Si基GaN功率半導(dǎo)體及其集成技術(shù)
特色及先進(jìn)性;技術(shù)指標(biāo) 電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室(Power Integrated Technology Lab.-PITEL)自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究,是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導(dǎo)體技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強(qiáng)型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽(yù)為“器件奧林匹克”的國際頂級(jí)會(huì)議IEDM上報(bào)道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器,國際上首次實(shí)現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強(qiáng)型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結(jié)構(gòu)(Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode),其結(jié)構(gòu)如圖2所示。新結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)GaN整流器具有更小的導(dǎo)通電阻,更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統(tǒng)SBD正向開啟特性特比,可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓(0.6V)和導(dǎo)通電阻(1.3mΩ?cm2)。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優(yōu)秀的反向阻斷能力,以10μA/mm 為擊穿電流標(biāo)準(zhǔn),MG-HAD在常溫下?lián)舸╇妷撼^1.1kV的儀器測(cè)量極限,150 ℃高溫下?lián)舸╇妷簽?70V。本器件結(jié)果能同時(shí)具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓,因而其baliga優(yōu)值(BFOM)459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報(bào)道中為第二高值,見圖5所示。
電子科技大學(xué)
2016-06-08