所提供的鯊烯合酶基因具有SEQ ID NO.1所示的核苷酸序列或者添加、取代、插入或缺失一個(gè)或多個(gè)核苷酸的同源序列或其等位基因及其衍生的核苷酸序列。所示基因編碼的蛋白質(zhì)具有SEQ ID NO.2所示的氨基酸序列或者添加、取代、插入或缺失一個(gè)或多個(gè)氨基酸的同源序列。本發(fā)明提供的鯊烯合酶基因可以通過基因工程技術(shù)提高斜生纖孔菌中樺褐孔菌醇的含量，可用于利用轉(zhuǎn)基因技術(shù)來提高斜生纖孔菌中樺褐孔菌醇含量的研究和產(chǎn)業(yè)化中。而這些次生代謝產(chǎn)物在臨床上具有抗腫瘤、防治艾滋病等潛在的應(yīng)用價(jià)值，對保護(hù)人民的健康生長有所幫助。因而本發(fā)明具有很大的應(yīng)用前景。

為做好學(xué)士學(xué)位的授予工作，根據(jù)《北京大學(xué)學(xué)位授予工作細(xì)則》的規(guī)定，對北京大學(xué)本科學(xué)生的學(xué)士學(xué)位授予工作做如下補(bǔ)充規(guī)定。

經(jīng)典的"H—L—M"效應(yīng)("哈伯格一勞爾森一梅茨勒"效應(yīng))已經(jīng)被各國經(jīng)濟(jì)學(xué)者探究了半個(gè)多世紀(jì),但截止到目前,還沒有文獻(xiàn)基于Becker—Mulligan(1997)的貼現(xiàn)偏好進(jìn)行理論分析,并且目前所有的研究均是考慮政府使用資源的確定性狀態(tài).對此,本文基于Becker—Mulligan(1997)的貼現(xiàn)因子討論是否存在"H—L—M"效應(yīng),并比較了政府不同財(cái)政運(yùn)轉(zhuǎn)效率的結(jié)果.研究發(fā)現(xiàn):在Becker-Mulligan(1997)貼現(xiàn)偏好下,貿(mào)易條件惡化將會導(dǎo)致經(jīng)常賬戶出現(xiàn)盈余;而貿(mào)易條件惡化時(shí),政府財(cái)政運(yùn)轉(zhuǎn)效率對于經(jīng)常賬戶的重新平衡具有"加速"作用.