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毛細(xì)管等速微通道電泳芯片
本發(fā)明所述毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，包括芯片本體，包括位于芯片本體上的進樣毛細(xì)管和檢測毛細(xì)管，所述進樣毛細(xì)管中部和檢測毛細(xì)管一端呈T形垂直連接。采用本發(fā)明所述的毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，采取蝕刻芯片代替普通毛細(xì)管，使得電泳路徑明顯縮短并更加規(guī)則；采取T字形毛細(xì)管，使得前導(dǎo)、尾隨緩沖液和樣品分別進樣更加方便，且能有效縮短電泳路徑減少流體沿程阻力損失，更大限度的保證衡量污染物監(jiān)測的精確度。
四川大學(xué)
2016-09-29
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微電子芯片關(guān)鍵尺寸測試/分析系統(tǒng)
微電子芯片結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸（CD）的測試，是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實現(xiàn)能否滿足設(shè)計要求的關(guān)鍵測試/分析技術(shù)。該技術(shù)（OCD）的產(chǎn)業(yè)化在國內(nèi)還是空白，目前我們的系統(tǒng)研究可PK國際先進水平，并已具備產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的能力。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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一種芯片拾放控制方法
本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高集成度光通信芯片
哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）電子與信息工程學(xué)院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導(dǎo)模場的精細(xì)調(diào)控，在實現(xiàn)多模波導(dǎo)低損耗和低串?dāng)_的同時，將關(guān)鍵器件的尺寸縮小了1-2個數(shù)量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復(fù)用信號的任意緊湊布線，使多模光學(xué)系統(tǒng)的大規(guī)模片上集成成為可能。該成果將進一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領(lǐng)域中加速發(fā)展和應(yīng)用。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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光電探測量子芯片產(chǎn)業(yè)化
用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，通過多次半導(dǎo)體器件仿真優(yōu)化，最終得到外延結(jié)構(gòu)設(shè)計。結(jié)合 13 所 自主外延生長技術(shù)與精準(zhǔn)的鋅擴散方案，最終實現(xiàn)較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經(jīng)成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術(shù)有限公司的產(chǎn)品中得到應(yīng)用。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
一種廣譜成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納尖表面激勵產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種多頂針芯片剝離裝置
本發(fā)明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構(gòu)， 安裝于 Z 向升降機構(gòu)上并連接旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現(xiàn)預(yù)頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協(xié)作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)， 連接多頂針主體機構(gòu)，用于先后驅(qū)動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構(gòu)，安裝于三自由度微調(diào)對準(zhǔn)機構(gòu)上，停 機狀態(tài)時其處于下降位置，工作狀態(tài)其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準(zhǔn)備；三自由度微調(diào)對準(zhǔn)機構(gòu)，用于對多頂針主體機構(gòu)進行 X、Y 和 Z 向的微調(diào)。本發(fā)明可實現(xiàn)頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調(diào)節(jié)，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區(qū)域進行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續(xù)的加工工藝，相對于傳統(tǒng)的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發(fā)明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
國際物理奧賽，中國隊包攬前五！
中國隊五名隊員憑借雄厚實力全部獲得金牌，攬獲個人成績世界前五，并獲得團體總分第一的優(yōu)異成績。
中國科協(xié)青少年科技中心
2022-07-18
一種多物理域特征信息融合方法
本發(fā)明公開了一種多物理域特征信息融合方法，包括：（1）通過測量工具獲取工程事件中所需要的先驗信息，去除其中的冗余信息，獲得優(yōu)化的特征信息集；（2）將優(yōu)化的特征信息集中的每個特征信息值 Xi 轉(zhuǎn)換成區(qū)間形式；（3）求取廣義隱馬爾科夫初始模型；（4）根據(jù)獲得的廣義隱馬爾科夫初始模型λ，獲取最優(yōu)模型；（5）求得每個單物理域的最優(yōu)的廣義隱馬爾科夫模型，再各單物理域最優(yōu)模型參數(shù)間的耦合關(guān)系，合成聯(lián)合的廣義區(qū)間后驗概率分布，完成獲得多物理域特征信息融合。本發(fā)明的方法通過廣義貝葉斯法則
華中科技大學(xué)
2021-01-12