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改性聚合硫酸鐵是武漢工程大學(xué)開(kāi)發(fā)的新型高效水處理劑，系無(wú)機(jī)高分子混凝劑，它克服了傳統(tǒng)鋁鹽及其聚鋁在較低溫度小形成絮凝體小且慢。其沉降速度小甚至無(wú)法沉淀的缺陷,可廣泛用于生活飲用水、各種工業(yè)用水、工業(yè)廢水及城市污水的凈化處理。該產(chǎn)品性能穩(wěn)定，凈水效果優(yōu)良，不含重金屬等有害物質(zhì)，亦無(wú)鐵離子的水相轉(zhuǎn)移，無(wú)毒無(wú)害，使用安全可靠；且具有脫色、脫臭、脫油、殺菌、除去重金屬離子和其它有毒物質(zhì)等多種功效，對(duì)COD、BOD有較高的去除率；在低溫條件下，其處理原水或廢水的效果極佳。產(chǎn)品極易溶于水，配藥加藥方便，適用水體的PH值范圍寬，凈化出水的PH值與總堿度變化幅度小，對(duì)處理設(shè)備腐蝕性小；投藥量少，成本低廉，處理費(fèi)用較其它無(wú)機(jī)絮凝劑相比，一般可節(jié)省20%左右。

物聯(lián)網(wǎng)體系 智能連接家、校、人，實(shí)現(xiàn)物聯(lián)校園數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)采集提高教學(xué)、教務(wù)、校務(wù)、辦公的高效管理，離不開(kāi)智能物聯(lián)設(shè)備的支持

產(chǎn)品詳細(xì)介紹1、刷卡或密碼開(kāi)門(mén)：支持普通IC卡或?qū)W校一卡通，門(mén)禁系統(tǒng)或停車場(chǎng)使用的射頻 IC 卡都可以注冊(cè)為智能儲(chǔ)物柜的鑰匙卡，擴(kuò)展一卡通功能，可擴(kuò)展 ID 卡和身份證刷卡(須選加 ID卡模塊和身份證讀卡模塊)等，一卡支持多箱存取；2、其他方式開(kāi)鎖：機(jī)械鎖、人臉識(shí)別、指紋認(rèn)證、微信、密碼等多種方式存取物品，安全性高，存取操作簡(jiǎn)單3、使用過(guò)程不需要耗材4、內(nèi)置五孔插座+2個(gè)USB口，也可根據(jù)要求定制，滿足了人們對(duì)物品寄存、安全保管和移動(dòng)設(shè)備充電等需求。5、本地管理：管理員通過(guò)輸入管理密碼可進(jìn)入管理菜單，管理員可以實(shí)現(xiàn)對(duì)智能儲(chǔ)物柜的全部操作，設(shè)定用戶開(kāi)箱方式，箱門(mén)數(shù)，維護(hù)設(shè)備，全清全開(kāi)箱門(mén)或單箱開(kāi)門(mén)，系統(tǒng)日期時(shí)間，修改用戶密碼等功能；6、柜門(mén)大小根據(jù)需求定制尺寸、和數(shù)量材質(zhì)：門(mén)板及整體材料為優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板制作，經(jīng)過(guò)酸洗磷化、表面靜電粉末噴塑處理。安裝方式：落地式，使用電源為 220V，三插插座 1 只/組，待機(jī)功耗≤10W/組。產(chǎn)品特色：堅(jiān)固、耐用、安全可靠、方便充電、擴(kuò)展性強(qiáng)。功能描述：1、采用 7 寸 IPS 高清觸摸屏，安卓系統(tǒng)，操作方便簡(jiǎn)單擴(kuò)展性強(qiáng)，美觀大方操作方便；每單箱內(nèi)置電源插座，含 1 三相插口、1 兩相插口和 2USB 口；2、一卡通：學(xué)校 IC 卡，門(mén)禁系統(tǒng)或停車場(chǎng)使用的射頻 IC 卡都可以注冊(cè)為智能儲(chǔ)物柜的鑰匙卡，擴(kuò)展一卡通功能，可擴(kuò)展 ID 卡和身份證刷卡(須選加 ID卡模塊和身份證讀卡模塊)等，一卡支持多箱存取；3、人臉識(shí)別：人臉識(shí)別存儲(chǔ)，刷臉開(kāi)柜存物，刷臉開(kāi)柜取物，一臉支持多箱存取，方便安全可靠；4、指紋識(shí)別：指紋識(shí)別存儲(chǔ)、指紋開(kāi)柜存物，指紋開(kāi)柜取物，方便安全可靠（須選加指紋識(shí)別模塊）；5、微信手機(jī)：通過(guò)微信存取物品，可遠(yuǎn)程開(kāi)鎖和查看開(kāi)鎖記錄(須選加微信模塊和設(shè)備聯(lián)網(wǎng))；6、本地管理：管理員通過(guò)輸入管理密碼可進(jìn)入管理菜單，管理員可以實(shí)現(xiàn)對(duì)智能儲(chǔ)物柜的全部操作，設(shè)定用戶開(kāi)箱方式，箱門(mén)數(shù)，維護(hù)設(shè)備，全清全開(kāi)箱門(mén)或單箱開(kāi)門(mén)，系統(tǒng)日期時(shí)間，修改用戶密碼等功能；7、應(yīng)急開(kāi)箱：我們?cè)谠O(shè)計(jì)智能儲(chǔ)物柜和電控鎖時(shí)已充分考慮好應(yīng)急開(kāi)箱方案，一旦斷線或電鎖故障， 可由管理員打開(kāi)應(yīng)急開(kāi)箱鎖進(jìn)行手動(dòng)開(kāi)箱；8、開(kāi)箱方式：用戶可選擇自己想使用的空箱，若一箱不夠用可存多箱，單人可用箱數(shù)管理員可設(shè)置；9、美觀節(jié)能：極低的待機(jī)功耗(≤10W)，采用 7 寸電容觸摸屏，美觀大方。

本發(fā)明提供一種新型韌性顆粒強(qiáng)化的鐵基非晶基復(fù)合涂層，以 鐵基非晶合金粉末和韌性金屬粉末的機(jī)械復(fù)合粉末為原料，其中鐵基 非晶合金粉末由下述元素和不可避免的雜質(zhì)組成：Cr10.0-17.0； Mo12.0-20.0；B4.0-8.0；C10.0-18.0；Y0.0-5.0；Fe 余量（原子百分比）； 韌性金屬粉末可以采用：不銹鋼粉末、鎳基金屬粉末、鈷基金屬粉末、 鋁基金屬粉末或銅基合金粉末；該涂層采用超音速火焰噴涂技術(shù)制得。 本發(fā)明獲得的鐵基非晶基復(fù)合涂層結(jié)構(gòu)致密，孔隙率低，具有較高的 韌性以及與金屬基材良好的結(jié)合強(qiáng)度。該復(fù)合涂層水力及油氣田開(kāi)發(fā) 設(shè)施、管道運(yùn)輸、船舶甲板等諸多工業(yè)領(lǐng)域有著極大的應(yīng)用前景

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開(kāi)關(guān)速度高工作溫度抗輻時(shí)等特點(diǎn),成為當(dāng)前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點(diǎn)，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點(diǎn)在消費(fèi)電子(如手機(jī)快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無(wú)人駕駛與新能源汽車、5G通信等團(tuán)家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室自2008年起即開(kāi)展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強(qiáng)型功率晶體管、功率整流器進(jìn)行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開(kāi)發(fā)。解決了增強(qiáng)型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。

本技術(shù)開(kāi)發(fā)了先進(jìn)的磷酸鎂基快速修補(bǔ)材料。通過(guò)使用分子模擬技術(shù)，聯(lián)合數(shù)學(xué)模型的建立，能夠指導(dǎo)高耐水性快速修補(bǔ)材料的合成。

可以量產(chǎn)/n該成果利用我國(guó)廣泛的礦產(chǎn)資源制造鑄造行業(yè)需要的鑄造涂料，產(chǎn)品 用于鑄造行業(yè)，能替代昂貴的鋯英粉涂料，產(chǎn)品耐火度達(dá)1800 度以上， 2h 懸浮率達(dá) 96％以上。經(jīng)實(shí)驗(yàn)，涂料中各組分按重量百分比如下：400～600 目耐火粉料占 44～55％，鈉基膨潤(rùn)土 1.30～1.45％，水 0.45～0.60％，聚乙烯醇縮丁 醛 0.5～0.7％，熱塑性酚醛樹(shù)脂 1.4～1.6％，乙醇 41～52％。制備方法： 1)按比例稱取各原料；2)先將鈉基膨潤(rùn)土和水碾壓預(yù)處理成膏狀物；3)將 400～600

二聚酸是具有三十六個(gè)碳的二元酸，具有優(yōu)良的耐低溫性能。本團(tuán)隊(duì)致力于二聚酸基尼龍產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)研究多年，形成了二聚酸基尼龍制備的核心技術(shù)。設(shè)計(jì)比例的二元酸與二元胺在催化劑存在下經(jīng)成鹽、加壓及常壓分階段聚合、切粒等過(guò)程獲得目標(biāo)產(chǎn)品，工藝簡(jiǎn)單，反應(yīng)平穩(wěn)，根據(jù)需要可以通過(guò)改變工藝參數(shù)及操作條件，靈活控制尼龍數(shù)均相對(duì)分子質(zhì)量，制備出的產(chǎn)品性能達(dá)到或超過(guò)現(xiàn)有尼龍11、尼龍10和尼龍1212等長(zhǎng)鏈尼龍產(chǎn)品。相關(guān)技術(shù)已獲國(guó)家發(fā)明專利。

首先設(shè)計(jì)合成了 Fe2B 間隙化合物，其中包含一維硼鏈結(jié)構(gòu)和高導(dǎo)電的 Fe 主體網(wǎng)絡(luò)，該化合物表現(xiàn)出與純硼截然不同的電化學(xué)性質(zhì)， 1400 次循環(huán)后基于 B 計(jì)算的容量可達(dá) 10700 mA h/g 。高導(dǎo)電的 Fe 基質(zhì)和高分散的一維硼鏈結(jié)構(gòu)首先激活了部分 B 的儲(chǔ)鋰潛能，并且在循環(huán)反應(yīng)過(guò)程中 Fe 基質(zhì)不斷將硼鏈分散成單原子，從而實(shí)現(xiàn)了更高效的儲(chǔ)能。然而，由于間隙化合物中 B 的質(zhì)量含量過(guò)低，材料整體容量不符合實(shí)際需求。研究者隨后通過(guò)熱力學(xué)計(jì)算發(fā)現(xiàn) B2O3 與鋰發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)吉布斯自由能變僅為 -489 kJ/mol ，即發(fā)生該反應(yīng)的逆反應(yīng)發(fā)生僅需克服 489 kJ/mol ，遠(yuǎn)小于可逆負(fù)極材料 Fe2O3 和 SnO2 。?