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技術分析（創新性、先進性、獨占性） 目前的海洋食品保鮮商用冷鏈主要是3條：①傳統4℃冷藏鏈，貯藏期最短，7天左右,不能滿足商業流通要求；②冰鮮（冰藏）冷鏈，貯藏期短,15天左右,商業流通半徑受限；③傳統-18℃以下的凍藏冷鏈，貯藏期長，半年或一年以上，但是存在海洋食品蛋白質變性、脂肪氧化和解凍汁液（營養與風味）流失等品質大幅下降的問題,商業價值銳降。 冰溫是繼冷藏和凍藏后的一種新興食品保鮮技術。包括冰溫貯藏、熟成、發酵、濃縮、干燥和流通6個方面，冰溫溫度帶指的是零度到食品凍結點之間的溫區，該溫區加工的食品新鮮味美。在國家自然科學基金面上項目的資助下，本研究團隊研發了食品冰溫真空干燥（脫水）實驗機和中試機，物料脫水過程中溫度波動控制在±0.5℃以內。海洋食品的冰點多在-1℃～-2℃，冰溫帶狹小是其商業應用難點，本成果提出“冰溫真空脫水+冰點調節劑”方法（實審中發明專利：一種拓寬生鮮食品冰溫帶的方法，申請號201810870251.3），將食品冰點降至-4℃以下，實現0℃至-4℃海洋食品非凍結商業流通，突破了冰溫技術應用瓶頸。以草魚片為例，適口含鹽量2.5%和含水率60%魚片（冰溫真空脫水后），0℃至-4℃非凍結貯藏期70天以上，為傳統4℃冷藏的10倍，鮮味成分倍增。 另外，海洋食品0℃至-4℃非凍結保鮮冷鏈，涉及到“冰溫真空脫水機”的冷阱制冷系統，0℃至-4℃貯運裝置（冷庫和冷藏車）的制冷系統，本團隊“制冷系統中兩相射流泵代替膨脹閥”專利技術解決了制冷劑節流損失回收的難題，中試實驗結果表明，最大節能幅度達9%。 冰溫真空脫水（干燥）機 射流泵供液制冷系統實驗臺 創新性： ① 海洋食品0℃至-4℃非凍結保鮮冷鏈的創建，創新裝置：冰溫真空脫水機-精密溫控技術； ② 射流泵代替膨脹閥冷鏈制冷系統節能技術，創新設備：冷鏈用兩相射流泵供液系統-制冷劑節流損失回收利用技術。 先進性：本成果海洋食品非凍結保鮮貯藏期國際領先，射流泵代替膨脹閥冷鏈制冷系統的節能幅度國際領先。 獨占性：本成果的核心技術涉及3項授權發明專利，為上海海洋大學獨有。

本發明公開了一種用于 MIMO 無線通信的非相干酉空時調制的對跖解調方法和對跖解調器，所述對跖解調方法要求將非相干酉空時星座圖劃分為兩個子星座圖，所述各子星座圖內不存在成對的對跖點，而在兩個子星座圖之間存在一一對應的對跖點，所述對跖解調方法只需在任意一個子星座圖內遍歷 L/2 個星座點進行基于最大似然的解調計算，找出 L/2 個四矩陣乘積的跡最大值ψmax 和跡最小值ψmin，然后 根 據 <img file=

北京大學物理學院、納光電子前沿科學中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室“極端光學團隊”胡小永教授和龔旗煌院士等在非厄密拓撲光子學研究中取得重要進展：發展出一種研究新型增益-損耗疇壁拓撲光學體系的有效哈密頓量新方法，揭示了由增益-損耗疇壁誘導的拓撲態的產生機制。

北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室劉開輝教授課題組與合作者提出模塊化局域元素供應生長技術，成功實現了半導體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與當代主流半導體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導體材料由實驗研究向產業應用過渡，為新一代高性能半導體技術發展奠定了材料基礎。2023年7月4日，相關研究以“模塊化局域元素供應技術批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物晶圓”（Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply）為題，在線發表于《科學通報》（Science Bulletin）。

集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。

本專利公開了一種無氰離子的電鍍工藝，屬于材料表面處理領域。該工藝本專利是采取新的電鍍液，具有滲透性強、分散性好的特性。 鑄件在整個電鍍過程中，可以克服現有鑄鋼件電鍍工藝的所有缺陷，實現鑄件快速高效優質電鍍，該工藝具有鍍層厚度均勻、鍍層光澤度好、鍍層與鑄件結合力牢固、鍍層致密、鍍層抗氧化能力好的特點，鍍層的中性鹽霧化試驗、酸霧化試驗達到國家規定的標準（96小時無腐蝕點）。目前該項技術已經發展成熟，有很大的推廣應用價值。通過X射線能譜儀分析鍍層的成分，具體分析譜圖見附件。

高強度鋁合金結構強韌性差一直是困擾航空航天、高速列車等重大裝備的世紀難題。自從焊接技術發明以來，鋁合金熔焊結構頻繁發生疲勞破壞，根源在于損傷演化機理不明。

本發明公開了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

本發明公開了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。