|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
三系雜交油菜品種華油雜62
研發階段/n用波利馬細胞質雄性不育系"2063A"與恢復系"05-P71-2"配組育成的三系雜交油菜品種。屬半冬性甘藍型油菜。株型緊湊，株高中等，生長勢強，抗倒性較強，分枝性中等。苗期生長較慢，半直立，葉片缺刻較深，葉色濃綠；薹期生長勢較強。莖綠色，花黃色，花瓣相互重疊。結莢性較好，籽粒中等大小。區域試驗中株高176.4厘米，單株有效角果數323.3個，每角粒數20.3粒，千粒重3.63克。菌核病發病率12.91%，病指8.06；病毒病發病率0.75%，病指0.53。出苗至成熟216.7天，與中油雜
華中農業大學
2021-01-12
兩系雜交稻培兩優1108
研發階段/n培兩優1108是一個優質、抗白葉枯病、抗倒伏的兩系雜交稻組合，2007年通過湖北省審定。母本是培矮64S、父本是通過分子標記輔助選擇育種技術轉入IRBB21的Xa21基因的華1108。區域試驗產量8.23噸/公頃，與三系對照組合相當。糙米率80.2％，精米率70.1%，整精米率57.0%，堊白率18%，直鏈淀粉含量21.4%，膠稠度60mm，長寬比3.0。株高110cm，抗倒性強、適合機械收割。全生育期平均142天，在湖北主要作中稻種植。
華中農業大學
2021-01-12
XM-D018心臟傳導系電動模型
XM-D018心臟傳導系電動模型
?
XM-D018心臟傳導系電動模型展示傳導系與心電圖，是按成人心臟放大，主要示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結構，心臟的血管，心臟傳導系是在此基礎上顯示出來的，傳導系統包括竇房結、
結間束、房室結、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。
?
一、顯示內容：
■ 燈光顯示心臟傳系各組成部分的位置分布（竇房結、結間束、房室結、房室束、右束支以及變異的副傳導束等）。
■ 二十種心律的心電圖，并與相應的心臟傳導系統同時顯示，以表示二者之間的關系。
?
二、技術參數：
■ 尺寸：按1:2放大，40×40×9cm
■ 材質：PVC材料+木框
?
三、標準配置：
■ XM-D018心臟傳導系電動模型：1臺
■ 電源線：1根
■ 說明書：1冊
■ 保修卡合格證：1張
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。
上海理工大學
2021-04-11
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。
上海理工大學
2021-04-13
鎢酸鋯薄膜的制備方法
鎢酸鋯薄膜的制備方法,它屬于薄膜制備領域.本發明解決了現有鎢酸鋯薄膜制備方法存在的操作復雜,成本高的問題.本發明的方法如下:一,硝酸氧鋯和溶劑混合得到A溶液;二,絡合劑,溶劑和偏鎢酸銨混合得到B溶液;三,將A和B混合,配制溶膠;四,通過旋涂制備濕膜,再將濕膜預燒;五,制備鎢酸鋯非晶薄膜;六,鎢酸鋯非晶薄膜晶化后即得鎢酸鋯薄膜.本發明的制備工藝簡單,成本低,制備得到的薄膜表面平整致密,厚度均勻,晶粒大小均勻.
哈爾濱師范大學
2021-05-04
制備結晶氮化碳薄膜的裝置
1.項目簡介：本設計了一種制備結晶氮化碳薄膜的裝置，設有脈沖電弧放電的機構及電路，該電路由高壓和電弧產生電路組成；該機構包括基板和與之相連的電加熱器，設有半密封箱體，基板、電加熱器和電極位于半密封箱體腔內，基板位于電極的下方或四周，設有2條帶有控制閥的管道，分別通氮氣和溶液，其下端深入半密封箱體腔內，通溶液的管道下端出口處于電極的上方。該裝置能高效率、高質量地制備出結晶氮化碳薄膜，能方便地將結晶氮化碳薄膜涂層制備到管徑較小的管道內壁，從而有利于結晶氮化碳薄膜的推廣應用。項目已獲實用國家新型專利權。2.技術特點：該發明解決了氮化碳薄膜低溫常壓沉積的困難，而且提供了能高效率、高質量地制備結晶氮化碳薄膜的方法及裝置。與其它方法相比，該發明的顯著特點是：在常壓下合成的產品主要為結晶氮化碳薄膜；沉積速率快，在大氣環境下產生稠密的含碳、氮等離子體，從而提高了生產效率，利于推廣結晶氮化碳薄膜的應用。
武漢工程大學
2021-04-11
鉬酸鹽功能薄膜及其制備方法
一種鉬酸鹽功能薄膜,以導電或不導電的、晶態或非晶態的材料為襯底,晶粒度范圍10～500NM,厚度100～3000NM。制備鉬酸鹽功能薄膜的工藝步驟為:(1)配制含MO離子絡合物的溶液,以鉬酸銨或/和鉬酸為溶質,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇與丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液為溶劑;(2)配制含金屬離子絡合物的溶液,以堿金屬及堿土金屬的碳酸鹽或/和過渡金屬及稀有金屬的硝酸鹽為溶質,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇與丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液為溶劑;(3)制備鉬酸鹽前驅物溶液,將上述含MO離子絡合物溶液和含金屬離子絡合物溶液充分攪拌混合,然后至少靜置40分鐘;(4)采用旋涂技術成膜和干燥。
四川大學
2021-04-11
長循環硅基復合薄膜負極
隨著微電子行業等微型化科技的快速發展，薄膜材料得到廣泛應用。薄膜電池作為微型電源器件具有廣闊發展空間。薄膜材料對于硅基負極而言，其短程儲鋰深度和單向膨脹的優勢能夠有效克服硅基材料的本征導電率低和體積膨脹大的問題。開發無需粘結劑的硅基負極薄膜材料對于薄膜負極發展意義深遠。項目通過物理沉積方法，實現電極結構設計與導電型材料復合，改善硅基材料低導電率問題，優化硅基材料體積膨脹緩沖空間，從而完成無粘結劑硅基材料制備和倍率、循環等性能的提高。
廈門大學
2021-01-12
少層石墨雙炔薄膜制備
以石墨烯為模板的少層石墨雙炔薄膜的液相范德華外延生長法。以原子級平整的二維石墨烯為基底，采用極低的單體濃度（0.04 mM），在室溫下進行偶聯反應，通過溶液相范德華外延的方法，成功制備得到了大面積均勻連續的高質量、少層石墨雙炔薄膜，高分辨透射電鏡和光譜表征證實了其高質量單晶結構。該石墨雙炔薄膜為ABC堆垛的三層結構，電子衍射顯示石墨雙炔/石墨烯薄膜具有兩套單晶衍射點，分別對應于石墨雙炔和石墨烯的單晶衍射圖案，結果表明生長在石墨烯上的石墨雙炔與下層石墨烯的晶格取向夾角為14°。
北京大學
2021-04-11