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側(cè)蔓少，生長勢極強， 普通雌性， 15 節(jié)內(nèi)雌花數(shù) 7-8 個，單性結實水平比其它組合差，在良好通風和昆蟲授粉條件下或用座果靈點花均能有很好的結果，從播種到采收 65 天左右，畝產(chǎn)量超過 7500kg，果實長度 33.5 厘米，果把長 5.5 厘米，屬于長果類黃瓜中的短果把品種；對白粉病、霜霉病和病毒病的抗性均達到抗；果實表面中刺、密刺，果實質(zhì)地脆嫩、香味濃。

強雌性，第一雌花著生節(jié)位為 2-3 節(jié)，早熟性好， 15 節(jié)內(nèi)有雌花 11 個，生長勢強，葉片大而厚，結果率近 100%， 從播種到采收 60 天左右，畝產(chǎn)量超過 7000kg，果實長度23 厘米，果把 4 厘米，果實表面為細刺、密刺，質(zhì)地脆嫩、香味濃；對白粉病抗性為中抗，對霜霉病和病毒病的抗性為抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養(yǎng)分供應必須充分及時，否則，須適當疏果。

側(cè)蔓較少，強雌性， 15 節(jié)內(nèi)雌花數(shù)達到 9 個，第一雌花節(jié)位 4 節(jié)，生長勢強，結果力強，從播種到采收 62 天左右，畝產(chǎn)量超過 7000kg，果實長度偏短， 23 厘米左右，果把長度 4.1 厘米，果實表面為粗刺瘤，皮肉均較厚， 香味濃；對白粉、霜霉和病毒病的抗性均達到抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養(yǎng)分供應必須充分及時，否則，須適當疏果。

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本項目屬于電子信息功能材料技術領域。 特色及先進性：為了實現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據(jù)晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內(nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關對材料磁光性能的驗證。 技術指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。

本研究利用氧氣對非骨架摻雜選擇性刻蝕的效應，首次在Cu襯底上實現(xiàn)了石墨烯的完美骨架摻雜生長，氮摻雜后的石墨烯遷移率高達13000 cm2/Vs，比其他工藝制備的摻雜石墨烯要高出數(shù)個量級。同時，石墨烯的面電阻也降低到130 oh/sq，摻雜的穩(wěn)定性顯著提高。