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產(chǎn)品概述： FCP磁場控制平臺是根據(jù)磁控原理設(shè)計的理想磁測量系統(tǒng)，磁場范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計穩(wěn)定磁場控制，適合各系列電磁鐵配置，連續(xù)可變的電磁氣隙，實心的和光學(xué)入口極帽，線型雙極，真實四象限電磁鐵電源。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 磁場控制平臺磁控原理磁測量系統(tǒng) FCP磁場控制平臺控制特征： TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度，用戶輸入的控制設(shè)定點，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺，可以被獨立的被利用或做為用戶設(shè)計的測量系統(tǒng)的一個基礎(chǔ)。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！  磁場控制平臺磁控原理磁測量系統(tǒng) ※ 磁場控制平臺包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術(shù)的高斯計、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場控制平臺具有不同的配制用來滿足在磁場強度、磁場均勻性、樣品尺寸、自定義測量要求等基礎(chǔ)之上的用戶要求?？梢元毩⒌男纬捎脩羲枰牟煌艌鰪姸鹊目勺兇艌?。廣泛用于磁光測量系統(tǒng)、VSM測量系統(tǒng)、在線退火、霍爾效應(yīng)、磁化率測量、自旋磁共振、B-H曲線測量和精準的傳感器校準等領(lǐng)域。 475高斯計從高斯計霍爾探頭得到反饋來計算并調(diào)整控制（模擬）輸出。為了更大程度實現(xiàn)控制的穩(wěn)定性，475型高斯計每33毫秒更新模擬輸出。結(jié)果是一個內(nèi)置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場穩(wěn)定性。 ※ 當(dāng)設(shè)定點速率激活的時候，儀器會開始從當(dāng)前磁場讀數(shù)加速而不是當(dāng)前設(shè)定點，基于對P和I的設(shè)定。另外，475高斯計能設(shè)定速率來控制設(shè)定點，從當(dāng)前磁場讀數(shù)到一個新的值，使用一個磁場中平滑線性變換而不是瞬態(tài)特性的PI控制。 ※ 開環(huán)磁場控制也可能用手動輸出來使用475模擬輸出，這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動用戶調(diào)整。這個方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶可設(shè)定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場控制系統(tǒng)遭到不合適的調(diào)整或開始擺動而不會損壞。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對外以商務(wù)平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。    

成果描述：一種Bcr-Abl雙倍體抑制劑及其制備方法和用途。本發(fā)明公開了式Ⅰ化合物或其藥學(xué)上可接受的鹽,其結(jié)構(gòu)式如下所示。本發(fā)明提供的式Ⅰ化合物或其藥學(xué)上可接受的鹽,作為Bcr-Abl雙倍體抑制劑,能夠有效抑制酪氨酸激酶活性,可有效用于該類激酶異?；罨嚓P(guān)的疾病治療,對惡性腫瘤具有良好的治療作用,該類抑制劑的制備方法簡便,成本低廉,具有良好的應(yīng)用前景。市場前景分析：本發(fā)明公開了式Ⅰ化合物或其藥學(xué)上可接受的鹽,其結(jié)構(gòu)式如下所示。本發(fā)明提供的式Ⅰ化合物或其藥學(xué)上可接受的鹽,作為Bcr-Abl雙倍體抑制劑,能夠有效抑制酪氨酸激酶活性,可有效用于該類激酶異常活化相關(guān)的疾病治療,對惡性腫瘤具有良好的治療作用,該類抑制劑的制備方法簡便,成本低廉,具有良好的應(yīng)用前景。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：國內(nèi)領(lǐng)先

【發(fā) 明 人】范欣生;許惠琴;唐于平;顧鵬程【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明屬于中醫(yī)藥領(lǐng)域，具體涉及一種防治呼吸系統(tǒng)疾病的中藥復(fù)方及其提取部位的制法和用途。   【摘要】防治呼吸系統(tǒng)疾病的中藥復(fù)方及其提取部位的制法和用途，由下列原藥按生藥重量份配比而成:甘草4-40份，麻黃6-60份，苦杏仁10-100份，半夏10-100份，生石膏20-200份，細茶10-100份，五味子6-60份。且制備工藝簡單、重現(xiàn)性好、成本低。用本發(fā)明提供的中藥復(fù)方部位，進行了相關(guān)的藥理實驗，結(jié)果表明，本發(fā)明提供的中藥復(fù)方揮發(fā)油部位具有明顯延長減輕氣道炎細胞浸潤、降低炎癥因子水平、改善肺病理改變、延長哮喘潛伏期、改善呼吸功能等抗炎、平喘、調(diào)整免疫功能的療效。  

【發(fā) 明 人】 張麗 ; 李念光 ; 姚衛(wèi)峰 ; 丁安偉 ; 包貝華 ; 陳佩東【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及一種荊芥內(nèi)酯三氟甲基苯甲酸酯及其制備工藝和用途，屬于藥物制劑技術(shù)領(lǐng)域。【摘要】 本發(fā)明公開了一種荊芥內(nèi)酯三氟甲基苯甲酸酯及其制備工藝和用途，荊芥內(nèi)酯三氟甲基苯甲酸酯，其特征是分子式為C18H17F3O4，熔點為177-178℃，其比旋度為本發(fā)明還公開了它的提取方法，以及在制備抗感冒病毒藥物中的應(yīng)用。

本發(fā)明公開了一種促消化道粘膜修復(fù)的材料，它是由京尼平交聯(lián)小腸黏膜下層制備而成，小腸黏膜下層經(jīng)過京尼平交聯(lián)后的交聯(lián)指數(shù)為30%～100%。本發(fā)明還公開前述促消化道粘膜修復(fù)材料的制備方法及其用途。本發(fā)明促消化道粘膜修復(fù)的材料具有良好的抗酸、抗胃蛋白酶降解性能，溶血性低，無細胞毒性，力學(xué)性能優(yōu)良。

本發(fā)明公開了一種用于防止果實落果的可分散固體制劑及其制備方法和用途。所述可分散固體制劑包括以下質(zhì)量百分比組分：1?甲基環(huán)丙烯微囊粒劑1％～95％、分散劑1％～10％、潤濕劑1％～10％、穩(wěn)定劑0.1％～10％以及固體載體補足至100％，其中1?甲基環(huán)丙烯在可分散固體制劑中的含量為0.01％～4.75％。本發(fā)明所得可分散固體制劑水分含量低，pH值幾乎近

喜樹堿是 Wall 等于 1966 年首先從中國特有的珙桐科植物喜樹 （Camptothecaacuminata）中分離得到的一種具有顯著細胞毒活性的 喹啉類生物堿（J.Nat.Prod.2004,67,129-135），對骨癌、肝癌、膀胱癌 和白血病等多種惡性腫瘤表現(xiàn)出較好的抑制作用，但在臨床使用時發(fā) 現(xiàn)，喜樹堿在發(fā)揮其抗腫瘤活性時會產(chǎn)生骨髓抑制、嘔吐和腹瀉等較 嚴重的副作用，同時因其分子結(jié)構(gòu)中喹啉環(huán)上氮的特殊堿性而水溶性

喜樹堿是 Wall 等于 1966 年首先從中國特有的珙桐科植物喜樹 (camptothecaacuminata)中分離得到的一種具有顯著細胞毒活性的喹 啉類生物堿(J.Nat.Prod.2004，67，129-135)，對骨癌、肝癌、膀胱癌 和白血病等多種惡性腫瘤表現(xiàn)出較好的抑制作用，但在臨床使用時發(fā) 現(xiàn)，喜樹堿在發(fā)揮其抗腫瘤活性時會產(chǎn)生骨髓抑制、嘔吐和腹瀉等較 嚴重的副作用，同時因其分子結(jié)構(gòu)中喹啉環(huán)上氮的特殊堿性而水溶性

中試階段/n該產(chǎn)品的核心是將生物活性多肽與高營養(yǎng)的谷物糊粉層結(jié)合起來開發(fā)的一種特殊醫(yī)用食品。利用不同的蛋白酶降解不同來源的蛋白質(zhì)，結(jié)合谷物糊粉層制備生產(chǎn)小分子多肽食品。該特殊醫(yī)學(xué)用途食品用于癌癥病人及免疫低下病人的輔助營養(yǎng)治療，有利于其恢復(fù)或者改善其生活質(zhì)量。生物活性肽是對生物機體的生命活動有益或是具有生理作用的肽類化合物。生物活性肽具有多種人體代謝和生理調(diào)節(jié)功能，易消化吸收，有促進免疫、激素調(diào)節(jié)、抗菌、抗病毒、降血

本發(fā)明公開了一種電場輔助寫入型磁隧道結(jié)單元及其寫入方法； 電場輔助磁隧道結(jié)單元具有雙勢壘結(jié)構(gòu)，包括第一電極層，以及依次 形成在第一電極層上的第一磁性層、第一絕緣隧穿層、第二磁性層、 第一金屬層、第二絕緣層和第二電極層。第一磁性層為參照層 RL，第 一絕緣層為隧穿層 I，第二磁性層為自由層 FL，第一金屬層為非磁金 屬層 NM，第二絕緣層為介電層 I*；當(dāng)在磁隧道結(jié)單元的兩端施加電 壓時，電場通過兩個絕緣層引入到 I/FL 和 FL/NM 界面，從而調(diào)控 I/FL 的界面磁各向異性，并控制 FL/NM