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本發(fā)明公開了一種光源分布自參照的折光計，屬于光電技術(shù)與 光學(xué)儀器領(lǐng)域，包括用于產(chǎn)生發(fā)散光束的光源照明系統(tǒng)、光學(xué)傳感頭、 反射光能量收集系統(tǒng)以及圖像采集分析系統(tǒng)，光學(xué)傳感頭包括參照模 塊和棱鏡，參照模塊貼合在所述棱鏡的底面，工作時發(fā)散光束入射進(jìn) 入棱鏡后形成的光斑被分成位于參照模塊的第一部分光束和位于參照 模塊外的第二部分光束，第一部分光束發(fā)生全反射，第二部分光束中 有部分光線發(fā)生反射并部分光線發(fā)生折射，第一部分光束用

簡單介紹： 蛇形冷光源光纖燈性能特點：多組份玻璃光纖加工的光纖傳光束，具有數(shù)值孔徑大，傳輸損耗小，光絕緣性能好，光纖較細(xì)，填充率低，光強度大，抗電磁干擾能力強，柔軟、易彎曲，蛇形冷光源光纖燈可隨意改變路徑，滿足實驗需要。 詳情介紹： 技術(shù)參數(shù)： 1.電源電壓：~220V+20V 50Hz+1Hz2.燈泡功率：24/150W3.色溫：4000K4.輸出照度：1 800.000LX5.主機材質(zhì)：金屬烤漆6.光纖材質(zhì)：玻璃光纖7.機箱尺寸：245MM /1.00MM/ 150MM8.亮度調(diào)節(jié)：M >[連續(xù)可調(diào)光色暖白色 9.光源類型：鹵素系列10.整機噪音：≤54DB11.凈重：3.5KG 12.毛重：4.0KG

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產(chǎn)品展示 　　產(chǎn)品特點 　　非凡畫質(zhì)，鮮艷明亮 　　采用3LCD成像技術(shù)搭載HLD新光源，改善了以往LED 光源亮度不足的問題，具有色域廣的優(yōu)勢，可投射全彩圖像，讓色彩真實鮮艷 　　HLD光源壽命 20000 小時，有助于降低后期運行成本及維護(hù)成本 　　有限空間，無限創(chuàng)造 　　實現(xiàn)近距離0.71米投80英寸(比例16:10)大畫面的需求， 100000：1 動態(tài)對比度，保證畫面的每一個細(xì)節(jié)，帶來豐富而細(xì)膩的視覺享受 　　雙散熱系統(tǒng)，呵護(hù)有序 　　希沃HLD短焦系列產(chǎn)品采用雙散熱系統(tǒng)，獨立的風(fēng)冷散熱器協(xié)調(diào)工作，可大大降低機器工作時產(chǎn)生的熱量，更好地保證上課過程中運行穩(wěn)定、安靜 　　防塵保護(hù)，穩(wěn)定運行 　　使用 HAF超大流量靜電空氣過濾材料，采用 High Air Flow方案(平衡過濾效率和壓差的解決方案) 　　獨有的靜電技術(shù)，能使濾材上的靜電經(jīng)久不消，有效利用靜電引力捕捉顆粒，保證使用的穩(wěn)定性

在現(xiàn)有聚酯生產(chǎn)工藝基礎(chǔ)上，廣譜型抗紫外納米復(fù)合粉體與PET聚酯的復(fù)合將賦予PET聚酯以良好的抗紫外性能，同時可改善聚酯的力學(xué)性能，對提升滌綸聚酯的附加值和提高我國滌綸纖維的國際競爭能力具有重要意義，同時也有利于該技術(shù)的推廣和應(yīng)用。本技術(shù)制備了納米TiO ?2/ZnO和TiO 2 -SiO 2 -ZnO復(fù)合粉體。TiO 2 -SiO 2 -ZnO復(fù)合粉體的紫外性能在350-400nm波段內(nèi)比金紅石型TiO2明顯改善。原位聚合法制備了抗紫外復(fù)合粉體復(fù)合滌綸聚酯。抗紫外納米復(fù)合顆粒在PET基體中的分散均勻，團聚體的尺度在50-90nm之間，復(fù)合聚酯的特性粘度、熔點、羧基含量、凝聚粒子和二甘醇含量等重要指標(biāo)均符合國家標(biāo)準(zhǔn)。高比表面的顆粒作為異相成核劑，提高了PET的結(jié)晶度，加快了PET聚酯的結(jié)晶速率。隨著復(fù)合顆粒的增加，抗紫外PET復(fù)合聚酯體系表觀剪切粘度隨納米粒子含量的升高逐漸下降。加入復(fù)合抗紫外顆粒后對PET的熱穩(wěn)定性影響不大。

在現(xiàn)有聚酯生產(chǎn)工藝基礎(chǔ)上，廣譜型抗紫外納米復(fù)合粉體與PET聚酯的復(fù)合將賦予PET聚酯以良好的抗紫外性能，同時可改善聚酯的力學(xué)性能，對提升滌綸聚酯的附加值和提高我國滌綸纖維的國際競爭能力具有重要意義，同時也有利于該技術(shù)的推廣和應(yīng)用。 本技術(shù)制備了納米TiO2/ZnO和TiO2-SiO2-ZnO復(fù)合粉體。TiO2-SiO2-ZnO復(fù)合粉體的紫外性能在350-400nm波段內(nèi)比金紅石型TiO2明顯改善。原位聚合法制備了抗紫外復(fù)合粉體復(fù)合滌綸聚酯。 抗紫外納米復(fù)合顆粒在PET基體中的分散均勻，團聚體的尺度在50-90nm之間，復(fù)合聚酯的特性粘度、熔點、羧基含量、凝聚粒子和二甘醇含量等重要指標(biāo)均符合國家標(biāo)準(zhǔn)。高比表面的顆粒作為異相成核劑，提高了PET的結(jié)晶度，加快了PET聚酯的結(jié)晶速率。隨著復(fù)合顆粒的增加，抗紫外PET復(fù)合聚酯體系表觀剪切粘度隨納米粒子含量的升高逐漸下降。加入復(fù)合抗紫外顆粒后對PET的熱穩(wěn)定性影響不大。

傳統(tǒng)的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應(yīng)紫外波段的光信號，這是因為紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術(shù)的日趨發(fā)展，人們越來越需要對紫外波段進(jìn)行更深的探測分析與認(rèn)識。紫外探測技術(shù)是繼激光探測技術(shù)和紅外探測技術(shù)之后發(fā)展起來的又一軍民兩用光電探測技術(shù)。幾十年來，紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應(yīng)用最廣泛的光電探測器件。當(dāng)前最先進(jìn)的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD、CMOS具有靈敏度強、噪聲低、成像質(zhì)量好等優(yōu)點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應(yīng)都很弱。成像器件的這種紫外弱響應(yīng)限制了其在先進(jìn)光譜儀器及其他領(lǐng)域紫外波段探測的使用。 在技術(shù)發(fā)達(dá)國家,寬光譜響應(yīng)范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高檔光譜儀器中。上世紀(jì)中葉美國Varian公司開發(fā)的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達(dá)0.01nm,光波長在600nm和300nm時QE分別達(dá)到了84%和50%；美國熱電公司開發(fā)的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應(yīng)范圍更是達(dá)到165～1000nm，在200nm時的分辨率達(dá)到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達(dá)0.0035nm,紫外響應(yīng)拓展到120nm的遠(yuǎn)紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀一維色散和22個CCD檢測器設(shè)計，其光譜響應(yīng)范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續(xù)光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達(dá)0.002nm,光譜響應(yīng)范圍為189—900 nm。總而言之，發(fā)達(dá)國家在寬光譜響應(yīng)和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領(lǐng)域已取得相當(dāng)?shù)某删汀Ｖ饕夹g(shù)指標(biāo)和創(chuàng)新點（1）  我們在國內(nèi)首次提出紫外增強的硅基成像器件，并在不改變傳統(tǒng)硅基成像探測器件的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用鍍膜的方法增強成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應(yīng)，使其光譜響應(yīng)范圍拓寬到190—1100nm，實現(xiàn)對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達(dá)到0.1V/lex.s。（3）  增強成像探測器件的紫外響應(yīng)的同時，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應(yīng)。（4）  選用適合的無機材料，克服有機材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設(shè)計與傳統(tǒng)CCD、CMOS結(jié)合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應(yīng)探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應(yīng)范圍，在科學(xué)實驗和物質(zhì)分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設(shè)計樣品能取代傳統(tǒng)CCD、CMOS，應(yīng)用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統(tǒng)光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實現(xiàn)紫外探測和紫外分析。具有較強的市場推廣應(yīng)用價值。