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大功率雙輸出傳動系統設計
雙輸出傳動箱是雙螺桿擠出機中的關鍵裝置,它廣泛用于制備化工、食品、甚至建筑材料制磚等工業生產領域。近幾十年用于制備塑料、化纖、碳纖維和食品加工的雙螺桿擠出機都配備的是來自德國THYSSEN HENSCHEL和意大利Zambello的大功率雙輸出傳動箱，這些高端設備曾經是國內同類產品無法替代的。受化工機械企業需求的委托，我們對大功率雙輸出傳動系統展開了研發，解決了關鍵技術，并制造出了規格不同的系列產品，成功地替代了THYSSEN HENSCHEL和Zambello的系列產品，已經安全用于化工塑料領域6年。至今，我們已經發明了大功率雙輸出傳動系統的多種傳動結構和傳動系統的最優化設計方法，從而巨大地減小了傳動箱的體積，提高了傳動功率。目前，已經為南京GIANT機電有限公司完成了從18.5KW到800KW的全系列大功率雙輸出傳動箱產品設計，產品已經全部替代進口產品，并100%安全運轉至今。實踐表明，我們自主研發的關鍵技術和最優設計結構已經在行業中處于領先水平，成熟技術可以推廣應用于其它需要大功率雙螺桿擠出機的場合。 應用范圍： 雙輸出傳動系統主要為雙螺桿擠出機提供雙輸入傳動。因雙螺桿擠出機廣泛用于石油化工、塑料、化纖、碳纖維、化工造粒、制藥、食品加工和建筑材料等各個生產領域，并且因生產效率、節能等工業化的要求，需要大功率的雙螺桿擠出機，因而大功率的雙輸出傳動箱需求就必不可少。
北京交通大學
2021-04-13
高功率超短脈沖激光傳輸光纖
高功率超短脈沖激光技術在激光精細加工和激光 3D 打印等領域表現出很大的優勢，可以提供十微米以下甚至亞微米級的加工精度，市場應用前景廣闊。由于高功率超短脈沖激光的脈沖寬度非常窄（工業應用通常在百飛秒至幾十皮秒量級），單脈沖能量較大，峰值功率非常高，普通實芯石英光纖 受限于材料的非線性和損傷閾值低的問題，無法傳輸如此高功率的超短脈沖?，F在大多采用空間光路 反射輸出，這大大增加了系統的復雜性，限制了其應用范圍。 北工大基于國家自然科學基金項目，制備了高性能的無節點空芯反諧振光纖，該光纖纖芯為空氣 結構，這就避免了材料的吸收，可以大大提高光纖的損傷閾值，進而可用來傳輸高功率超快激光。這 種高性能無節點空芯反諧振光纖利用改裝的特種光纖拉絲塔通過堆積和拉制的方法拉制而成。目前， 國際范圍內僅有少數科研單位和一家法國 GLO Photonics 公司具有制備該光纖的能力，并且銷售價格較高（約 20,000 元 / 米），阻礙了其工業化應用進程。
北京工業大學
2021-04-13
高效和高功率密度電機驅動系統
? 成果簡介：高功率大轉矩交流感應電機驅動系統峰值轉矩達1400Nm，應用效果良好；車用高效大功率永磁同步電機驅動系統填補了國內該領域的空白，突破了高速穩定弱磁調速技術難，比功率大于1.45kW/kg。該成果已在大洋電機、北京公交集團、627廠、福田、618廠、山東華盛集團、北京飛馳綠能、安徽安凱公司等企業得到推廣應用。? 項目來源：自行開發? 技術領域：電氣工程、新能源汽車? &n
北京理工大學
2021-01-12
高功率超短脈沖激光傳輸光纖
北京工業大學
2021-04-14
大功率半導體激光器
北京工業大學
2021-04-14
高壓大功率薄膜電容器
該成果由于采用新型的安全膜結構和絕氧吸弧工藝（減小金屬材料在加工過程中的氧化，降低接觸電阻、電勢壘等），產品具有自愈性，在高壓大電流的沖擊下不會發生短路擊穿現象，無需防爆裝置；由于采用端面高密度、低電阻的等離子放電噴射沉積制備技術和大功率電容器電極的電阻焊接技術，寄生電阻和發熱量減小，使產品在可靠性、穩定性上具有明顯的優勢。
揚州大學
2021-04-14
電動乘用車大功率充/放電設備
直流輸出 1000V 大功率乘用車充/放電設備
中國科學技術大學
2021-04-14
一種超聲波功率測量系統
一種超聲波功率測量系統，本發明屬于測量儀器，解決現有輻 射力天平法測量超聲波功率對環境要求較高、儀器達到穩定測量狀態 所需時間較長的問題。本發明包括激光器、擴束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡、CCD 攝像機、計算機、激光電源和光學平臺，所述激光器、 擴束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡和 CCD 攝像機沿光路依次固定在光 學平臺上，成像透鏡的軸線與激光器 1 發出的平行光的軸線重合，CCD 攝像機放置在成像透鏡的焦點上，用于接收衍射圖案，并將該圖像傳
華中科技大學
2021-04-14
Si基GaN功率半導體及其集成技術
特色及先進性；技術指標 電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結構（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結構如圖2所示。新結構較傳統GaN整流器具有更小的導通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標準，MG-HAD在常溫下擊穿電壓超過1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下擊穿電壓為770V。本器件結果能同時具有低導通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學
2016-06-08
高功率因數雙向PWM變換器
兩電平與三電平主電路適用于能量四像限運行，三電平更適于直流高壓場合，可用于并網逆變，老化電子負載，蓄電池充放電機的前級，高功率因數整流器， 用作微電網與電網間的接口電路，可實現微網與電網間的能量互換，可用于直流充電樁的前級，實現網側的高功率因數自主知識產權。
揚州大學
2021-04-14