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一種用于
薄膜
太陽能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器,由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成,其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC,其中A;B;C;D;E的厚度分別為d1=50nm,d2=100nm,d3=70nm,d4=140nm,d5=120nm,m;n為兩種光子晶體的周期數(shù),m取3,n取4。其制備方法是:RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器,具有一維光子晶體全角反射,可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率,增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程,提高光子利用效率,增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在過渡金屬氧化物
薄膜
室溫反?;魻栃?yīng)研究中取得重要進(jìn)展
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心的王凌飛、吳文彬教授課題組與西北大學(xué)物理學(xué)院的司良教授合作,在鈣鈦礦結(jié)構(gòu)過渡金屬氧化物薄膜的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究中取得重要進(jìn)展。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-10-17
一種 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)
薄膜
太陽能電池的一次性制備方法
本發(fā)明公開了一種 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽能電池的一次性制 備方法,該方法包括以下步驟:基片預(yù)處理,混合原料備用,真空獲 得與基片加熱,氬氣等離子體清洗腔體和基片,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣 相沉積法沉積異質(zhì)結(jié),真空退火冷卻,制備 SnS2/SnS 異質(zhì)結(jié)薄膜太陽 能電池,本方法中通過設(shè)置混合原料的比例,并設(shè)定反應(yīng)源加熱溫度 數(shù)值 T 與反應(yīng)沉積時(shí)間數(shù)值 t 的關(guān)系,就能在一次實(shí)驗(yàn)過程中先后沉 積出質(zhì)量比較優(yōu)異 SnS2 和 SnS 薄膜,從而直接一次性制備出太陽能電 池的核心部件 p-n 結(jié),大大
華中科技大學(xué)
2021-04-14
實(shí)現(xiàn)了一例性能優(yōu)越的高溫多軸鐵電體進(jìn)而獲得了可實(shí)用的鐵電
薄膜
利用新的鐵電相變機(jī)理實(shí)現(xiàn)了一例性能優(yōu)越的高溫多軸鐵電體進(jìn)而獲得了可實(shí)用的鐵電薄膜,而且展示了如何利用較弱的配位鍵在分子晶體中實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)無機(jī)材料難以實(shí)現(xiàn)的涉及“配位鍵斷裂與重組”的結(jié)構(gòu)相變,為開發(fā)新型分子材料打開了新的大門?通過巧妙的分子設(shè)計(jì)與晶體工程成功合成了一例分子鈣鈦礦型鐵電體[(CH3)3NOH]2[KFe(CN)6],它可以表現(xiàn)出傳統(tǒng)無機(jī)鈣鈦礦化合物難以實(shí)現(xiàn)的涉及配位鍵斷裂與重組的鐵電相變。這種劇烈的結(jié)構(gòu)相變使該化合物具有十二重鐵電極軸(多于鈦酸鋇),居里溫度為402K(高于鈦酸鋇)。他們進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)該化合物可通過簡單溶液旋涂方法制備成具有良好性能的鐵電薄膜,其極化反轉(zhuǎn)的頻率高達(dá)5kHz,微觀鐵電疇可在偏置電壓下進(jìn)行可逆極化反轉(zhuǎn),有望代替無機(jī)鐵電體用于制作下一代柔性鐵電元器件。
中山大學(xué)
2021-04-13
砷化鎵基超快激光器與高效率輕質(zhì)砷化鎵
薄膜
三結(jié)太陽電池
激光雷達(dá)等傳感器以及高效率砷化鎵太陽能電池是國務(wù)院國家制造強(qiáng)國建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會(huì)列出的核心基礎(chǔ)元器件,本項(xiàng)目在國務(wù)院國資委以及國家級(jí)人才計(jì)劃科研項(xiàng)目支持下,聯(lián)合國內(nèi)知名企業(yè)進(jìn)行關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān),研制出基于砷化鎵的超快半導(dǎo)體激光芯片與激光器可適用于激光加工、5G通信、生物醫(yī)療等領(lǐng)域,同時(shí)研制出的高效率砷化鎵薄膜三結(jié)電池曾獲得世界最高效率,相關(guān)產(chǎn)品已處于中試和量產(chǎn)階段,本項(xiàng)目相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品曾獲得過2018年度上海市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng),2020年中國發(fā)明協(xié)會(huì)發(fā)明創(chuàng)新二等獎(jiǎng),2020年中國光學(xué)學(xué)會(huì)光學(xué)科技獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)勵(lì)。本次將展示本項(xiàng)目研制的相關(guān)砷化鎵基半導(dǎo)體激光器以及高效率柔性輕質(zhì)砷化鎵薄膜三結(jié)太陽能電池。
復(fù)旦大學(xué)
2021-09-18
pt100鉑熱電阻
薄膜
型低溫溫度傳感器測(cè)溫傳感器 14K ~ 873K
北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05
廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院羅正錢教授團(tuán)隊(duì)在可見光時(shí)空鎖
模
光纖激光器研究取得重要進(jìn)展
羅正錢教授團(tuán)隊(duì)采用少模Pr/Yb共摻雙包層ZBLAN光纖作為可見光增益介質(zhì),構(gòu)建基于非線性偏轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)(NPR)技術(shù)的鎖模激光腔,利用腔內(nèi)空間濾波效應(yīng)和NPR可飽和吸收效應(yīng)補(bǔ)償階躍折射率光纖中超大的模間色散,從而平衡了各橫模之間的走離效應(yīng),首次實(shí)現(xiàn)了可見光波段的時(shí)空鎖模光纖激光。
廈門大學(xué)
2022-06-15
安徽大學(xué)在氧化物
薄膜
晶體管摻雜工程及其穩(wěn)定性研究中取得新進(jìn)展
近日,我校材料科學(xué)與工程學(xué)院2019級(jí)材料物理專業(yè)本科生嚴(yán)錦同學(xué)在氧化物薄膜晶體管摻雜工程及其穩(wěn)定性研究中取得新進(jìn)展,作為第一作者在微電子器件頂級(jí)期刊《IEEETransactionsonElectronDevices》上發(fā)表了以“Electrospinning-DrivenInHfOxNanofiberChannelField-EffectTransistorsandHumidityStabilityExploration”為題的論文。
安徽大學(xué)
2022-09-21
InP基多量子阱光調(diào)制器/開關(guān)、可調(diào)式多
模
干涉耦合器、諧振腔濾波器、2×4分路器技術(shù)
基于平面光波光路(PLC)技術(shù)的各類光功能器件,是實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代高速光網(wǎng)絡(luò)、高速光信號(hào)處理、大容量光互連節(jié)點(diǎn)和終端設(shè)備中光信號(hào)處理模塊的基礎(chǔ)。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半導(dǎo)體工藝,以脊波導(dǎo)為基礎(chǔ),具有體積小、功耗/損耗低、可靠性高、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn),在國際上即將形成新的產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)。電子科學(xué)與工程學(xué)院光子學(xué)與光通信研究室順應(yīng)這一趨勢(shì),潛心攻關(guān),埋頭研究,歷時(shí)四年完成了InP多量子阱PLC單元器件理論與實(shí)驗(yàn)研究。在國內(nèi)首次建立了PLC光路設(shè)計(jì)和光學(xué)特性測(cè)試平臺(tái),探索出國產(chǎn)化工藝加工途徑,取得多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),成功地研制出InP基多量子阱PLC無源光子器件。包括光調(diào)制器/開關(guān)、可調(diào)式多模干涉耦合器、諧振腔濾波器、2×4分路器等,于2007年2月通過了教育部組織并主持的科技成果鑒定,達(dá)到國際先進(jìn)水平。
東南大學(xué)
2021-04-10
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