碳納米管的結(jié)構(gòu)控制制備方法
由于高溫下催化劑的聚集和失活,無(wú)法獲得高密度碳管水平陣列,就提出了“特洛伊”催化劑的概念,解決了催化劑聚集的難題,實(shí)現(xiàn)了密度高達(dá) 130 根 / 微米(局部大于 170 )碳管水平陣列的生長(zhǎng)( Nat. Commun. , 2015, 6, 6099 )。為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)碳納米管的結(jié)構(gòu)控制,他們發(fā)展了雙金屬催化劑( J. Am. Chem. Soc. , 2015, 137, 1012 )、半導(dǎo)體氧化物催化劑( Nano Lett. , 2015, 15, 403 )和碳化物催化劑( J. Am. Chem. Soc. , 2015, 137, 8904 ),實(shí)現(xiàn)了不同結(jié)構(gòu)碳納米管的控制生長(zhǎng)。通過(guò)對(duì)生長(zhǎng)的過(guò)程的調(diào)控,實(shí)現(xiàn)了密度大于 100 根 / 微米半導(dǎo)體含量大于 90% 的碳管陣列的生長(zhǎng)( J. Am. Chem. Soc. , 2016, 138, 6727 )和小管徑陣列單壁碳納米管的生長(zhǎng)( J. Am. Chem. Soc. , 2016, 138, 12723 )。
北京大學(xué)
2021-04-11