通信感知一體化氮化鎵光電子集成芯片
研究背景
芯片是人類最偉大的發(fā)明之一,也是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心。小到手機(jī)、電腦、數(shù)碼相機(jī),大到6G、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算均基于芯片技術(shù)的不斷突破。半導(dǎo)體光刻工藝水平的發(fā)展是以芯片為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的基石,目前半導(dǎo)體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小,芯片內(nèi)晶體管單元已經(jīng)接近分子尺度,半導(dǎo)體制作工藝的“瓶頸效應(yīng)”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發(fā)展,急劇增長(zhǎng)的龐大數(shù)據(jù)量要求數(shù)據(jù)處理模型和算法結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化升級(jí),帶來的結(jié)果就是對(duì)計(jì)算能力和系統(tǒng)功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設(shè)備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計(jì)算力瓶頸等現(xiàn)象,已越來越難以滿足大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)計(jì)算力與功耗的需求,因此提高運(yùn)算速度同時(shí)降低運(yùn)算功耗是目前信息工業(yè)界面臨的緊要問題。
如當(dāng)年集成電路開創(chuàng)信息時(shí)代一樣,當(dāng)下已經(jīng)普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時(shí),光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進(jìn),光子芯片向小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)已是必然。相對(duì)于電子驅(qū)動(dòng)的集成電路,光子芯片有超高速率,超低功耗等特點(diǎn),利用光信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取、傳輸、計(jì)算、存儲(chǔ)和顯示的光子芯片,具有非常廣闊的發(fā)展空間和巨大的潛能。
項(xiàng)目功能
本項(xiàng)目瞄準(zhǔn)光通信關(guān)鍵技術(shù)及核心芯片,基于量子阱二極管發(fā)光探測(cè)共存現(xiàn)象,探索關(guān)鍵微納制造技術(shù),研制出可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)通信、感知功能的一體化光電子芯片。
技術(shù)路線
一、技術(shù)原理及可行性
本項(xiàng)目主要負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授發(fā)現(xiàn)如圖1所示的量子阱二極管發(fā)光探測(cè)共存現(xiàn)象,首次研制出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸、調(diào)制和接收器件的光電子芯片,這些原創(chuàng)工作引起了業(yè)界相關(guān)科研小組地廣泛關(guān)注,化合物半導(dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片成為研究熱點(diǎn)。香港大學(xué)的蔡凱威小組和申請(qǐng)人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術(shù),在藍(lán)寶石氮化物晶圓上實(shí)現(xiàn)LED基同質(zhì)集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Ooi教授和美國(guó)加州大學(xué)圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍(lán)寶石氮化物晶圓上,研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上,研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調(diào)制方式下,InGaN/GaN量子阱二極管可實(shí)現(xiàn)Gbps的光發(fā)射、調(diào)制和探測(cè)速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發(fā)基于光子傳輸?shù)幕衔锇雽?dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片以實(shí)現(xiàn)片上光子通信是可行的。
二、總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝流程
本項(xiàng)目提出的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片基于常規(guī)的藍(lán)寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進(jìn)行設(shè)計(jì),無需特殊定制的外延結(jié)構(gòu)。以典型的2寸氮化鎵基藍(lán)光LED外延片為例,其外延片結(jié)構(gòu)如圖2所示,從下至上依次為藍(lán)寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層,通過調(diào)節(jié)InGaN/GaN多量子阱層的參數(shù)(層厚度與In的比例等等)可制備具有不同中心波長(zhǎng)的光源器件。
圖3為本項(xiàng)目所提出的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片結(jié)構(gòu)。在藍(lán)寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級(jí)微納加工技術(shù),制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術(shù)直接與基板相連,光線從透明的藍(lán)寶石襯底發(fā)出,這樣不僅使得器件具有優(yōu)良的電性能和熱特性而且簡(jiǎn)化了其后期的封裝工藝。
三、技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)
1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短,不僅有助于增強(qiáng)PD對(duì)藍(lán)寶石表面反射光線的耦合,提升感知系統(tǒng)性能,而且縮小了器件整體外形,符合集成電子器件小型化、便攜化的發(fā)展趨勢(shì);
2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統(tǒng)異質(zhì)的、分立的LED和PD簡(jiǎn)化了封裝形式和工藝,不再需要對(duì)LED和PD進(jìn)行單獨(dú)的封裝,而且同質(zhì)集成器件的基板也較異質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單統(tǒng)一,極大地縮短了集成系統(tǒng)的制作周期;
3、同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD,簡(jiǎn)化了生長(zhǎng)異質(zhì)材料的復(fù)雜性,縮短了器件流片的周期,使用同一工藝就可將LED和PD進(jìn)行批量生產(chǎn),有效地降低了生產(chǎn)成本。
四、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測(cè)試與電學(xué)性能測(cè)試平臺(tái),并且項(xiàng)目成員積累了豐富的測(cè)試技術(shù)與經(jīng)驗(yàn),能夠滿足本項(xiàng)目的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片測(cè)試同時(shí)表征光電參數(shù)與電學(xué)參數(shù)的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖,從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。
基于通信感知一體化芯片,本項(xiàng)目利用單個(gè)多功能集成器件成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)人體脈搏的監(jiān)測(cè)功能,如圖5所示。
另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片,我們還實(shí)現(xiàn)了照明、成像和探測(cè)功能為一體的LED陣列系統(tǒng),如圖6所示。該系統(tǒng)可以在點(diǎn)亮照明的同時(shí),實(shí)現(xiàn)對(duì)外界光信號(hào)的探測(cè)與感知,通過后端系統(tǒng)處理后,再將信息通過陣列顯示出來,實(shí)現(xiàn)多種功能的集成。
項(xiàng)目負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授是國(guó)家自然基金委優(yōu)秀青年項(xiàng)目、國(guó)家973項(xiàng)目獲得者,他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學(xué)術(shù)期刊發(fā)表一系列高質(zhì)量研究論文,獲授權(quán)中國(guó)發(fā)明專利23項(xiàng),美國(guó)發(fā)明專利2項(xiàng),被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報(bào)道,榮獲2019年中國(guó)電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)(自然科學(xué))、2019年南京市十大重大原創(chuàng)成果獎(jiǎng)等。
南京郵電大學(xué)
2021-05-11